半导体硅制造工艺

半导体硅的制备流程如下：

多晶硅的制备：
(1) 将SiO2在电弧炉中进行还原与提纯

SiO2+C=CO2+Si (纯度为98%的工业硅)

（2）为了满足纯度要求，与无水HCl工业硅碎粉在一个流化床反应器中进行提纯，反应会生成拟溶解的SiHCl3

SI+HCl = SiHCl3+H2

(3)在步骤(2)中产生的气态混合物还需要进一步提纯，需要过滤硅粉，冷凝 SiHCI3和 SiCl4，而气态 H2、HCl返回到反应中或排放到大气中，然后分解冷凝物 SiHCI3 和 SiCl4，最后净化 SiHCI3(多级精馏)

(4)将SiHCI3 在H2中进行高温还原生成多晶硅

SiHCl3+H2 = Si(多晶硅，纯度为99.9999999%) + 3HCl

单晶硅的制备：

   半导体硅片是从大块的半导体材料中切割出来的，这种半导体材料叫做晶棒或晶锭。晶体生长是把半导体级多晶硅块按一定的晶向转换成一块大的单晶硅锭，如图 1 所示。

图1多晶硅到单晶硅

硅锭的制备方式：

   通常用三种方法进行晶体生长，分别为直拉法、液体掩盖直拉法和水平区熔法。（主要介绍直拉法）

    绝大多数晶体的主流生产技术是直拉生长法。设备结构如图2所示，硅在石英坩埚中熔化，将籽晶浸入熔融体。籽晶是具有和所需晶体相同晶相的小晶体在实际使用中，籽晶是一片片以前生长的单晶，并且可以重复使用，如图 3 所示为设备实物图。