多个MOS管并联应用场景的四大要点

隧穿载流子在电应力和热应力的作用下不断加速，在运动过程中与晶格发生碰撞，产生新的陷阱，从而导致氧化物缺陷，导致栅极漏电流增大，在栅极氧化层内引起电介质击穿。但是，在功率模块级别的并联应用中，由于模块结构和电路结构的限制，交流输出端寄生电感往往比较大，两只碳化硅半桥模块的并联结构中，交流输出端寄生电感Lac包含模块内部键合线、DBC和功率端子的寄生电感，以及模块外部铜排的寄生电感，很容易达到20~40nH，因此当并联器件的体二极管特性差异较大时，会在并联器件的栅极上产生明显的振荡。