| Cell 类型 | 功能 | 何时插入 |
|---|---|---|
| Well Tap | 防止 latch-up,连接 well/substrate | floorplan 后早期插 |
| Endcap | 保护 row 端部 implant 层 | floorplan 后插 |
| Filler | 填空白,保持 nwell、电源连续 | placement 后 / ECO 前后 |
| Decap | IR-drop 去耦 | CTS/route 后按需插 |
| Tie cell | 安全产生逻辑 0/1 | synthesis / PnR 导入时 |
| Antenna cell | 修复金属天线效应 | route 后自动插 |
- Well Tap Cell(井接触 / tap cell)
别名:
tapcell
well tie
tie-down cell
nwell/psub tap
作用:
✔ 连接 N-well 到 VDD、P-substrate 到 VSS
✔ 防止 Latch-up
✔ 降低电源噪声路径的电阻
✔ 工艺要求定期插入(每 X μm)
典型工艺规则:
每 20~40 µm 插一个
通常由工具自动插
2… Endcap Cell(端帽单元)
作用:
✔ 放在 row 的最左/最右
✔ 用于保护 row 边界区域的 nwell 与 implant 层
✔ 避免 cell 边界 implant DRC
✔ 一般在 floorplan 后立即插
通常每个 row 两个 endcap。
- Filler Cell(填充单元)
别名:fill / filler
作用:
✔ 填满 cell 间空隙,保持 nwell 连续性
✔ 补齐 power rail(金属)
✔ 避免 DRC(如 nwell spacing)
✔ 防止电源断开
注意:
✔ filler 不能带功能
✔ 通常在 详细布局完成后 插入
✔ ECO 之前会移除它们
4.Decap Cell(去耦电容)
别名:decap cell、decap_x1/x2
作用:
✔ 增强 local power grid
✔ 降低 IR-drop
✔ 提供供电瞬态需求(时钟高速翻转时)
✔ 特别在 clock tree 区域使用
注意:
decap 会有漏电
不可随便乱插
常由 IR-drop 工具辅助 placement
5.Tie-high / Tie-low Cells(恒定逻辑值单元)
别名:
TIEHI / TIELO
LOGIC0 / LOGIC1
VDD tie / GND tie
作用:
✔ 提供安全的 VDD = 1 和 VSS = 0
✔ 不允许将 gate 直接绑到 VDD 或 VSS(金属会产生高漏电和可靠性问题)
✔ 用于:
RTL 中的 1’b0 或 1’b1
Floating port不使用的输入脚
6.Antenna Cell(天线效应修复)
别名:ANT cell / antenna diode
作用:
✔ 防止蚀刻过程中长金属线积累电荷
✔ 保护晶体管 Gate
✔ 由工具自动插入

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