OTA升级中Bootloader的写法，stm32f405实现，B区跳转到A区，B区实现A区的代码更新

OTA实现第一步

​ 分区：Bootloader区域，和App区域，明确用什么方式来存储获取的新数据。我用的是SD卡来存储获取的数据，这里面，不同的用户可以实现不同的存储方式，比如你可以把FLASH分为三个区域，B区和两个A区，一个A1区存运行的代码，一个A2区域存获取的Bin文件代码。你也可以用不同的存储芯片来存储你的数据24C02，W25Q64等等。

​ 在这里，你要明确一个事情：单片机的Flash的擦除：单片机擦除某一个flash是按照块来擦除的，具体的flash分区可以去找自己用的单片机的型号对应的数据手册，在Flash章节会明确告诉你。我用的是STM32F405，如下所示

​ 这里F405把flash主存分为了12块，你可以定义你的B区和A区的范围，在这里，我定义B区从0x08000000------0x08040000，后续的为A区，对于我获取的新的更新的Bin文件，我存到SD卡中，后续进行更新写入的操作。

OTA升级的注意事项

OTA升级中，很多人弄不清到底是什么样的流程，什么时候该更新，什么时候应该跳转，OTA标志位怎么置位。

​ 无OTA事件的时候：系统上电—从掉电不丢失的内存中读取OTA_Flag— false表示无OTA事件发生—跳转到A区正常执行代码。

​ 出现OTA事件！：系统上电—从掉电不丢失的内存中读取OTA_Flag— true表示OTA事件发生—从掉电不丢失的内存中读取获取来的Bin文件—写入Flash----把OTA_Flag更改成false（这一点很重要）。

​ 获取Bin文件到内存中：后面细说！（要明确什么时候更改OTA_Flag）

B区实现

Bootloader实现原理分析

​ 这里我把0x08000000----0x08040000定义为Bootloader区，这个区域很关键，他决定了单片机能不能正常工作，因为上电最开始进入的就是Bootloader区，这个区的逻辑写不好，很容易导致单片机变成一块砖头。

​ 这里要读取一个掉电不丢失的标志位：OTA_Flag,我用的是SD卡实现

​ 这里要写跳转到A区 否则 更新的逻辑

​ 这里要设置MSP，用于跳转前的栈初始化

​ 这里要关闭中断，清理NVIC防止跳转的时候发生中断触发崩溃

跳转A区实现

这里先定义A区的入口地址：

#define STM32F4_A_SADDR			0x08040000

跳转到A区的代码用一个函数实现，传入参数为A区的首地址：

/*跳转A分支正常运行代码*/
LOAD_A(STM32F4_A_SADDR);

LOAD_A()实现

定义一个函数指针，用于在Bootloader跳转到用户程序时调用用户程序的入口地址

void (*load_a)(void)表示load_a是一个 指向函数的指针。

声明一个 函数指针变量，名为 load_A，类型是 load_a

typedef	void (*load_a)(void);//在

load_a	load_A;

为什么要函数指针？

STM32 的启动流程：

​ 上电后，CPU从FLASH的起始地址读取初始栈指针（MSP）。

​ 紧接着4个字节存储Reset Handler 地址（即程序入口）。

Bootloader 跳转时：

​ 需要手动设置MSP和PC（程序计数器）。

​ 通过函数指针 load_A，可以直接调用用户程序的入口，实现无缝跳转。

上LOAD_A代码！

void LOAD_A(uint32_t addr)
{
//	if (((*(__IO uint32_t*)addr) & 0x2FFE0000 ) == 0x20000000)
//	{
	 	__disable_irq(); // 关闭总中断
	    __set_PRIMASK(1);

	    SysTick->CTRL = 0X00;//禁止SysTick
	    SysTick->LOAD = 0;
	    SysTick->VAL = 0;

	    __set_PRIMASK(0);

	    __HAL_FLASH_PREFETCH_BUFFER_DISABLE();// 关闭预取缓冲区
	    __HAL_FLASH_INSTRUCTION_CACHE_DISABLE();// 关闭指令缓存
	    __HAL_FLASH_DATA_CACHE_DISABLE();// 关闭数据缓存
	    __HAL_FLASH_INSTRUCTION_CACHE_RESET();// 复位指令缓存
	    __HAL_FLASH_DATA_CACHE_RESET();// 复位数据缓存

		load_A = (load_a)*(uint32_t*)(addr + 4);// 获取用户程序的 Reset Handler
		MSR_MSP(*(uint32_t*)addr);// 设置用户程序的栈指针（MSP）

		BootLoader_Clear();
		load_A();

//	}

}

这里注释的部分是用来判断合法性的，其实一般都合法。。。

这里面还有要注意的就是：MSR_MSP函数的写法，用汇编语言的方式写，这里有可能编译不通过，可以查一下自己的编译器的标准写法。

ARM Cortex-M 中**r0 是第一个函数参数**（即 addr）。

跳转到 r14（即 LR，Link Register） 存储的地址，r14（LR）存储的是 函数的返回地址。

void MSR_MSP(uint32_t addr)
{
__ASM volatile("MSR MSP, r0");
__ASM volatile("BX r14");
}

再提供一下Bootloader_Clear()函数：

void BootLoader_Clear(void)
{
	HAL_DeInit();

