英飞凌IR2104 - 半桥驱动器详解

单片机控制IR2104半桥驱动器：

核心连接与引脚配置
电源与接地‌
VCC（1号引脚）‌：接10-20V电源（如12V），需并联0.1μF陶瓷电容和10μF电解电容滤波。
COM（4号引脚）‌：接功率地（与功率管地共地，不可接单片机逻辑地）。
控制信号输入‌
IN（2号引脚）‌：接单片机GPIO，输入3.3V/5V电平（高电平驱动上管，低电平驱动下管）。
SD（3号引脚）‌：接单片机GPIO，低电平可强制关闭所有输出（紧急保护）。
驱动输出与自举电路‌
LO（5号引脚）‌：接下管MOSFET栅极，
‌HO（7号引脚）‌：接上管MOSFET栅极。

自举电路‌：
VB（8号引脚）与VCC间接快恢复二极管，VB与VS（6号引脚）间接自举电容（推荐0.1μF陶瓷电容+10μF电解电容并联）。

PWM信号输出‌

通过单片机PWM外设输出占空比可调信号至IN引脚，控制功率管导通时间，实现电机调速或功率调节。

注意事项

自举电路‌：VB与VCC间必须接二极管，否则自举电容无法充电导致上管驱动失效。
地线隔离‌：COM引脚需接功率地，与单片机逻辑地通过0Ω电阻或磁珠单点共地，避免干扰。
保护机制‌：VCC低于8.9V时欠压锁定保护会关闭输出，需确保供电稳定。

典型应用

IR2104常用于半桥/全桥电机驱动（如有刷电机正反转、调速）、逆变器及开关电源等场景。通过单片机控制IN引脚电平，配合自举电路即可驱动功率管实现高效功率转换。

绝对最大额定值

热阻

推荐工作条件

输入/输出逻辑时序图如图1所示。为确保设备正常运行，应在推荐条件下使用。所有电源偏置在15V差分电压下测试V S偏移额定值。

参数应用要点
‌电源电压‌：VB（VS+10~VS+20V）、VCC（10~20V）需在最小/最大值内，避免过压或欠压。
‌输出与输入‌：VHO（VS~VB）、VLO（0~VCC）、VIN（0~VCC）需匹配后级电路电平。

‌环境温度‌：TA（-40~125°C）需符合实际工作环境，超出可能导致性能下降或损坏。

动态特性

静态特性

功能框图

功能框图分析：
输入部分‌：
两个输入端口，分别为“IN”和“SD”。
“IN”用于输入控制信号，经过一个反相器（三角形符号）进行信号处理；
“SD”端口同样经过一个反相器，是用于使能、关断等控制功能。

死区时间和短路保护模块（DEAD TIME & SHORT CIRCUIT PREVENTION）‌：该模块与“IN”和“SD”信号相连，主要作用是防止短路情况发生，并产生适当的死区时间，以确保电路中上下桥臂的功率器件不会同时导通，从而提高电路的安全性和可靠性。

欠压检测模块（UV DETECT）‌：用于检测电源电压是否过低，当检测到欠压情况时，可能会采取相应的保护措施，避免电路在异常电压下工作而损坏。

脉冲生成模块（PULSE GEN）‌：根据前面输入信号以及保护检测模块的输出结果，生成相应的脉冲信号，用于驱动后续的功率器件。

高压电平转换模块（HV LEVEL SHIFT）‌：由于电路中存在高侧和低侧不同的电位，该模块将脉冲信号进行电平转换，使其适应高侧悬浮电源的电位要求，以便能够正确驱动高侧的功率器件。

脉冲滤波模块（PULSE FILTER）‌：对经过电平转换后的脉冲信号进行滤波处理，去除可能存在的干扰信号，保证输出到高侧功率器件的驱动信号的稳定性和准确性。

输出部分‌：
 分为高侧输出“HO”和低侧输出“LO”，分别用于驱动高侧和低侧的功率器件（MOSFET）。
“HO”输出信号经过一个由“R - S”触发器等组成的电路结构，连接到高侧功率器件的栅极；
“LO”输出信号经过一个反相器后连接到低侧功率器件的栅极。
此外，“VB”为高侧悬浮电源引脚，“VS”为高侧悬浮电源偏移引脚，“VCC”为低侧及逻辑固定电源引脚，“COM”为公共接地引脚。

驱动半桥功率电路的控制芯片的内部结构，通过对输入信号的处理、保护检测以及电平转换等功能，实现对高侧和低侧功率器件的可靠驱动，以满足电路的功率转换需求。
 

引脚定义

波形图