Flash模拟EEPROM的方法

1.   EEPROM

      EEPROM是“electrically erasable, programmable, read-only”(电可擦写可编程只读存储器)的缩写。 DRAM断电后存在其中的数据会丢失,而EEPROM断电后存在其中的数据不会丢失。 另外,EEPROM可以清楚存储数据和再编程，也就是说EEPROM数据是可以覆写的。如Write（add1，ptr1，len1），add1为写入地址，ptr1为需要写入次地址数据的指针，len为数据的长度。但需要改变add1处的值为ptr2时只需要简单的把ptr2值在直接写入Write（add1，ptr2，len2）。因为EEPROM的容量一般比较小，所以的写入速度很快

2.  Flash

      Flash是一种基于半导体的存储器，具有系统掉电后仍可保留内部信息，及在线擦写等功能特点，是一种替代EEPROM存储介质的新型存储器。因为它的读写速度比EEPROM更快，在相同容量的情况下成本更低.

Flash写：由1变为0，变为0后，不能通过写再变为1。

Flash擦除：由0变为1，不能只某位单元进行擦除。

Flash的擦除包括块擦除和芯片擦除。块擦除是把某一擦除块的内容都变为1，芯片擦除是把整个Flash的内容都变为1。通常一个Flash存储器芯片，分为若干个擦除block，在进行Flash存储时，以擦除block为单位。

当在一个block中进行存储时，一旦对某一block中的某一位写0，再要改变成1，则必须先对整个block进行擦除，然后才能修改。

3. 使用Flash模拟EEPROM的目的就是为了省掉EEPROM节约成本。

       但是Flash在擦除时速度是比较慢的，一个64K的block擦除需要1S+的时间，所以实际用户会感觉到明显的延时。在应用中一般常变的数据需要存储在EEPROM中，如当前节目，当前音量等，因为写的很频繁（基本换台一次就的写一