SA8812 8‑40V 1.6A 双通道 H 桥电机驱动芯片｜双极步进电机 / 两路直流有刷电机驱动方案

一、产品整体概述

SA8812 是矽塔科技双通道 NMOS H‑Bridge 驱动芯片，可驱动一双极步进电机，也可以驱动两路独立直流有刷电机。供电电压 8.0‑40V，每通道满量程输出电流 1.6A，典型导通电阻 HS+LS 合计 800mΩ。内置电荷泵实现上管 NMOS 栅极驱动；支持 PHASE/ENBL 相位使能控制接口；2bit DAC 实现多档位绕组电流调节；支持快衰减、慢衰减、混合衰减三种续流模式；集成 PWM 斩波限流、过流 OCP、短路保护、欠压 UVLO、热关断 TSD；带开漏 nFAULT 故障告警输出；内置 3.3V 稳压输出。提供 HTSSOP28（带裸露散热焊盘）、TSSOP28 两种封装，适合 POS 打印机、安防摄像机、相机镜头等中高压步进电机设备。

二、五大核心差异化硬件优势

• 8‑40V 宽高压供电，双通道大电流输出 VM 电源 8‑40V，最大绝对耐压 45V；单通道满量程 1.6A，24V/FR4‑1oz 铜箔 PCB 条件下持续输出 1.2A；内部两组独立完整 H 桥，既可直接驱动双极步进，也可分别驱动两台直流电机。内置电荷泵，全 NMOS 架构降低导通损耗。
• 灵活 PWM 电流调节，2bit 多档电流缩放 每通道独立 VREF 参考电压输入，配合外部采样电阻设定满量程斩波电流；AI1/AI0、BI1/BI0 两组 2bit 数字位，可设置 100% /71% /38% /0% 四档绕组电流，可用于步进电机微步控制，也可限制直流电机堵转启动电流。 满量程电流公式：\(I_{CHOP}=V_{REFX}/(5×R_{ISENSE})\)。内置 3.75μS 消隐时间，屏蔽采样上电尖峰，避免误限流。
• 三种衰减模式，适配不同电机噪音与性能 DECAY 单引脚全局配置双通道衰减模式： ①低电平：慢衰减；②悬空：混合衰减；③高电平：快衰减； 混合衰减先快衰减，PWM 周期 75% 时间点切换慢衰减，兼顾电机发热、噪声与动态响应。
• 丰富控制接口，休眠低功耗 PHASE 相位、EN 使能独立控制每路桥；nRESET 硬件复位；nSLEEP 休眠引脚，休眠电流典型 3μA；休眠状态关闭电荷泵与 3.3V 稳压，整机功耗极低；V3P3 引脚输出 3.3V，可给外部周边电路供电。内置 250ns 死区时间，规避上下管共态直通。
• 全套故障诊断，nFAULT 开漏故障标志输出 过流、短路、芯片超温、欠压均会拉低 nFAULT 引脚，上报主控；OCP 过流保护独立于 PWM 电流采样，直接监测 MOS 管电流；热关断 160℃触发，降温 30℃自动恢复；UVLO 上升 7.5V 开启，下降 7.2V 关断；HBM 4kV ESD 防护。

三、完整内置安全保护机制

1. UVLO 欠压锁存：VM 上升 7.5V 开启，下降 7.2V 关断，低压全部输出关闭；
2. OCP 过流 / 短路保护：独立硬件逐管限流，发生短路 H 桥关断；故障后需要 nRESET 复位或者重新上电清除故障；
3. TSD 热关断保护：典型 160℃关断所有功率管，降温 30℃自动恢复；
4. 250ns 死区时间，防止 H 桥上下管直通大电流；
5. 3.75μS 电流采样消隐时间，抑制上电尖峰误触发限流；
6. nFAULT 开漏故障输出，故障事件拉低电平通知主控；
7. nSLEEP 休眠模式，休眠关闭内部大部分电路；nRESET 硬件复位全部逻辑。

