GaN基薄膜的透射光谱分析及参数提取

研究背景

目前，III族氮化物，包括GaN、InN和AlN，已被证明是开发蓝/绿LED、紫激光器和光电探测器的坚固材料。在这些材料中，GaN基材料，如AlGaN和InGaN，因其卓越的特性而闻名，特别是AlGaN，其能带宽度可从3.42eV调整到6.2eV，随着Al组分从0变化到1。然而，在GaN基材料的研究中仍存在许多问题，例如能带内部结构和光响应机制的研究，提高晶体生长水平的需求，以及缺乏有效和方便的检测方法，尤其是非破坏性测量方法。此外，半导体的光学参数和质量表征对于光电器件的设计和制造至关重要。

研究主旨

本文研究了GaN基薄膜的透射光谱，通过分析透射光谱，揭示了样品参数对其影响，特别关注折射率、消光系数和厚度的变化。作者对一系列样品进行了实验，模拟了透射光谱，并从中提取了关键的光学参数，如折射率和消光系数随波长的变化规律。此外，还探讨了GaN和AlGaN薄膜的色散关系，并与现有研究成果进行了对比，证明了透射光谱分析是一种准确且有用的定性和定量薄膜表征方法。

研究特点

如今，GaN基多层材料正在快速发展，了解其界面和光学特性对于器件设计和制造至关重要。本文中，我们分析了透射光谱，并讨论了样品参数对透射光谱的影响。随后，我们获得了系列GaN基样品的透射光谱。对透射光谱进行了模拟，并从中提取了有用信息。对于我们的一个样品，折射率在400到800nm的波长范围内从2.518轻微变化至2.305，而消光系数为6×10^-9.5exp(2700/λ)，厚度为2860nm。最后，我们得到了GaN和AlGaN薄膜的色散关系，并将其与一些其他研究小组的结果进行了比较。

文章出处 GaN基薄膜的透射光谱分析及参数提取