什么是MOS管的米勒效应

在说MOS管的米勒效应之前我们先看下示波器测量的这个波形:

这个波形其实就是这个MOS管开关电路的波形，探头1这个黄色的测量的是MOS管的栅极，探头2这个蓝色的测量的是MOS管漏极

大家有没有发现这个黄色的波形在上升的过程中出现了一个平台，其实这个平台我们称之为米勒平台，究其原因就是由于MOS管的米勒效应引起的。

下面的是MOS管的电路符号，在它的三个引脚分别存在着寄生电容Cgs,Cgd,Cds,MOS的规格书一般可能是给Ciss,Crss,其中Ciss=Cgs+Cgd,Crss=Cgd，Coss=Cds，

然后我们以NMOS的为例来看下，在驱动信号下MOS管的开启过程

①  t0-t1时刻，栅极的驱动信号给Cgs充电，但是电压小于MOS管的开启电压VGSTH，这时候流过MOS管的电流为0，漏源之间的电压等于电源电压

②  T1-t2时刻，随着栅极的驱动信号给Cgs充电,当VGS电压大于MOS的开启电压后，MOS开始导通，流过MOS管的电流增大，VDS略有降低，这段时间VDS>VGS-VGSTH，MOS管工作在饱和区，流过MOS管的电流由VGS控制。

③  T2-t3当MOS管栅极电压到达米勒平台电压Vａ后，流过MOS管的电流Id已经达到饱和， Vgs会持续一段时间不再增加，而Vds继续下降，这时栅极驱动信号就会给Cgd充电，夺取了给Cgs的充电的电流，VGS不再继续增大，造成了Vgs的平台，也就是米勒平台；

④  T3-t4 VDS到达最小值时，Cgd也就充电完成，然后驱动信号继续给Cgs充电，栅极电压继续增加

导致MOS管米勒效应的主要原因就是Cgd这个电容，但是由于MOS管制作工艺的原因，Cgd无法避免

米勒时间越长，MOS在开启的过程中损耗会越大