MOS管的驱动电阻

摘要

12V系统MOS的主要参数

驱动电阻的选择

• 每毫米的PCB走线的寄生电感量大概为1nH;50mm的走线大概为50nH
• G S之间的寄生电容大概为500pF
  对等效电路进行仿真，用示波器测量G极的波形，可以看到在信号边缘存在严重的振荡。

振荡原因：
假设G、S极之间的电压为u(t)，如果忽略R1，分析附图3电路，u(t)满足附图3的二阶微分方程。
进一步得到附图3的特征方程，这是一元二次方程。
其判别式为：
Δ=R2 * R2 * C1 * C1-4 * L1 * C1;
当判别式小于零时，该一元二次方程没有实数解，得到的u(t)为虚数解，表现为阻尼振荡。
为了得到实数解，必须要满足，
R2>2 * sqrt(L1/C1)
需要增加R1和C1的值，而减小L1的值。

如果L1=50nH, C1=500pF，得到实数解所需要的最小R2为：
2*sqrt(100)=20
所以为了避免由于寄生电感和寄生电容导致的G、S极电压的边缘振荡，需要在G极串入阻值大小约为几十欧的电阻。
将R2改为30欧之后，示波器测得的电压波形的边缘不再产生振荡

• 为了避免由于寄生电感和寄生电容导致的G、S极电压的边缘振荡，需要在G极串入阻值大小约为几十欧的电阻。

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MOS介绍链接：
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