半导体制造技术导论（第二版）萧宏 第五章集成电路加热工艺答案

本章要求

1. 至少列出三种重要的加热工艺

水平式高温炉加热、垂直式高温炉加热（即传统的管式炉加热）、快速加热工艺RTP、激光镭射退火LSA

2. 说明直立式和水平式炉管的基本系统，以及直立式炉管的优点

基本系统：控制系统、装载系统、气体输送系统、气体排放系统、工艺炉管

优点：避免了晶圆的弯曲，占地面积较小，避免了晶圆推入反应炉过程中沾上杂质

3. 说明氧化工艺流程

氧化是最重要的加热过程之一，是一种添加工艺，将氧气加入到硅晶圆后，在晶圆表面形成二氧化硅

氧化工艺包括干氧氧化工艺和湿氧氧化工艺

4. 说明氧化前清洗的重要

如果硅表面留有残余污染物，这些缺陷和粒子就将成为结晶过程的成核点，从而使二氧化硅变成如同冬天玻璃上形成的冰晶雪花般的多晶态结构。

而多晶态的结晶边界，将容易使杂质和湿气通过。

5. 比较干氧氧化和湿氧氧化工艺及应用的区别？

干痒氧化：氧化层薄，氧化速度慢，质量较好

湿痒氧化：氧化层厚，氧化速度快，质量较差

6. 说明扩散工艺流程。

源极漏极注入形成之后，晶圆在加热工艺中所花费的时间和温度的乘积称为热积存。

热积存大小取决于栅极的尺寸，也就是集成电路芯片的最小图形尺寸。该尺寸越小，热积存越小先进行预沉积（预淀积），覆盖氧化过程；然后为驱入推进过程（杂质推进drive in）；最后是

退火和激活

7. 解释为什么用离子注入工艺取代扩散技术对硅进行掺杂？

扩散是一种等向性过程，所以掺杂物原子都将扩散到遮蔽氧化层的边缘下方。

离子注入对掺杂物的浓度和分布能更好的控制

8. 说明至少三种高温沉积工艺

高温化学气相沉积：包括外延硅沉积，选择性外延工艺，多晶硅沉积和低压化学气相氮化硅沉积

9. 解释离子注入后退火的重要性？

离子输入过程中，高能掺杂物离子将对靠近晶圆表面的硅晶体结构造成破坏。

为了满足元器件性能的要求，必须利用退火工艺将晶格的损