CNN建模纳米结构压电材料

细胞神经网络对纳米结构的建模

摘要

本文研究了含纳米夹杂物非均质性的压电材料在承受时谐机电载荷情况下的行为。该模型由两个偏微分方程以及广义应力的边界条件定义。在外边界上，边界条件在边界的一部分规定了牵引力，在其余部分规定了位移。我们为该边值问题构建了细胞非线性/纳米网络(CNN)架构，并通过谐波平衡法研究所得细胞神经网络模型的动态特性。数值方法获得了行波解。仿真结果展示了理论结果的有效性。所得结果可应用于基于多功能材料及其结构元件的无损检测和断裂力学领域。

关键词 —压电固体，纳米非均匀性，细胞神经网络（CNN），动态行为，谐波平衡法

一、引言。研究现状。

对更小、更快器件的需求推动了技术进步，使得在纳米尺度上操控物质成为可能，从而实现了纳米机电系统的制造。随着材料合成和器件加工能力的进步，过去十年中，开发和理解纳米工程器件的重要性显著增加。计算纳米技术不仅在预测多功能纳米结构材料的性能方面，而且在设计其性能方面都已成为不可或缺的工具。这些材料中纳米夹杂物的存在会在局部和整体尺度上影响或扰动其弹性场，从而极大地影响其力学性能。

本文将寻求多功能纳米非均匀压电和磁电弹复合材料中二维动态耦合问题的解法。更详细地说，我们将首先建立并求解含有多重纳米夹杂物的压电/磁电弹各向异性固体中的二维面外（SH）波传播问题。该模型基于弹性动力学、波动传播理论以及表面/界面弹性理论的原理。

纳米非均匀性从两个方面被考虑：作为引发散射和衍射波场的波散射体，以及作为在所研究固体中引起局部应力集中的应力集中器。

在第2节中，我们将阐述在简谐反平面载荷作用下含非均质性的压电固体模型。第3节将讨论通过细胞非线性/纳米网络(CNN)架构对该模型进行离散化，以及所获得的细胞神经网络模型的动态行为。在第4节中，我们将展示所考虑问题的仿真与验证结果。结论部分将提供相关讨论。

II. 问题陈述

设 $ G \in \mathbb{R}^2 $ 是一个带有非均匀性集合 $ I = \cup_{k \in K} I_k $（孔洞、夹杂物、纳米孔洞、纳米夹杂物）的有界压电域，其边界 $ \partial G $ 上承受简谐时变载荷，见图1。需要注意的是，若非均匀性的直径大于 $ 10^{-6} $ m，则其为宏观尺度；若非均匀性的直径小于 $ 10^{-7} $ m，则其为纳米尺度。目标是求解 $ M = G \setminus I $ 中每一点的场，并评估非均匀性周围的应力集中。

利用连续介质力学的方法，该问题可以表述为关于二阶微分方程组 [1] 的边值问题：

$$
c_{4N4} \Delta u_{3N} + e_{1N5} \Delta u_{4N} - \rho_N u_{3,t t} = 0 \
e_{1N5} \Delta u_{3N} - \varepsilon_{1N1} \Delta u_{4N} = 0,
\tag{1}
$$

其中，$ x = (x_1, x_2) $, $ \Delta = \frac{\partial^2}{\partial x_1^2} + \frac{\partial^2}{\partial x_2^2} $ 为拉普拉斯算子，$ u_{3,t t} $ 是关于 $ t $, $ N = M $ 对应于 $ x \in M $ 和 $ N = I $ 对应于 $ x \in I $，$ u_{3N} $ 为机械位移，$ u_{4N} $ 为电势，$ \rho_N $ 为质量密度，$ c_{4N4} > 0 $ 为剪切刚度，$ e_{1N5} \neq 0 $ 为压电常数，$ \varepsilon_{1N1} > 0 $ 为介电常数，$ \omega $ 为施加在 $ \partial G $ 负载上的频率。

假设纳米夹杂物 $ I $ 与其周围基体 $ M $ 之间的界面被视为具有自身力学参数的薄材料表面 $ S $，其参数为 $ e_{1I5}, c_{4I4}, \varepsilon_{1I1} $。

我们将考虑 $ I $ 为纳米孔的情况，形式上我们假设 $ \varepsilon_{1I1} = 0, c_{4I4} = 0, e_{1I5} = 0 $，且其上的边界条件为

$$
t_j^M = \frac{\partial \sigma_l^S}{\partial l_j} \quad \text{on } S,
\tag{2}
$$

其中 $ \sigma_{lj} $ 是广义应力[1]，$ j = 3,4 $，$ l $ 是切向量。然后我们将研究带有边界条件(2)的边值问题（BVP）(1)。

对于在反平面载荷作用下含有非均质性的有界压电域的动态行为，目前尚无数值结果。验证工作分别在[1]中针对含孔洞的无限压电平面、在[2]中针对含孔洞和夹杂物的各向同性有界域，以及在[3]中针对含纳米孔或纳米夹杂物的压电平面进行。

