数字集成电路：CMOS反相器（一）静态特性

数字集成电路：CMOS反相器（一）

引言

反相器，顾名思义，在逻辑上起到的是取反作用，而在CMOS集成电路中，反相器由两个互补的晶体管NMOS+PMOS组成，反相器也是最基础的数字逻辑门之一，理解反相器的特性，是探究更加复杂的数字逻辑电路的基础，本节将从CMOS反相器的静态特性出发，来引出这一部分的内容。

CMOS反相器的直流特性

直流特性，又称为电压转移特性，指的是CMOS反相器在给定不同输入电压的时候，达到稳态时，输出电压的值，如下图所示，在逻辑功能上，我们都很熟悉地知道反相器输入高电平获得低电平，输入低电平获得高电平。不过当我们仔细看一个真实情况下的电压转移曲线时，我们会发现当输入电压在Vol和Voh之间时，会存在平滑的电平切换的过程，这段平滑的曲线是怎么产生的呢，以及在这个看似简单的电压转移曲线图背后两个晶体管具体的工作状态又是怎么样的呢？

CMOS反相器结构与负载特性

下图就是一个CMOS反相器的典型原理图结构，想要知道反相器是如何工作的，我们就必须回到数字集成电路电路：器件章（一）中，探究两个晶体管的工作区以及电压-电流转移曲线。然而问题是，确定晶体管的工作区除了需要知道Vgs，即此处的Vin以外，还需要确定Vds与Vgs-Vt之间的关系，而Vds在此处还未知待求的Vout。
对此，由于NMOS和PMOS是一个串接的关系，两个管子的漏极是导通的，因此，我们可以通过NMOS和PMOS的电压-电流转移曲线，通过图解法来求得在给定Vin时，两个管子电流转移曲线的交点，来求得此时的输出电流值，由于PMOS的电流曲线方向跟NM