学习笔记-模拟电路

本文档是关于模拟电路的学习笔记,详细介绍了半导体二极管、晶体三极管和场效应管的基础知识,以及多谐振荡电路的构成、元件参数和工作原理。

学习笔记-模拟电路


前言

提示:该笔记是对以往掌握知识的归纳总结,包含对使用的各种元器件的参数、特性总结,以及做的各种实验电路的数据分析

文章内容大致分为以下几类`
1、各类型元器件的特性及基本电路
2、各种基础电路结构及功能
3、学习历程及各种电路、元件总结


一、基础元器件认识

参考资料《模拟电子技术基础》第四版-童诗白

1、半导体二极管

在这里插入图片描述
(1)二极管具有单相导电性
(2)将PN结用外壳封装起来并加上电极引线就构成了半导体二极管
(3)根据PN结的掺杂不同所制成的二极管可以用于不同电路;当PN结的结面积较小时不能通过大电流可用于小功率整流,其结电容较小可适用于高频电路
(4)二极管根据掺杂材料不同其导通电压也会有所区别,硅管为0.7V,锗管为0.3V
(5)二极管常应用于整流(单相导电性)、开关(具有导通和截止特性)、限幅(导通后正向压降基本不变)、续流、检波、稳压、触发。

2、晶体三极管

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(1)根据掺杂结构不同三极管分为PNP和NPN型三极管,如下图左侧为NPN型三极管,右侧为PNP型三极管
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(2)三极管有三种工作状态,截止(Ube<=Uon;Uce>Ube)此时电流Ic近似为零、放大(Ube>Uon;Uce>=Ube)此时Ic=Ib X 放大倍数、饱和(Ube>Uon;Uce<Ube) 此时Ic不仅与Ib有关,还随Uce增大而增大
(3)三极管因其电流放大作用,通常可用于放大电路和开关电路
(4)光电三极管根据光照强度来控制集电极电流大小,可以在电路中实现电气隔离

3、场效应管

在这里插入图片描述

(1)根据掺杂结构不同场效应分为N沟道管和P沟道管
在这里插入图片描述

(2)场效应管的工作状态有:截止区(Ugs<Ugs_off导通电压)、可变电阻区(Uds<=Ugs-Ugs_off导通电压)、恒流区(Uds>Ugs-Ugs_off导通电压) 此时Id的大小只取决于Ugs的大小
(3)增强型、耗尽型MOS管
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二、基本电路

1、多谐振荡电路

1.基本电路结构

在这里插入图片描述

2.元件参数

元件标识元件名称元件参数
D1、D2发光二极管红、绿
R1、R2电阻68K
C1、C2电解电容16V、22uf
VT1、VT2NPN三极管9013

3.电路基本原理

由于实际生产过程中,各个元器件参数会有误差,导致相同参数RC电路的充放电周期会有微小差异,造成两个三极管基极电压电压达到导通的时间不同,假使VT1先导通,此时D1和VT1形成通路,发光二极管D1点亮,此时电容C1进行放电,由于电容C1提供反电压,使得VT2截止,发光二极管D2不亮;当C1放电结束,VT2的基极电压升高达到导通条件时,D2和VT2Z组成通路,发光二极管D2点亮,此时电容C2进行放电,迫使VT1截止,D1熄灭,如此往复形成震荡电路,两个LED灯及交替闪烁。(T=1.368RC)


总结

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