🟦SiCウェハ市場 2035年に4.3倍へ成長へ

🟦SiCウェハ市場 2035年に4.3倍へ成長へ─中国勢の台頭と次世代素材の勃興も視野に

　富士経済は、パワー半導体用ウェハの市場が2035年には6,195億円へと成長するという調査結果を発表しました。中でも、シリコンを上回る性能を持つSiC（シリコンカーバイド）ウェハの伸びが顕著で、2024年比で4.3倍に達すると予測されています。
現在は6インチウェハが主流ですが、2026年以降には8インチへの移行が進み、供給体制の変化も予想されます。
　加えて、次々世代素材としてダイヤモンドウェハや窒化アルミニウム（AlN）ウェハといった「究極素材」への関心も高まっており、2026年以降にはそれらの市場立ち上げも見込まれています。

🟦 市場成長の背景にある、エネルギー・モビリティの進化

　この市場成長の背景には、電気自動車（EV）、再生可能エネルギー、AI・5Gといった新産業の拡大があります。これらの分野では、高効率・高耐圧のパワー半導体が必要不可欠となっており、それに適した基板としてSiCやGaN、さらに次世代のダイヤモンドなどが注目されているのです。
　特に、SiCはシリコンに比べて10倍近い絶縁破壊電界強度、3倍以上の熱伝導性を持つため、パワーデバイスに理想的な材料とされています。しかしながら、高性能ゆえのコストの高さや製造技術の難しさがネックとなっており、市場成長は技術革新と価格競争のバランスに左右される構図です。

🟦 まとめ

　SiCウェハーは今まさに成長フェーズにある注目市場です。現時点ではまだ市場規模が小さいものの、その性能の高さと応用分野の広がりを考えると、今後10年で大きな飛躍が期待されます。