	__set_CONTROL(0);

	for(int i = 0; i < 8; i++)
	{
		NVIC->ICER[i] = 0xFFFFFFFF;	/* 关闭中断*/
		NVIC->ICPR[i] = 0xFFFFFFFF;	/* 清除中断标志位 */
	}
}

至此就完成了A区的跳转代码的实现，那么想一下，这个LOAD_A函数写在哪里？我们之前是不是要先判断一下什么时候才能够跳转？

OTA事件触发，写FLASH

先展示整个OTA的B区实现的函数吧：

这里面就是判断OTA_flag这个标志位的状态，如果是1，就说明要更新A区的代码了，否则就跳转A区正常运行程序：

void BootLoader_Branch(void)
{

	HAL_Delay(100);
	if(OTA_Info.OTA_flag == 1)
	{
		/*可以进行OTA升级，读取SD中的信息写入flash过程*/
		 Erase_flash(FLASH_SECTOR_6,4);//从第6个开始到后4个，把A区擦了
		 WriteBinToFlash();

		 retSD = f_open(&file, OTA_FLG, FA_CREATE_ALWAYS | FA_WRITE);			//OTA升级标志位清零
		 retSD = f_write(&file, OTA_FLG_CLEAR, 1, (void *)&byteswritten);
		 retSD = f_close(&file);

			__set_FAULTMASK(1);
			NVIC_SystemReset();

	}
	else
	{
		/*跳转A分支正常运行代码*/
		LOAD_A(STM32F4_A_SADDR);
	}
}

这里面看到，程序进来后判断如果有OTA事件产生，那我就这样一个流程：

擦除Flash区域------写Bin文件到A区------OTA标志位清零-------Reset软复位

这里哪怕是在写Bin文件到A区这个过程中掉电了，其实我重新上电后检查到OTA标志位为1，我还是会写入Bin文件到A区，所以OTA标志位的清除时刻很重要，一定要擦除完写入完毕后再置位OTA_flag。

擦除写入函数的实现

擦除Flash区域的函数实现：

​ 定义从哪个区域开始擦sector_start，擦后面几个区域sector_end；具体代码解释下面看注释

uint8_t Erase_flash(uint32_t sector_start,uint32_t sector_end)	//3-4
{
	FLASH_EraseInitTypeDef EraseInitStruct;
	uint32_t SECTORError;
	uint32_t i;
	HAL_FLASH_Unlock(); //解锁内部flash
	//FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);

	EraseInitStruct.TypeErase     = FLASH_TYPEERASE_SECTORS; //以扇区进行擦除
	EraseInitStruct.VoltageRange  = FLASH_VOLTAGE_RANGE_3;
	EraseInitStruct.Sector        = sector_start;  //擦除扇区的首  如果要擦除第五扇区，此处就填入5
	EraseInitStruct.NbSectors     = sector_end; //擦除扇区的尾，如果擦除第五扇区，就填入1

	if (HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &SECTORError) != HAL_OK)
	{
		return -1;
	}
	//address=add;

	HAL_FLASH_Lock();
	return 1;
}

写入Flash的函数也比较简单明了

这里我使用SD卡来存放的Bin文件，并且存储的Bin文件的文件名称为

char bin_t[]="OTA.bin";

这里面我在main.h函数中定义了结构体，每一块我是读取1024个字节的数据，然后写入flash中

typedef struct{
	uint8_t Update_Buff[1024];
	uint16_t UpdateCRC16_res;

}Update_InfoCB;

这里每次读取1024个字节的数据，存在Update_Info.Update_Buff中，然后调用自己写的WriteToFlash函数写入Flash内存，注意这里的address在每次写入后要+=4，不要写错了。

Update_InfoCB Update_Info;

void WriteBinToFlash()
{
	uint32_t FlashAddress = STM32F4_A_SADDR;
	retSD = f_open(&file, bin_t, FA_READ);//读取bin文件
	HAL_FLASH_Unlock(); //解锁内部flash
	if (retSD != FR_OK)	//
	{
		Error_Handler();
	}
    // 按块读取文件并写入Flash
    while (1) {
        retSD = f_read(&file, Update_Info.Update_Buff, sizeof(Update_Info.Update_Buff), &bytesRead);
        if (retSD != FR_OK || bytesRead == 0) {
            break; // 读取完成或出现错误，跳出循环
        }
        WriteToFlash(Update_Info.Update_Buff, bytesRead,FlashAddress);
        FlashAddress += bytesRead;
    }
	HAL_FLASH_Lock();
	f_close(&file);
}

void WriteToFlash(uint8_t *data, uint32_t size, uint32_t address)
{
    for (uint32_t i = 0; i < size; i += 4) {
        uint32_t word = *(uint32_t *)(data + i);
        if (HAL_FLASH_Program(TYPEPROGRAM_WORD, address, word) != HAL_OK) {
            Error_Handler();
        }
        address += 4;
    }
}

总结

​ 至此这里的B区的逻辑就写完了，实现A区的跳转和A区的更新，注意这里的OTA_Flag的标志位的清除和置位，这里有一些细节不要写错了，自己写Bootloader区的时候，要确定好B区的内存区域，确定好B区向A区跳转时的代码逻辑，跳转时一定注意把中断关掉，清除中断标志位。

​ 预告：相对A区 来说，B区的逻辑还是很好写的，因为这都默认Bin文件已经写入到我的存储空间中了，下一篇我会出A区的逻辑，数据传输方式为4g模块，用阿里云物联网平台来实现，数据传输协议用MQTT来实现。