这篇博客详细介绍了如何利用VASP 5.3及以上版本进行GW+BSE计算，以研究硅材料的光吸收和激子效应。首先进行PBE自恰计算，然后增加空带并启用LOPTICS选项，接着进行G0W0计算，最后执行BSE计算。关键参数如NBANDS、OMEGAMAX、NBANDSO和NBANDSV的设置对计算结果至关重要，计算结果可在vasprun.xml中找到。
VASP在5.3以后的版本都能用解BSE方程的方法，在计算光吸收的过程中考虑激子效应。
下面就来写一个用BSE计算bulkSi的例子
首先，介电函数的计算是在GW计算的基础之上的。这里首先介绍G0W0的计算（我们这里直接在PBE的波函数基础上进行G0W0计算）。
1.PBE自恰计算，写WAVECAR
System= Silicon groundstate occupied orbitals
ISMEAR= 0 ; SIGMA = 0.05 ! small sigma is required to avoid partialoccupancies
EDIFF= 1E-8 ! required tight tolerance for groundstateorbitals
2.增加空带
System = Silicon unoccupied orbitals
ALGO= Exact ! use exact diagonalization of the Hamiltonian
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