EG2131测试电路

最新推荐文章于 2026-06-08 10:51:21 发布
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#嵌入式硬件 #硬件工程
本文详细介绍了使用立创商城采购的ED2131芯片进行电路设计，重点讲解了信号注入、MOS管驱动及HO输出波形特性，特别提到电荷泵升压后的电压峰值。同时提到了关键参数如最低输入电压限制和手册参考。

1 芯片采购来自于立创商城，相关资料也取自立创，非常感谢立创商城提供的平台
2 电路原理图
在这里插入图片描述

主要测试驱动高边MOS管，信号发生器信号注入到到芯片的第二脚HIN，经EG2131芯片转换后驱动V1-IRF840

3 ED2131 - 第2脚 - HIN - 输入波形
请添加图片描述

4 ED2131 - 第8脚 - VB电压 → 18.5V

5 ED2131 - 第7脚 - HO 输出波形
请添加图片描述

6 ED2131 - 第6脚 - VS - 输出波形
请添加图片描述
最大值达到43.8V是因为波形下降沿有一个尖峰到达了43.8V
在这里插入图片描述

7 ED2131 - 第1脚电压不能低于9V，如果低于9V，不能输出高边驱动波形，通过手册可以获得该参数要求
参考 https://item.szlcsc.com/232240.html

8 ED2131 通过电荷泵升压后，HO管脚输出波形电压约等于 32V + 12V ≈ 44V 的脉冲最大电压

官方开源-EG3011电动车控制器原理图/PCB源文件-电路方案
04-21
本设计是某官方开源资料，基于EG89M52 + EG3011 +EG1181 电动车控制器设计，见附件下载其原理图/PCB源文件等。EG3011 是一款高性价比的大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电 路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器 中的驱动电路。EG3011参考电路截图: EG1181 是一款48V 电池供电降压型DC-DC 电源管理芯片，内部集成基准电源、振荡器、误差放大器、过热保护、限流保护、短路保护等功能，非常适合高压60V 以上场合应用。EG1181 应用在电动车48V 控制器系统中，能直接替代LM317、LM7815 或电阻型降压线性稳压器，具有高效率，高可靠性等特性，能大大降低整体控制器的温度，使整个系统能够更可靠工作。EG1181参考电路截图: EG89M52是一款低功耗、低成本、高性能的8位CMOS工艺的MCU。自带8K FLASH ROM，兼容MCS-51指令集及端口标准。快速指令周期，相同工作频率下，比标准的51效率高2~12倍。3.5～6.5V的电压范围及-40～85°C的工业级温度，使EG89M52能够工作在更加严酷的环境下，并且只有2mA～10mA的工作电流。 附件资料截图:
CW32输出SVPWM开环控制直流无刷电机
06-22
使用CW32的通用定时器，输出3路无刷的UVW三相控制信号，并在硬件中使用EG2131的反相输入功能实现3对互补输出SVPWM信号控制6个MOS管从而控制直流无刷电机。
屹晶微 EG2131 中压300V半桥驱动芯片技术解析
G2766487515的博客
02-02 814
EG2131是一款专为300V级中压应用优化的高可靠性半桥驱动芯片，采用独特的HIN高电平有效/LIN低电平有效差异化输入逻辑设计，内置硬件互锁与250ns固定死区，有效防止直通故障。其核心优势包括1.5A驱动能力、300V高压耐受性、11-20V宽工作电压范围及完善的保护功能。该芯片特别适用于无刷电机驱动、电动车控制器、高压开关电源等对安全性和可靠性要求严苛的场合。设计应用时需重点关注其特殊的真值表逻辑关系、自举电路优化及PCB布局规范，通过严格的逻辑验证和动态测试确保系统稳定运行。
别再只盯着自举电路了！手把手教你用电荷泵搞定BLDC/H桥高边驱动（附选型计算）
weixin_27741699的博客
05-11 389
本文深入探讨电荷泵驱动技术在BLDC电机和H桥高边驱动中的应用优势，对比自举电路的局限性，提供详细的选型计算和设计指南。电荷泵方案在100%占空比、低速运行等场景下表现优异，可显著提升系统可靠性，并附有实用选型表格和调试方法。
芯源&立创EDA训练营——无刷电机驱动
qq_41954556的博客
06-30 9871
使用EG2133自制的无刷直流电机驱动
学习记录：自平衡莱洛三角形v2原理图分析
知寒
04-25 7469
V2版本学习 EG2133、 CN3300、CM1010
大功率mos驱动电路eg2131
qq_50008662的博客
02-13 630
mos驱动
大功率MOSFET场效应管、IGBT管栅极驱动芯片EG2132
易板
03-27 6154
栅极专用驱动集成电路，半桥驱动能力强、电路简单、HIN/LIN分开驱动，批量价格0.39元
