本文是DDR4颗粒入门知识,在此基础上添加了一些自己的理解,希望对自己更深入地了解DDR有所帮助,同时也希望能够帮助到有需要的同学。
1、 DDR4 基本管脚和概念
1)基本管脚

注:对于3D SDRAM,其还有C0-C1-C2管脚,来决定有多少logical rank组成;logical rank概念的引入是为了增加memory的容量。

2)rank /bank 概念
DDR4 最大可支持128个bank,其中通过C2:C0来区分成8个rank,然后每个logical rank 有根据BG【1:0】 和BA【1:0】 可划分4个bank group,每个bank group包含4个bank。

logical rank的选择通过管脚C0-C1-C2来决定。

其中bank group和bank的关系如下:(bank group组成一个logical Rank,Rank内部公用CS_n片选信号)

以3D 4H stacked sdram为例:


3)ddr memory 模型和DDR 预取

ddr 内部memory array和和IO口是如何对应起来的呢?
&

本文详细介绍了DDR4的基本管脚、rank/bank概念、内存模型和预取技术,以及DDR4的bank_size和page_size计算、读写命令时序、行激活与预充电的区别。此外,还探讨了DDR4的操作流程和相关时序参数,旨在帮助读者深入理解DDR4内存的工作原理。

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