《模拟电子技术》期末复习笔记4——上交大郑益慧课件知识点整理

最新推荐文章于 2025-09-26 22:56:35 发布

原创

最新推荐文章于 2025-09-26 22:56:35 发布 · 1.6w 阅读

116

449

标签

#人工智能 #考研 #学习方法 #学习

文章详细介绍了模拟电子技术的基础知识，包括半导体的本征和杂质半导体、PN结的形成与特性、二极管的工作原理和伏安特性、稳压二极管的使用。此外，还探讨了晶体管（BJT）和场效应管（FET）的结构、工作原理以及在放大电路中的应用。内容涵盖电流放大、直流和交流通路分析、放大电路的性能指标等核心概念。

笔记整理自B站学习教程《模拟电子技术基础上交大郑益慧主讲》

绪论

1904年，世界上第一只真空电子二极管在英国物理学家弗莱明的手下诞生，电子技术的时代开始了。为了提高性能，

1906年，美国发明家德福雷斯特做出了第一个三极管，这是电子技术工业革命开始的标志。从此，电子管统治了世界

近半个世纪。1946年，在宾夕法尼亚大学，造出了号称是第一台真空电子管的计算机（ENIAC），当时用于弹道计算。

弹道计算技术提升非常快，但实际上不是世界上第一台电子管的计算机。在1973年，美国的高等法院做了平反，1939年10月，阿塔纳索夫和他的助手贝利造了一台真空电子管的计算机（ABC），1941年，被人剽窃了。

到现在，时代的进步，这一切的发展来源于集成电路的发展，集成电路发展的根基是半导体技术的发展。

1947年末，美国贝尔实验室肖特利、巴丁、布拉顿三人发明了第一个晶体管（基于半导体材料），1948年6月，真正对外发布，但这个晶体管还是点接触型的，还没有集成电路。1950年，它们造出了类似“三明治”结构的晶体管，使得集成变得可能。1958年，美国仙童公司和德州仪器（TI）利用扩散工艺实现了体积并没有变大多少，但是里面加了很多元器件。集成电路开始发展起来。1958年，第一块集成电路板出现了。

整个模拟电子技术：分立元件及其应用、集成、负反馈及其应用电路。

模拟信号和数字信号间的桥梁——A/D、D/A转换器。

第一章常用半导体器件

半导体基础知识

本征半导体

一.半导体

1.概念：导电能力介于导体和绝缘体之间的材料。

2.本征半导体：纯净的半导体，具有晶体结构的半导体。

二、本征半导体的晶体结构

三、载流子

1.本征激发

2.自由电子

可以导电

3.空穴

如果加一个电场，在电场力的吸引下，共价键中的价电子会填补空穴，价电子依次填补空穴

造成了空穴的相对移动。空穴也能动，也是一种载流子，也能导电。

因此，本征半导体中有两种载流子：空穴和自由电子。本征激发越多，导电能力越好。

4.复合

自由电子撞到空穴，这一对自由电子空穴对湮灭，重新变成共价键的价电子。

本征激发、复合的速度、温度决定了载流子的浓度。

与本征激发相反的运动是复合

本征半导体的导电能力和载流子的浓度相关

四、载流子的浓度

温度越高，热运动越剧烈，本征激发速度越快。载流子数目增多，浓度增大，复合加快。

到一定程度，复合和激发达到动态平衡。

杂质半导体

一、概念

在本征半导体中掺入少量杂质元素

二、N型半导体

掺入五价元素磷（P）

多子：自由电子是多数载流子，简称多子

少子：空穴是少子

温度对N型半导体中的多子影响大吗？

答：不大，甚至可以忽略。本身的多子就已经是上百万倍了，但是少子对温度的很敏感。

《模拟电子技术基础（第五版）学习辅导与习题解答》华成英编P6

如果以后半导体器件它的某一个特性是和少子相关的，那么它受温度的影响很大。如果仅仅与多子相关，它受温度的影响比较小。

磷原子失去电子变成磷离子，这是不导电的。

三、P型半导体

多数载流子是空穴

掺入三价元素硼（B）

自由电子是少数载流子

PN结

一、PN结的形成

空穴和自由电子会动，但是磷离子和硼离子不会动。（a）图中还少画了一些少数的自由电子和空穴。

1.扩散运动

粒子从浓度高的地方向浓度低的地方运动

P区中空穴浓度高，N区中自由电子浓度高

P区的空穴会向N区扩散，N区的自由电子会向P区扩散

P区的空穴进入N区会被迅速消灭，同理，N区的自由电子进入P区也会被迅速消灭，像“羊入狼群”。

如果不阻止它，最后这两块半导体消耗光。

空间电场会阻止

2.空间电荷区

也称耗尽层、阻挡层、PN结

3.漂移运动

有了PN结，扩散运动依然存在，只不过变得很小。

但是两边还有自由电子和空穴作为少子

对于多子，如上图所示是势垒

对于少子，在空间电荷区会有漂移运动

在一定条件下，多子的扩散运动和少子的漂移运动达到动态平衡。

4.对称结、不对称结

两边掺杂浓度一样

如果两边掺杂浓度不一样，产生的结叫做不对称结

二、PN结的单向导电性

1.外加正向电压

外加电压，加一点相当于把势垒削低一点，刚开始可能还是没有几个能过去，但是再降，就有大量能过去。使得扩散运动重新恢复，电流迅速增大。因此，要对电流加以限制，不然PN结会烧掉，所以加了一个限流电阻R。

