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对于半导体材料,带隙是重要的参数,一般用紫外漫反射光谱来计算,上次我们介绍了如何用切线法计算禁带宽度,方法比较简单,可以快速得出禁带宽度,如果想得出比较准确的值,尽量选择下面的Tauc plot法。
本文所用数据请后台回复数据20获取。
禁带宽度计算公式如下:
(α hv)1/m=B(hν-Eg) 直接带隙:m=1/2 间接带隙:m=2 α为吸收系数,B为常数,hv为光子能量,h 为普朗克常数=4.1356676969×10-15 eV·s,ν 为入射光子频率,Eg表示半导体禁带宽度(带隙) |
根据公式,我们可以看出( hv)1/m与hν成线性关系,B为常数,不会影响截距,所以我们可以以这两个值做曲线,取曲线中直线部分外推至X轴,即Y为0时,交点就是禁带宽度。
1.打开excel或者txt数据,第一列是波长,第二列是吸光度值,如果是透射率,可以转换为吸光度,波长的单位可以转换为m;


2.按照公式一步步推导出各个值:第一个波长;

3.按公式推导出光子频率v;

4.乘以普朗克常数得到hv;

5.再乘以吸光系数得到αhv;

6.如果是直接带隙,计算(αhv)2,如果间接带隙,计算(αhv)1/2;此次我们以直接带隙为例;


7.填充所有值,然后按照上次的推文仅复制hv(x轴)和(αhv)2(y轴)的值到excel中,也可以再复制到空白txt中方便导入origin;



8.打开origin,import数据,或者复制数据,删除没用的文本,跟上次一样,生成散点图;



9.绘制切线,由于点比较密集,可以先对Y轴数据进行微分,如图操作;


10.做微分曲线,选取斜率最大的地方,记住X值;


11.返回刚才的曲线,用tangent(下载请后台回复tangent)工具做切线(方法),得到切线曲线,y=0时X的值即为Eg;




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...&spm=1001.2101.3001.5002&articleId=112485194&d=1&t=3&u=f235757f4c11482081e6e6893895a175)
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