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本文详细记录了EG2133全桥驱动自举电路从电容烧毁到稳定运行的完整调试过程。通过分析自举电容选型、二极管反向恢复时间、PCB布局等关键因素，提供了实用的解决方案和示波器诊断技巧，最终实现驱动电路的可靠运行。特别针对NMOS驱动和自举电路设计中的常见陷阱进行了深入探讨。
LPC213x ADC/DAC电气特性与晶振电路设计实战解析
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qq_55912269的博客
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单相PWM整流，无套路，真开源，我这么良心的真不多。
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驱动大的功率管Mos管，来产生大电流从而驱动电机，且占空比大小能够经过驱动芯片控制加在电机上的均匀电压到达转速调理的目的。
全桥电机驱动电路的工作原理
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在电路设计当中，全桥的作用非常重要，当桥式整流电路当中的四个二极管封装在一起时就构成了全桥电路，而全桥电路实际上就是我们常说的H桥电路。本篇文章将主要介绍H桥电机驱动的工作原理，从逆时针和顺时针两个方面来进行全面的分析。
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本文主要介绍EG2133 (三相独立半桥驱动芯片)的主要功能，内部结构，设计要求和主要参数。
技能梳理34@自举电路+无刷/有刷电机驱动电路
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自举电路+无刷/有刷电机驱动电路；常用于低电平（5V）控制高电平（48V）；作为驱动电压的电机驱动电路；高MOS导通时：VH0=Vc+VS；这是实际用的时候的电路，EG3012自带自举电路，不过需要C27的配合；
屹晶微 EG2134 三相独立半桥驱动芯片技术解析
G2766487515的博客
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EG2134是一款高压大电流三相独立半桥栅极驱动芯片，集成300V高压自举电源和智能死区控制，专用于驱动功率MOS管和IGBT管。关键特性包括4.5-20V宽电压工作范围、1.2A/1.4A强驱动能力、50-300ns可调死区时间以及300V高压耐受能力。该芯片采用三相独立半桥架构，内置智能保护机制，适用于工业变频器、无刷电机驱动、新能源发电等高压大功率应用场景。设计需重点考虑自举电路优化、PCB布局规范和栅极电阻选择，确保系统可靠性和驱动性能。
EG2132 半桥MOS管栅极驱动芯片技术解析
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EG2132是一款高性价比半桥MOS管/IGBT栅极驱动芯片，具有300V高压自举电源和智能死区控制功能。其工作电压9-20V，提供1.0A/1.5A的拉/灌电流能力，内置250ns死区时间防止直通。芯片采用自举悬浮电源架构，仅需单路电源即可驱动高低侧MOS管，适用于电机驱动、电源转换等场景。设计时需注意自举电路配置、PCB布局优化和栅极电阻选择。该芯片以其高集成度、可靠保护和适应中高压应用的特性，为功率开关系统提供安全高效的驱动解决方案。
英飞凌BLDC驱动芯片替换-屹晶微
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EG2106D替代IR2106、IR2101、FAN7382、IRS2005、NCP5106。EG2106替代IR2106、IR2101、FAN7382、IRS2005、NCP5106。EG2153替代IRS2153D、IR2153、IMP3253。EG4427替代UCC27324、IRS4427、TC4427。EG2104D替代IR2104、IR2008、IR2004。EG2104M替代IR2104、IR2008、IR2004。EG2122替代LM5109、IRS2005、EG2132。
驱动电路的设计
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C1是滤波电容，减小供电电源的杂波，D3为自举二极管，C2为自举电容，R1是驱动电阻，D1是防止关断时MOS存储能量的寄生电容放电导致MOS管误导通的一个放电回路。接下来说明下驱动电阻的如何取值，这关系到MOS的驱动能否正常。由于该电阻阻值较大，对于mos管的开关瞬态工作情况基本没有影响，因此在后文分析mos的开关瞬态时，均忽略Rpd的影响。图 3.7中红线为MOS管开通时的驱动电流流动方向，当MOS管开通瞬间，VCC通过驱动电阻给Cgs充电，如图3-2所示（忽略Rpd的影响）。图 3.6 驱动电路。
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