在下一节中，我们将提出细胞非线性/纳米网络 (CNN)架构，作为问题(1)、(2)的离散版本，并在第3节中研究其动态特性。

III. 边值问题的细胞神经网络模型

基于共振隧穿二极管(RTD)的细胞神经网络[4]代表了一类量子效应器件，因其结构简单性、相对容易的制造工艺、固有速度和设计灵活性，成为模拟和数字应用的理想候选。基于此，我们将采用基于RTD的CNN架构来研究边值问题(1)、(2)的动态特性。

接下来[4,5]，我们将写出由 $ n = L \cdot L $ 个 $ L \times L $ 单元组成的边值问题的基于RTD的CNN，其邻域系统为：

$$
c_{4N4} A_1 * u_{3i} + e_{1N5} A_1 * u_{4i} - \rho_N \frac{d^2 u_{3i}}{dt^2} = 0 \
e_{1N5} A_1 * u_{3i} - \varepsilon_{1N1} A_1 * u_{4i} = 0, \quad 1 \leq i \leq n,
\tag{3}
$$

其中 $ A_1 $ 是一维离散拉普拉斯模板，$ A_1 : (1, -2, 1) $，[5] $ 1 \leq i \leq n $，* 是卷积算子。边界条件 (2) 可以用基于RTD的CNN架构表示如下：

$$
t_j^M = \frac{\partial \sigma_{li}^M}{\partial l_j}, \quad j = 3,4,
$$
$$
\sigma_{l3i}^M = c_{4M4} \frac{\partial u_{3i}}{\partial x_l} + e_{1M5} \frac{\partial u_{4i}}{\partial x_l},
\tag{4}
$$
$$
\sigma_{l4i}^M = e_{1M5} \frac{\partial u_{3i}}{\partial x_l} - \varepsilon_{1M1} \frac{\partial u_{4i}}{\partial x_l}, \quad 1 \leq i \leq n.
$$

由方程(3)的第二个方程表示出 $ A_1 * u_{4i} $，并代入第一个方程。于是我们得到关于 $ u_{3i} $ 的如下方程：

$$
\tilde{C} A_1 * u_{3i} - \rho_N \frac{d^2 u_{3i}}{dt^2} = 0,
\tag{5}
$$

其中 $ \tilde{C} = c_{4N4} + \left(\frac{e_{1N5}^2}{\varepsilon_{1N1}}\right) $。

将模型(3)、(4)的输出视为分段线性函数[4]：

$$
y(u_{3i}) = a u_{3i} + b(|u_{3i} - V_p| - |u_{3i} - V_v|) - b(|u_{3i} + V_p| - |u_{3i} + V_v|) = N(V),
\tag{6}
$$

其中 $ a > 0, b < 0 $ 为常数，$ V_p, V_v (0 < V_p < V_v) $ 为基于RTD的CNN的峰值和谷值电压，且可以看出输出函数关于原点对称。输出函数的图形如下图2所示：

的图形)

我们将采用近似方法来研究基于RTD的CNN模型（3）、（4）的动态特性。该方法基于一种特殊的傅里叶变换，在电气工程中被称为谐波平衡法[5]。根据谐波平衡法，我们引入双重傅里叶变换：

$$
F(s,z) = \sum_{k=-\infty}^{\infty} z^{-k} \int_{-\infty}^{\infty} f_k(t) \exp(-st) dt,
\tag{7}
$$

其中 $ z = \exp(I\Omega) $, $ \Omega $ 是连续空间频率，$ s = I\omega $、$ \omega $ 是连续时间频率，I 是虚数单位。

我们将上述变换（7）应用于（5），得到以下传递函数：

$$
H(s,z) = \frac{\rho_N s^2}{\tilde{C}(z^{-1} - 2 + z)},
\tag{8}
$$

根据谐波平衡法，我们将寻找(3)、(4)的如下形式解：

$$
u_{3i} = U_3 \sin(\omega t + i\Omega), \quad u_{4i} = U_4 \sin(\omega t + i\Omega),
\tag{9}
$$

其中 $ U_3, U_4 $ 为振幅，$ 0 \leq \Omega \leq 2\pi $, $ \omega = \frac{2\pi}{T} $, $ T $ 是(9)的最小周期。

我们将用 $ s = I\omega $ 和 $ z = \exp(I\Omega) $ 表示传递函数(8)，并得到：

$$
H_\Omega(\omega) = \frac{-\rho_N \omega^2}{\tilde{C}(2\cos\Omega - 2)},
\tag{10}
$$

根据谐波平衡法，以下约束成立：

$$
\mathcal{R}(H_\Omega(\omega)) = \frac{U_3}{U_4},
\tag{11}
$$
$$
\mathcal{J}(H_\Omega(\omega)) = 0.
$$

现在根据方法[5]，如果对于给定的 $ \Omega $ 值，我们能找到方程 (10)、(11)的一个解 $ (\omega, U_3, U_4) $，那么我们就可以预测存在振幅为 $ U_3, U_4 $、周期约为 $ T = \frac{2\pi}{\omega} $ 的周期解。以下命题成立：