2.外加反向电压

不导电

漂移运动加强，但是漂移运动是由少子构成的，少子数量很少。但是这个电流对温度特别敏感！！！

前面解释过原因

三、PN结的电流方程

锗（Ge）管导通电压：0.2V——0.3V

硅（S）管导通电压：0.6V——0.7V

上图是理想情况下的。

实际上还有一个反向饱和电流，如上图所示

四、PN结的伏安特性

1.正向特性

死区

2.反向特性

反向饱和电流

3.反向击穿

（1）雪崩击穿（掺杂浓度低）

足够的场强，PN结就变成了一个粒子加速器撞到共价键上，共价键变成自由电子，这个PN

结就击毁。

条件：一定要给PN结足够的宽度，足够的场强。

（2）齐纳击穿（掺杂浓度高）

PN结窄，场强非常大，价电子就被拉出来了，PN结被击毁。

PN结反向击穿是不是坏了？

答：反向击穿引起了PN结温度升高，功率很大，烧坏了。当温度没过高时，没到烧毁的状态，还可以回来。可以工作在反向击穿状态下。一旦进入热击穿了，就烧毁了，称为二次击穿。没发生二次击穿之前，是可逆的。这种反向工作状态，也可利用，很大电流变化范围内，电压几乎是不变的。

作用：稳定电压。可以做成稳压二极管。

雪崩击穿：温度越高，雪崩击穿所需要的击穿电压越高。

齐纳击穿：温度越高，齐纳击穿所需要的击穿电压越低。

解释：

齐纳击穿：温度越高，价电子越容易拉出来，热运动能量越高。

雪崩击穿：雪崩击穿需要粒子有一个加速的形成，如果能保证它畅通无阻的行程越长，所需要的电压越低。当温度升高，晶格结构开始震，使得自由电子的自由行程越短，需要电压高。

为什么不掺杂六价元素？七价元素？

答：从导电原理上讲,分别掺入低于三价的原子,或掺入高于五价的原子,也是可行的.为何不如此的主要原因是：要最大限度地保持原来单晶结构的完整性.往硅中掺杂,是替位式掺杂,掺入的原子要取代硅原子的位置.为保持晶体的完整,尽量减少晶体缺陷的产生,所以掺杂原子要选择大小与硅原子相差不大的原子为主.三价原子和五价原子就最合适.——摘自B站评论

反向击穿电压：掺杂浓度越高，击穿电压越低。

通过不同的掺杂浓度工艺，可以做出不同的反向击穿电压的稳压二极管。

五、PN结的电容效应

当一个器件，它两端电压变化的时候，它储存的电量发生变化，就表现出电容特性。

1.势垒电容（可变电容）

并不是线性的

N区的多子（自由电子）到P区这边，就成为非平衡少子，非平衡少子的浓度和电压相关，电压越高，

非平衡少子的浓度越高

电压增加，浓度上升，电荷量增加。

电压减小，浓度下降，电荷量减少。——扩散电容

思考题

1.1.1 在制造半导体器件时，为什么先将导电性能介于导体与绝缘体之间的硅或锗制成本征半导体，使之导电性极差，然后再用扩散工艺在本征半导体中掺入杂质形成N型半导体或P型半导体改善其导电性？

答：导电性能介于导体和绝缘体之间的硅或锗导电性不可控，而制作成本征半导体后，通过掺杂形成P型和N型半导体，导电性能改善的同时导电性能可控。（摘自夸克搜题）

1.1.2 为什么称空穴是载流子？在空穴导电时，电子运动吗？

答：空穴其实是对P型半导体导电方式的一种形象化描述，是电子运动的结果，不存在空穴这种实际物体，当电子从原来的位置离开后，相应区域内便显正电，吸引其他电子填补这个正电区，当另一个电子离开原来的位置填补这个正电区后又形成了新的空穴，这就好比空穴移动了，实际上是电子的移动导致空穴的移动。于是空穴的移动也可以反映电子的移动，故称空穴为载流子。空穴导电时，电子会移动。所以空穴不是一种载流子，但是在它的运动中可以将其等效为载流子。空穴导电时等电量的电子会沿其反方向运动。（摘自夸克搜题）

1.1.3 如何从PN结的电流方程来理解其伏安特性曲线和温度对伏安特性的影响？

答：