四、关键引脚功能定义（HTSSOP28）

1‑3 脚 NC：空脚； 4、11 脚 VMA/VMB：电机功率电源，必须并联，就近接≥22μF 高压电容； 5 脚 AOUT1：A 通道 H 桥输出 1； 6 脚 ISENA：A 通道电流采样，外接采样电阻到 GND； 7 脚 AOUT2：A 通道 H 桥输出 2； 8 脚 BOUT2：B 通道 H 桥输出 2； 9 脚 ISENB：B 通道电流采样，外接采样电阻到 GND； 10 脚 BOUT1：B 通道 H 桥输出 1； 12 脚 AVREF：A 通道电流参考电压； 13 脚 BVREF：B 通道电流参考电压； 14、28 脚 GND：信号地； 15 脚 V3P3：内部 3.3V 稳压输出； 16 脚 nRESET：低电平复位； 17 脚 nSLEEP：低电平休眠； 18 脚 nFAULT：开漏故障输出，需要外部上拉； 19 脚 DECAY：衰减模式选择； 20 脚 APHA：A 通道相位方向； 21 脚 AEN：A 通道使能； 22 脚 BEN：B 通道使能； 23 脚 BPHA：B 通道相位方向； 24 脚 AI0：A 通道电流 bit0； 25 脚 AI1：A 通道电流 bit1； 26 脚 BI0：B 通道电流 bit0； 27 脚 BI1：B 通道电流 bit1； PPAD：底部散热焊盘，必须可靠接 GND，多打散热过孔。

电流档位真值表（每通道 xI1,xI0） | xI1 | xI0 | 输出电流占比 | |---|---|---| | 0 | 0 | 100% | | 0 | 1 | 71% | | 1 | 0 | 38% | | 1 | 1 | 0%（桥关闭） |

五、外围元器件标准化选型规范

VM 电源电容 VMA/VMB 引脚就近对地放置最小 22μF 高压电解 / 陶瓷电容，耐压大于 VM 最高电压；建议搭配 0.1μF 陶瓷高频去耦。

电流采样电阻 RISENSE（ISENA / ISENB 到 GND） 依据公式 \(I_{CHOP}=V_{REFX}/(5×R_{ISENSE})\) 计算阻值；常用 0.3‑0.5Ω 功率电阻，注意电阻功率余量。

VREF 参考电压 可直接使用芯片 V3P3 输出 3.3V 作为参考源，也可外部分压提供。

nFAULT 上拉电阻 nFAULT 为开漏输出，外接 10k 上拉到 3.3V。

电机负载 双极步进电机或者两路独立直流电机；单通道实际持续电流受 PCB 散热、环境温度降额使用。

六、PCB 布线硬性规范

1. VMA/VMB 功率电源走线短粗，功率电容紧贴电源引脚；VMA、VMB 两个引脚 PCB 上必须互相短接；
2. AOUT1/AOUT2、BOUT1/BOUT2 到电机功率回路尽量缩短，降低走线寄生电感；
3. ISENA、ISENB 采样电阻紧贴芯片引脚，采样路径为小信号回路，远离功率大电流走线，防止采样噪声干扰；
4. HTSSOP28 底部 PPAD 散热焊盘完整焊接 GND，增加大量散热过孔，否则持续输出电流会大幅下降；
5. nFAULT、DECAY、PHASE、EN、AI0/AI1、BI0/BI1 等逻辑信号线远离功率走线；
6. 功率地与信号地单点汇合，减少地弹噪声。

七、主流应用场景

SA8812 用于 8‑40V 供电的双极步进电机或两路直流电机：POS 热敏打印机、安防球机摄像机镜头驱动、数码相机、工业小型执行机构、办公设备运动模组。

对比备注：SA6208、SA8303、SA8311 为低压单通道 H 桥；SA8812 为高压双通道 H 桥，支持步进电机，带外部采样电阻 PWM 电流斩波。