《炬丰科技-半导体工艺》黑硅：制造方法、特性和太阳能应用

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：黑硅：制造方法、特性和太阳能应用
编号：JFKJ-21-1303
作者：华林科纳

本文首先综述了常用的BSi制备工艺，根据高效可再生太阳能组件的策略，对BSi作为太阳能电池抗反射涂层的应用进行了批判性的研究和评价，还研究了将BSi纳入先进太阳能电池结构和超薄柔性BSi晶片的方法。特别注意通向钝化BSi表面的路径，这对于改善任何含BSi的器件的电学性能都至关重要。综述了BSi的研究进展及其在太阳能电池技术中的应用。

利用光刻的掩模可以制作三维微纳米结构，其中只对选定的区域进行电化学抛光，为了BSi的目的，我们后续的讨论将只集中在低电流区域，低电流区的蚀刻反应主要通过调节电流密度、高频、蚀刻时间和照度来控制。对于大多数典型的实验室合成方法，通过施加恒定电流，硅片的孔隙率在其孔隙进入基底时保持不变（图2a）。
相比之下，改变电流密度及其相关时间可以产生孔隙率和折射率逐渐变化或步长变化的结构。例如，在电化学蚀刻过程中不断将蚀刻电流从100mA变化到0mA，并使孔隙率从99%到33%逐渐变化,它们的多孔层比均匀多孔硅具有更好的光学性能，在厚度为107nm时，加权折射率仅为3.7%(图4)。

通过采用类似的策略，Ma和同事使用电化学蚀刻形成了多层多孔硅结构，孔隙率和折射率从空气到硅体逐渐变化，总厚度为4.1mm。64所得到的结构有效地将可见和红外区域抑制到小于5%。实验表明，其理论光学透光率为95.7%。其考虑了多孔层中的光吸收，并根据最大的透光率而不是最小的反射率优化了其结构。多层多孔硅是由具有不同折射率的层组成的，这些层内的干扰可以通过利用抗体对切和布拉格效应来产生选择性的反射或传输，因此，蚀刻的硅晶片在白色照明下表现出不同的颜色(图5)。

黑色硅特性
BSi具有一些在整体硅中没有发现的独特特性,使其成为太阳能电池组件的理想候选材料：光捕获和防涂层，可用于制备防涂层(ARC)层；利用杂质掺杂控制的带隙，可用于多结太阳能电池的设计；机械强度低，可用于方便地从硅锭中分离出超薄晶片；刻蚀效应，即大而有活性的表面的结果，可以用来减少晶片中的杂质。

提高BSi太阳能电池效率的策略
BSi对光学和电气的综合需求要求在太阳能电池应用的优化形态上进行权衡，需要更厚的纳米结构层来最小化表面反射率，对掺杂和金属接触的形成提出了相当大的挑战，为了提高太阳能电池的性能，必须严格控制纳米结构层的厚度。为此，根据BSi的表面形态和所使用的制造技术，提出了几个最佳的厚度值。结果表明，实现相同目标的RIE纳米结构的最佳深度约为200-400nm，使用金属辅助化学蚀刻对硅片进行纹理化，发现在500纳米左右的厚度产生最高的太阳能电池效率。总的来说，纳米结构BSi层的最佳厚度是几百纳米。
BSi的形成不仅增加了表面积，而且在微观或纳米结构表面内产生了大量的缺陷，彻底的清洗或蚀刻过程对于消除这些缺陷至关重要。对于金属辅助的化学蚀刻，深度而彻底的蚀刻变得更加关键，这种蚀刻产生了一个具有明显表面缺陷的亚氧化表面；第二，化学蚀刻的纳米结构的表面非常粗糙；在相对较大的纳米结构(100nm)之上，还有许多大小为2–5nm的小突起，这些小的突起对BSi的光学折射率影响很小，但导致其表面积大幅增加；第三，在BSi制造过程中，很可能有少量的金属离子扩散到硅中；如果BSi形成高温过程（如掺杂），这个问题就变得更加重要。

通过仔细地改变它们的过程参数，可以通过高度的控制来创建广泛的表面形态，虽然BSi具有优越的光学性能，但其较差的电气特性阻碍了BSi太阳能电池的整体功率转换效率，BSi中粗糙的表面导致表面重组增加，导致高且有时不均匀的掺杂浓度，并对形成良好的硅/金属接触提出了明显的挑战，因此需要提高制造工艺来平衡BSi的光学增益和电损失，以获得较高的太阳能电池效率。所以提出了一些策略，包括控制纳米结构层的厚度和使用低长宽比纳米结构，应用彻底的表面缺陷清洗过程和提供良好的表面钝化，将BSi纳入先进的太阳能电池设计和薄硅片生产；这些技术可能潜在地提高太阳能电池效率或降低光伏生产过程中的材料成本。

研究发现，原子层沉积的氧化铝对硅表面具有良好的表面共形性和钝化作用，特别是在p±发射体上，采用ALD氧化铝钝化技术，成功制备了创纪录的18.7%高效BSi太阳能电池。