开环Boost参数计算基础

boost基本拓扑：

Boost升压电路如图所示，由电感L、开关管Q（S）、二极管D、电容C和负载R组成。在理想条件下（即：忽略开关管的导通压降Vsw和二极管的导通压降Vd）分析开关管的导通和关断。

Ton 阶段，开关管导通，电路可等效为图2，电感上感应出与输入电压Vin极性相反的电压，其大小等于Vin。此时电感电流线性增加，并以磁能形式在滤波电感中储存能量。二极管D因为承受反向电压而截至，其承受的反向电压大小为Vo；此时电容储能释放（放电），（二极管的截止同时也防止电容对地放电）向负载R供电。

Toff 阶段，开关管关断，电路可等效为图3，这时储存在电感中的电流方向不能突变，电感L两端产生了与原来极性相反的自感电动势，即实现输入电压和电感电压串联。输入电压和电感电压的叠加迫使二极管D导通，输入电压和电感中储存的能量以电能的形式通过续流二极管D向电容C和负载R释放。

占空比计算：

由伏秒平衡知，稳态时，∆Ion=∆Ioff，即|∆ iL(+)| =|∆ iL(-)|。假设开关管的导通压降为Vsw，二极管的导通压降为