GaSb衬底上生长InAs/InAs₀.₉₁Sb₀.₀₉超晶格组分设置原因

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前言

不同材料的晶格常数不一样，如果生长在一起就会出现晶格不匹配的情况，那么怎么才可以使其生长在一起！

1.晶格常数定义

晶格常数(Lattice Constant)是描述晶体结构中相邻两个相同格点(如原子、离子或分子)之间沿某一特定方向的最短距离。
所以不同材料 肯定不一样

2.常见材料晶格常数

GaAs：5.65 Å
AIAs： 5.66 Å
InP： 5.87 Å

InAs： 6.06 Å
GaSb：6.096 Å
InSb： 6.479 Å

3.InAs InSb晶格匹配生长

InAs和InSb的晶格常数在任何情况下都不会自然匹配，因为它们本身的晶格常数就不同。

3.1 晶格失配度 a

晶格失配度 的计算公式为：
晶格失配度 = (aInSb - aInAs) / aInAs × 100%

代入数值：
(6.4794 - 6.0583) / 6.0583 × 100% ≈ 6.95%

3.2 InAs/InAs₀.₉₁Sb₀.₀₉

既然它们本身不匹配，那么在科研和工程中如何实现有效的结合呢？答案是使用 缓冲层 或 三元/四元合金。

使用三元合金 InAsxSb1-x
通过在InAs和InSb之间调节砷（As）和锑（Sb）的比例，可以生成一种晶格常数介于两者之间的三元合金

当 x = 1， 是纯 InAs，晶格常数 = 6.0583 Å。
当 x = 0， 是纯 InSb，晶格常数 = 6.4794 Å。

当 x 在 0 和 1 之间，晶格常数大致遵循 维加德定律，在两者之间线性变化。

3.2.1 确定衬底：你打算在哪种材料上生长？

InAs： 6.06 Å
GaSb：6.096 Å
InSb： 6.479 Å

GaSb的晶格常数约为6.096 Å，介于InAs和InSb之间。可以通过精确调控InAsSb的组分（x值），使其晶格常数与GaSb匹配。这是一种更常见的做法。

可以在GaSb衬底上，先生长一层晶格常数从GaSb渐变到目标晶格常数（比如某个特定组分的InAsSb）的缓冲层。这层缓冲层会吸收掉大部分的晶格失配，从而在其顶部获得一个高质量的、晶格松弛的“虚拟衬底”，然后再在这个虚拟衬底上生长高质量的InAsSb有源层。

3.2.2 怎么调整组分至晶格匹配

为了在GaSb (a≈6.096 Å) 上实现匹配，需要调节InAsxSb1-x的x值，使其晶格常数也约为6.096 Å。通过计算，这个x值大约在0.91左右
即InAs₀.₉₁Sb₀.₀₉

3.3 总结

1. 衬底选择：GaSb
   GaSb的晶格常数约为 6.096 Å。
2. 超晶格层设计：InAs 和 InAs₀.₉₁Sb₀.₀₉

InAs层：其晶格常数（6.0583 Å）与GaSb衬底存在负失配（InAs晶格更小）。
InAs₀.₉₁Sb₀.₀₉层：通过引入9%的Sb，将三元合金的晶格常数调整到约 6.096 Å，与GaSb衬底实现近乎完美的晶格匹配。

虽然InAs层本身与GaSb不匹配，但当它被夹在两个晶格匹配的InAs₀.₉₁Sb₀.₀₉层中间时，它会受到双轴压应变。

同样，InAs₀.₉₁Sb₀.₀₉层由于与衬底匹配，处于无应变或近乎无应变状态。

通过精确控制InAs和InAsSb各层的厚度（通常只有几个纳米厚，远低于产生失配位错的临界厚度），整个超晶格结构可以赝晶地、高质量地生长在GaSb衬底上，而不会引入大量的晶体缺陷。