MOS管和电机驱动（一）：MOS管的栅极电阻和GS电阻 米勒效应与米勒平台

注：本系列需要一定的模拟电路基础

MOS管，又叫绝缘栅型场效应管，属于电压控制电流型元件，是开关电路中的基本元件。其特点是栅极（G）的内阻极高。场效应管分为P型和N型，P型场效应管由于跨导小、阈值电压高等原因，已经逐渐被NMOS所取代。

图1

我们知道，MOS管还分为耗尽型和增强型，在实际工程中。我们使用的只有增强型P/NMOS，因为我们肯定不希望一开始就有一个漏极电流。在正式介绍mos管的驱动之前我们得说几个零碎的小知识（以下所有分析都是对NMOS而言的）

Ⅰ寄生二极管（如上图中）
由于mos管本身的结构，使得源极和漏极之间会存在一个寄生二极管，其方向的判断方法是，NMOS从源极指向漏极，PMOS反之。寄生二极管能够防止VDD过大时击穿MOS管（寄生二极管会率先击穿从而把大电压短路到地），也可以防止DS反接。

Ⅱ GS寄生电容

图2

mos真正模型中，各个极之间都存在寄生电容，但是我们最关心的莫过于GS之间的寄生电容Cgs，它会影响开关速度。我们可以轻易地想到，瞬时电流越大，我们就能越快地充满Cgs，也就能越快地打开mos管。

先贴一张mos管的实际模型图片：

图3

然后再给一个实际电路