PMOS的电流方向以及工作区理解

原创 已于 2022-07-01 11:02:11 修改 · 3.6w 阅读 · 157
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#fpga开发 #模拟电路 #集成电路 #拉扎维
于 2021-10-07 10:37:12 首次发布
本文深入探讨了拉扎维书籍中关于PMOS的不足，对比分析了NMOS和PMOS的电流公式，揭示了负号的来源，并介绍了判断工作区的方法。通过实例解析，帮助读者掌握两者电流特性的区别。

在拉扎维一书中，在第二章感觉对PMOS的讨论内容比较少，导致一些细节问题上没能太理解，有必要再进一步讨论一下，也当作一个简单的对比总结。

首先讨论电流的参考方向，从结论直观来看电流的参考方向定义为箭头的方向(即对于两种管子，电流的正方向都是从D到S)。

那么为什么两者的电流公式会有一个负号呢？(拉扎维式2.15和拉扎维式2.16)

对于NMOS，其沟道中的载流子为电子；对于PMOS，其沟道的载流子为空穴，这就造成了二者电流方向的必然不同。

虽然这个载流子的迁移率是影响电流大小的关键数据，它的值是不带有方向的(迁移率是恒正的)，负号的产生与他无关。

NMOS饱和区电流公式：

I_{Dnmos}=\frac{1}{2}\mu_nC_{ox}\frac{W}{L}(V_{GS}-V_{THn})^2

NMOS线性区电流公式：

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