STM32——FlashRom的读写操作

1、Flash地址空间的数据读取。stm32f103c8t6只有20KB 内存（RAM）供程序代码和数组变量存放，因此，针对内部Flash的总计64KB存储空间(地址从0x08000000开始），运行一次写入8KB数据，总计复位运行代码4次，将32KB数据写入Flash。并验证写入数据的正确性和读写速率。

二、flash原理

1、Flash 存储基本单元 - 浮栅晶体管（Floating - Gate Transistor）

Flash 存储技术主要基于浮栅晶体管。这种晶体管有一个被绝缘层包围的浮栅（Floating Gate）。在普通的晶体管中，栅极（Gate）的电压控制着源极（Source）和漏极（Drain）之间的电流通断。而在浮栅晶体管中，浮栅可以存储电荷。当向浮栅中注入电子（写入数据）时，浮栅上的电荷会改变晶体管的阈值电压。例如，在没有电荷存储时，晶体管的阈值电压较低，在施加一定电压时就可以导通，代表数据 “0”；当向浮栅注入电子后，阈值电压升高，在相同的读取电压下晶体管无法导通，代表数据 “1”。

2、写入数据原理

（1）热电子注入（Hot - Electron Injection）：

这是一种写入数据的方式。在这种方法中，通过对源极、漏极和控制栅极施加高电压，使得沟道中的电子获得足够的能量（成为热电子）。这些热电子能够穿越氧化层，进入浮栅中存储起来。例如，在传统的 NOR Flash 中，这种写入方式比较常见。以一个简单的电路为例，当要写入数据 “1” 时，通过特定的电压施加电路，使电子被注入浮栅。

（2）F - N 隧穿（Fowler - Nordheim Tunneling）：

这是另一种写入机制。当在控制栅极和源极 / 漏极之间施加一个高电场时，电子可以通过量子隧穿效应穿过绝缘层进入浮栅。这种方式在 NAND Flash 中广泛使用。比如，在一个 3D NAND Flash 芯片的写入操作中，通过精确控制电场强度和时间，实现电子的隧穿注入，从而将数据写入存储单元。

3、读取数据原理

读取数据时，会在控制栅极施加一个适当的电压。这个电压低于写入时的电压。如果浮栅中有电荷（存储数据 “1”），晶体管的阈值电压会变高，在读取电压下不会导通，通过检测电路可以判断出存储的数据是 “1”；如果浮栅中没有电荷（存储数据 “0”），晶体管的阈值电压较低，在读取电压下会导通，检测电路会判断存储的数据是 “0”。

以一个字节（8 位）的数据读取为例，存储芯片中的读取电路会逐一对 8 个存储单元进行上述的读取操作，将每个单元的状态（0 或 1）组合起来，就得到了存储的字节数据。

4、擦除数据原理

擦除数据主要是将浮栅中的电荷移除。在 Flash 存储中，通常是采用 F - N 隧穿的逆过程。
对于 NAND Flash 来说，擦除操作是按块（Block）进行的。在擦除时，通过在衬底和控制栅极之间施加一个高电压，使得浮栅中的电子通过隧穿效应回到衬底，从而将整个块中的数据擦除。这就好比把一个装满东西的仓库清空，为下一次写入数据做好准备。而 NOR Flash 擦除操作相对复杂一些，通常也是通过类似的电荷释放机制，但可能在操作单元等方面有所不同。