0.18μm工艺下折叠式共源共栅放大器的实战设计指南
在模拟IC设计领域,放大器电路是实现信号处理功能的核心模块之一。对于需要中等增益、较大输出摆幅的应用场景,折叠式共源共栅(Folded Cascode)结构凭借其独特的性能优势成为工程师们的常用选择。本文将基于Cadence Virtuoso平台,详细讲解如何在0.18μm工艺下完成一个完整的折叠式共源共栅放大器设计流程。
1. 工艺选择与设计准备
0.18μm CMOS工艺是目前模拟IC设计中广泛采用的成熟工艺节点,它在性能、成本和功耗之间提供了良好的平衡。在开始设计前,我们需要充分了解工艺特性对电路性能的影响。
关键工艺参数获取方法:
- 在Virtuoso中创建测试电路,包含NMOS和PMOS基本结构
- 通过DC仿真提取阈值电压(Vth)、跨导效率(gm/Id)等参数
- 使用AC仿真获取本征增益(gm·ro)和截止频率(ft)
注意:不同晶圆厂提供的0.18μm工艺PDK可能存在细微差异,设计前务必确认所用工艺的准确参数。
典型0.18μm工艺参数参考值:
| 参数 | NMOS典型值 | PMOS典型值 |
|---|---|---|
| Vth | 0.45V | -0.48V |
| μCox | 200μA/V² | 80μA/V² |
| ft | 15GHz | 6GHz |
2. 电路架构分析与选择
折叠式共源共栅结构相比传统套筒式结构,在输出摆幅方面具有明显优势

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