physical only cell

Cell 类型功能何时插入
Well Tap防止 latch-up,连接 well/substratefloorplan 后早期插
Endcap保护 row 端部 implant 层floorplan 后插
Filler填空白,保持 nwell、电源连续placement 后 / ECO 前后
DecapIR-drop 去耦CTS/route 后按需插
Tie cell安全产生逻辑 0/1synthesis / PnR 导入时
Antenna cell修复金属天线效应route 后自动插
  1. Well Tap Cell(井接触 / tap cell)

别名:

tapcell

well tie

tie-down cell

nwell/psub tap

作用:
✔ 连接 N-well 到 VDD、P-substrate 到 VSS
✔ 防止 Latch-up
✔ 降低电源噪声路径的电阻
✔ 工艺要求定期插入(每 X μm)
典型工艺规则:
每 20~40 µm 插一个
通常由工具自动插

2… Endcap Cell(端帽单元)
作用:
✔ 放在 row 的最左/最右
✔ 用于保护 row 边界区域的 nwell 与 implant 层
✔ 避免 cell 边界 implant DRC
✔ 一般在 floorplan 后立即插
通常每个 row 两个 endcap。

  1. Filler Cell(填充单元)

别名:fill / filler

作用:
✔ 填满 cell 间空隙,保持 nwell 连续性
✔ 补齐 power rail(金属)
✔ 避免 DRC(如 nwell spacing)
✔ 防止电源断开

注意:
✔ filler 不能带功能
✔ 通常在 详细布局完成后 插入
✔ ECO 之前会移除它们

4.Decap Cell(去耦电容)
别名:decap cell、decap_x1/x2
作用:
✔ 增强 local power grid
✔ 降低 IR-drop
✔ 提供供电瞬态需求(时钟高速翻转时)
✔ 特别在 clock tree 区域使用
注意:
decap 会有漏电
不可随便乱插
常由 IR-drop 工具辅助 placement

5.Tie-high / Tie-low Cells(恒定逻辑值单元)
别名:
TIEHI / TIELO
LOGIC0 / LOGIC1
VDD tie / GND tie
作用:
✔ 提供安全的 VDD = 1 和 VSS = 0
✔ 不允许将 gate 直接绑到 VDD 或 VSS(金属会产生高漏电和可靠性问题)
✔ 用于:
RTL 中的 1’b0 或 1’b1
Floating port不使用的输入脚

6.Antenna Cell(天线效应修复)
别名:ANT cell / antenna diode
作用:
✔ 防止蚀刻过程中长金属线积累电荷
✔ 保护晶体管 Gate
✔ 由工具自动插入

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