MOS管安全工作区SOA及根据SOA选择MOS管

本文介绍了MOS管的安全工作区（SOA）的定义以及如何使用SOA选择MOS管，最终给出常用的热插拔场景下的MOS管。
MOS管选型过程中有一个非常关键的指标需要考虑，即安全工作区（SOA)。一般的MOS管的Datasheet会给出相应的曲线。SOA曲线是$V_{DS}$和$I_D$的关系曲线。如下图所示。想要确保MOS管安全工作，就一定需要让MOS管处于SOA区域内。否则将引起器件损坏甚至爆炸。

可以使用5个完全不同的限制条件来绘制整个SOA,如上图1所示包括：
1、$R_{DS(on)}$ Limitation：它受器件的导通电阻限制（这条先通常取的是最大允许结温下的最大导通电阻）。具有恒定斜率是因为直线上的每个点都表示相同的阻值
2、 $I_{DM}$ Current Limitation ，一般取决于封装的限制，。
3、$B{V}_{DSS}$ Linitation，漏源极能够承受的最大电压，一般是 $V_{BR(DDS}$
4、Max Power Limitaton：最大功率限制
5、Thermal Instability Limitaton（热不稳定限制曲线），一般从功率限制线的某个转折点开始向下走，超出这一限制，MOS管可能会由于热失控而烧毁，这条线一般是由实验测量得到，理论计算比较困难。
最大档次脉冲电流$I_{DM}$和最高耐压值$V_{DS}$。比较固定，不做展开讨论

导通电阻制约电流曲线

该曲线的函数关系是： $I_D$ = $\frac{V_{DS}}{R_{DS(on)}}$
在MOS管的Datasheet中会给出另外一个 $R_{DS(on)}$ 与 $V_{DS}$ 的曲线图，如下图2所示，从途中可以看出， $R_{DS(on)}$ 会随着结温和 $V_{GS}$ 变化而变化。温度越高， $R_{DS(on)}$ 越大。 $V_{GS}$ 越低 $R_{DS(on)}$ 越大。
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最大功耗限制曲线

过高的结温是MOS烧毁的根本原因。根据热阻公式：
$T_j$ = $T_c$ + $Z_{thJC}$ x $P_{dissipated}$
而：
$P_{dissipated}$ = $I_D$ * $V_{DS}$
代入公式后得到，$I_D$关于$V_{DS}$的函数关系如下：
$I_D$ = ($T_j$ - $T_c$)/($Z_{thJC}$ * $V_{DS}$）
其中：

$Z_{thJC}$ :热阻
$T_j$ :结温
$T_c$ ：环境温度
$P_{dissipated}$ :功耗

在Datasheet中一般也会给出$Z_{thJC}$ 的曲线图，如下图所示，从图中可以看出，$Z_{thJC}$与所施加的脉冲有关系。可以从下图中获取到相应的值：
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Thermal instabilit limit-line（热不稳定限制曲线）

随着温度的变化，当产生的功率$P_{generated}$比耗散的功率$P_{dissipated}$更高时，这种情况被认为是热不稳定的。
其中：
$P_{generated}$ = $V_{DS}$ * $I_{DS}$
$P_{dissipated}$ = ($T_j$ - $T_{amb}$)/$Z_{thJC}$
所以上述等式可以变换为：
$V_{DS}$ * $\frac{\partial I_{DS}}{\partial T}$ > $\frac{1}{Z_{thJC}(t_{pulse}}$
其中: $\frac{\partial I_{DS}}{\partial T}$ 被称为温度系数。
由于$V_{DS}$和不等式右边都大于0，所以热不稳定只会发生在当温度系数为正的时候。]
如下图（在一般的MOS管的DS中也会有这个曲线图）。125℃和25℃交界的点为“零温度系数点”（ZTC)，ZTC的特性是随着器件的结温升高，不会使流过器件的电流产生任何的变化。在ZTC的上半部分区域，为负温度系数区域（上图中蓝色区域）。随着温度从25℃上升到125℃，$I_{ds}$电流反而减小了。相当于随着器件的温度上升，通过器件耗散的功率随之下降，所以这个不会存在任何不稳定的风险。。
而对于正温度系数（红色区域），随着温度的提高，流过器件的电流实际在提升，而电流的提升又会进一步加剧发热，而且，电流增加也会导致$R_{DS(on)}$增加，并进一步提高温升。最终产生更多的电流。相当于形成了一个正反馈的机制。而这最终会导致系统的不稳定。

如何通过SOA选择MOS管

1、在选择MOS管的时候，首选选择合适的击穿电压，一般为最大的输入电压的1.5到2倍。例如，12V系统通常为25V或者30V FET，而48V系统通常为100V或在某些情况下达到150V FET。
2、然后是通过SOA选择MOS管，首先需要了解MOS可能会经受的最大浪涌电流（或者预计会限制到输出）是多大，以及这种浪涌会持续多久。然后在器件数据表的SOA图上查找相应的电流和电压差。
由于器件的数据表的SOA一般都是25℃环境温度下的曲线，而我们需要计算的是最高环境温度下的参数。所以需要做一个转换。可以使用如下公式计算出降额系数d。如假系统最高环境温度是70℃，则进行如下计算
d = $\frac{T_{JMax}-T_A}{T_{JMax}-25℃}$ = $\frac{170℃-70℃}{170℃-25℃}$ = 0.7
如果系统的$V_{DS}$为48V，从SOA查到的$I_D$为2.5A，则需要降额到2.5*0.7=1.75A使用。
如上的降额方法是假设MOSFET恰好在最大结温下发生故障，而实际通常是不会如此。如果SOA测试中得到的失效点在200℃或者其他任意较高温度下，所以实际的降额会有偏差。
热插拔是一种倾向于使用表面贴装的FET的应用，而不是通孔的FET（如TO-220或I-PAK封装），原因在于短脉冲持续时间和热击穿事件发生的加热非常有限。换句话说，从硅结到外壳的电容热阻元件可以将热量快速散失到电路板或散热片中以冷却结点
芯片尺寸的函数 - 结到外壳的热阻抗（RθJC）很重要，但封装、电路板和系统散热环境的函数 - 结到环境热阻抗（RθJA）要小得多。出于同样的原因，很难看到散热片用于这些应用。
如下表格给出常用的热插拔系统的MOSFET选择：

用于12V热插拔的MOSFET

表2：用于24V热插拔的MOSFET

表3：用于48V热插拔的MOSFET