半导体器件与物理篇4 双极型晶体管及其器件

双极型晶体管的工作原理

双极型晶体管的结构：双极型器件是一种电子和空穴均参与导通过程的半导器件。由两个相邻的耦合p-n结组成。其结构可为pnp或npn的形式

pnp双极型晶体管三段掺杂区的特点：
1.发射区(emitter,E)，浓度最高的$p^{+}$区
2.基区(base,B)，浓度中等的较窄的n区
3.集电区(collector,C)，浓度最小的p区

放大模式下的晶体管

下图为工作在放大模式下的共基组态pnp晶体管。共基组态的含义是：输入和输出电流共用基极。

首先我们要明确，如果射基结和集基结相距足够远，也就是基极过宽，那么晶体管与两个二极管的反向串联就没有什么区别。
所以，晶体管的基区宽度必须足够小，使得发射极进入基区的空穴通过扩散作用就来到了集基结边。然后在集基结的反向偏压的作用下，被带到了集电极。因此，发射极的含义是发射载流子的意思，而集电极的意义是接受从发射极那边来的载流子。

电流增益

$\{\begin{array}{l}{I}_{BB}=I_{Ep}-I_{Cp}=I_E=I_{Ep}+I_{En}\\ I_C=I_{Cp}+I_{Cn}\\ I_B=I_E-I_C=I_{En}+(I_{Ep}-I_{Cp})-I_{Cn}\end{array}$
由基区注入发射区的电子电流$I_{En}$；集电结附近因热所产生的由集电区流往基区的电子电流$I_{Cn}$
发射效率，可以理解为发射极的多子在发射极的所有载流子中的电流占比：$\gamma =\frac{I_{Ep}}{I_E}=\frac{I_{Ep}}{I_{Ep}+I_{En}}$

基区输运系数，是集电极收集的多子电流与发射极发射的多子电流之比：${\alpha }_T=\frac{I_{Cp}}{I_{Ep}}$

共基电流增益，是集电极多子的电流与发射极所有载流子的电流之比，也等于发射效率与基区输运系数之积：${\alpha }_0=\gamma \cdot {\alpha }_T=\frac{I_{Ep}}{I_E}\cdot \frac{I_{Cp}}{I_{Ep}}=\frac{I_{Cp}}{I_E}$

共基电流增益为什么是这个比值呢？发射极发射的所有载流子，与集电区集电的有效部分——即多子电流之间的比值。

共基组态的集电极电流：$I_C={\alpha }_0{I}_E+I_{CBO}$
$I_{CBO}$是发射极断路时(即$I_E=0$)集基(b.c)极间的电流

双极型晶体管的静态特性

为推导出理想晶体管的电流和电压，假设如下:
(1)晶体管中各区域的浓度为均匀掺杂;
(2)基区中的空穴漂移电流和集基极反向饱和电流可以忽略;
(3)载流子注入属于小注入;
(4)耗尽区中没有产生-复合电流;
(5)晶体管中无串联电阻。

分析基区区域

已由于第2条假设“基区中的空穴漂移电流和集基极反向饱和电流可以忽略;”和第4条假设“耗尽区中没有产生-复合电流;”，所以我们简化稳态连续性方程式，得到无电场的稳态连续性方程：$\frac{d^2{p}_n}{d{x}^2}-\frac{p_n-p_{n0}}{D_p{\tau }_p}=0$
少子的扩散系数$D_p$，少子寿命${\tau }_p$，扩散长度$L_p=\sqrt{D_p{\tau }_p}$

求解这个二阶微分方程，可以得到一般解的形式：$p_n(x)=p_n+C_{1}exp(\frac{x}{L_p})+C_{2}exp(-\frac{x}{L_p})$

为了求得一般解表达式中的两个位置参数$C_1,C_2$，我们需要取了个一致的$p_n(x)$。于是，我们提出两个边界条件：
1.第一个边界条件表示在正向偏压的状态下，射基结的耗尽区边缘(x=0)的少数载流子浓度是热平衡状态下的值乘上$exp(\frac{q{V}_{EB}}{kT})$
由此我们得到正向偏压下，射基结耗尽区边缘的少数载流子浓度为：$p_n(0)=p_{n0}exp(\frac{q{V}_{EB}}{kT})$
热平衡状态下基区的少子浓度$p_{n0}$
2.第二个边界条件表示在反向偏压的状态下，集基结耗尽区边缘(x=W)少数载流子浓度为零。
由此我们得到第二个方程:$p_n(W)=0$

将这两个方程代入，求解两个未知量$C_1,C_2$，可以得到反向偏压下，集基结耗尽区边缘的少数载流子浓度为0时，射基结耗尽区边缘的载流子浓度约为：$p_n(x)=p_{n0}exp(\frac{q{V}_{EB}}{kT}$