命题1

由 $ n = L \cdot L $ 个细胞组成的基于RTD的CNN模型(3)，(4)具有周期性状态解 $ u_{3i} $，$ u_{4i} $，其空间频率为有限集 $ \Omega $，周期为 $ T = \frac{2\pi}{\omega} $。

证明概要：

根据谐波平衡法[5]，我们首先通过其傅里叶展开的基波分量来近似基于RTD的CNN模型（3）、（4）由（6）给出的输出

$$
y = Y \sin(\omega t + i\Omega),
\tag{12}
$$
with
$$
Y = \frac{1}{\pi} \int_{-\pi}^{\pi} N(V \sin \psi) \sin \psi d\psi.
$$

然后我们将传递函数 $ H_\Omega(\omega) $(10)的实部和虚部代入(11)，得到关于未知数 $ (\omega, U_3, U_4) $ 的代数方程组。我们求解该方程组并找出未知数。这是证明的结束。

备注1

为了验证所获得结果的准确性，我们采用可能的初始条件，使网络在稳态下达到稳态解。其特征在于期望值 $ \Omega $。在本例中，我们提出如下形式的初始条件：$ u_{ji}(0) = \sin(\Omega i), \quad j = 3,4, 1 \leq i \leq n $。

考虑图1所示的方形区域 $ G_1G_2G_3G_4 $，其边长为 $ \alpha $，包含一个半径为 $ r = \beta \alpha $ 且中心位于方形区域中心的圆形非均匀性。

注意，如果 $ \beta < 0.05 $，则外部边界 $ \partial G $ 对解的影响预计较小；而如果 $ \beta > 0.2 $，则影响预计显著。在我们所研究的纳米尺度非均质性情况下，孔洞内部 $ I $ 的材料参数为

$$
c_{4I4} = 0.1 c_{4M4}, \quad e_{1I5} = 0.1 e_{1M5}, \quad \varepsilon_{1I1} = 0.1 \varepsilon_{1M1}, \quad \rho_I = \rho_M;
$$

夹杂物的材料参数为：空间频率定义为 $ \Omega = c \sqrt{\frac{\rho c_{4M4}}{}} \omega $。针对此参数集，我们在图3中给出了基于RTD的CNN模型(3)、(4)所得到的解。

IV. 仿真与验证

在纳米结构中，感兴趣的特征是归一化应力集中场（SCF）$ (\sigma / \sigma_0) $，其通过以下公式计算：

$$
\sigma = -\sigma_{13} \sin(\varphi) + \sigma_{23} \cos(\varphi),
\tag{15}
$$

其中 $ \varphi $ 是观测点的极角，$ \sigma_{ji} $ 是 $ S $ 附近的应力(4)。

基体的材料参数为横观各向同性压电材料PZT4的材料参数：
- Elastic stiffness: $ c_{4M4} = 2.56 \times 10^{10}~\mathrm{N/m^2} $;
- Piezoelectric constant: $ e_{1M5} = 12.7~\mathrm{C/m^2} $;
- Dielectric constant: $ \varepsilon_{1M1} = 64.6 \times 10^{-10}~\mathrm{C/V \cdot m} $;
- Density: $ \rho_M = 7.5 \times 10^3~\mathrm{kg/m^3} $.

施加载荷是沿垂直方向的时间谐波单轴均匀机械牵引，频率为 $ \omega $，幅值为 $ \sigma_0 = 400 \times 10^6~\mathrm{N/m^2} $，以及幅值为 $ D_0 = k \frac{\varepsilon_{1M1}}{e_{1M5}} \sigma_0 $ 的电位移。这意味着边界条件(4)为：
- $ G_1G_2: t_3^M = -\sigma_0, t_4^M = -D_0 $;
- 在 $ G_2G_3: t_3^M = t_4^M = 0 $;
- $ G_3G_4: t_3^M = \sigma_0, t_4^M = D_0 $;
- $ G_4G_1: t_3^M = t_4^M = 0 $.

我们的模型在上述参数集下的验证结果如图5所示。

V. 结论

本文考虑了含有不同类型非均质性（孔洞、裂纹、夹杂物、纳米孔、纳米夹杂物）的均匀或功能梯度压电材料在时谐波作用下的情况。针对含有纳米夹杂物或纳米空腔的压电固体和磁压电固体的二维反平面动力学问题，目前相关研究尚显不足。其原因在于实现这一目标需要多学科的知识与技能。

本文提出了基于RTD的CNN方法，用于对模型(1)，(2)的动态特性进行数值研究。我们找到了该细胞神经网络模型的行波解，仿真结果展示了所获得的理论结果。

计算纳米力学在欧洲具有高优先级，因为它涉及新型智能材料及其器件的开发与制造。本文研究了多功能纳米结构材料中波动运动和应力集中的精确描述与计算这一关键问题。