目录
概述
存储器分类
按存储介质分类:
- 半导体存储器 TTL,MOS
- 磁表面存储器 磁头,载磁体
- 磁芯存储器 硬磁材料,环状元件
- 光盘存储器 激光,磁光材料
按存取方式分类:
1.存取时间与物理地址无关(随机访问)
- 随机存储器 在程序的执行过程中 读 写
- 只读存储器 在程序的执行过程中 读
2.存取时间与物理地址有关(串行访问)
- 顺序存取存储器 磁带
- 直接存取存储器 磁盘
3.按在计算机中的作用分类
存储器:主存储器,Flash Memory,高速缓冲存储器(Cache),辅助存储器
主存储器:RAM,ROM,
RAM:静态RAM,动态RAM
ROM:MROM,PROM,EPROM,EEPROM
辅助存储器:磁盘,磁带,光盘
存储器的层次结构
存储器三个主要特性的关系:
速度:快--慢
容量:小--大
价格:高--低


缓存—主存层次和主存—辅助层次
缓存—主存:主存储器地址 注重速度 由硬件来处理
主存—辅存:虚拟存储器 注重容量 由软硬件相结合
程序的局部性原理:程序在执行时呈现出局部规律,即在一段时间内,整个程序的执行仅限于程序中的某一部分。相应的,执行所访问的存储空间也局限于某个内存区域。
主存储器
概述:
1.主存的基本组成

2.主存和CPU的联系

3.主存中存储单元地址的分配
高位字节 地址为字地址
地址线24根,按字节寻址范围为224224 =16M;
若字长32位,则一个字有4个字节,所以要留2根地址线指出该字中的哪个字节[00,01,10,11],即寻址范围为 224−2=4M224−2=4M;
若字长16位,则一个字有2个字节,所以要留1根地址线指出该字中的哪个字节[0,1],即寻址范围为 224−1=8M224−1=8M;
注:编址单位:字节
4.主存的技术指标
a.存储容量:
主存 存放二进制代码的总位数
b.存储速度:
- 存取时间 存储器的访问时间 (读出时间 写入时间)
- 存取周期 连续两次独立的存储器操作(读/写)所需的最小间隔时间(读周期 写周期)
c.存储器的带宽 位/秒
半导体芯片简介
半导体存储芯片的基本结构:


| 地址线(单向) | 数据线(双向) | 芯片容量 |
| 10 | 4 | 1K X 4位 |
| 14 | 1 | 16K X 1位 |
| 13 | 8 | 8K X 8位 |
存储芯片片选线的作用:
用16K x 1位的存储芯片组成64K x 8位的存储器

半导体存储芯片的译码驱动方式:
(1)线选法

(2)重合法

随机存取存储器(RAM)
静态RAM(SRAM)

本文深入探讨了存储器的分类、层次结构及关键技术,包括RAM、ROM、高速缓存、辅助存储器的工作原理与特性。解析了存储器与CPU的连接机制,汉明码校验方法,以及提高访问速度的策略。

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