1.1测试环境
1.1.1整体环境介绍
板卡： pcie-403板卡
主控芯片： Xilinx xcvu13p-fhgb2104-2
调试软件： Vivado 2018.3
代码环境： Vscode utf-8
测试工程： pcie403_user_top
1.1.2硬件介绍
UD PCIe-403使用VU13P+ZYNQ+FMC插槽架构，对外数据接口使用PCIe3.0x16和PCIe4.0x8进行数据通信或传输，支持千兆以太网、万兆以太网（100G x4），板载4组DDR4的存储器，位宽为72bit，分别容量为8G。另外PCIe-403板载有1个FMC+(兼容FMC子板)全互联的接口，满足VITA57.1和VITA57.4规范，可以适配大多数ADC/DAC FMC或FMC+子卡，且支持多板级联。
PCIe403支持全国产化替代方案，器件选择工业级和以上质量等级元器件。
产品特点：
1.PCIe接口：PCIe3.0×16（金手指）、PCIe4.0×8（MICO PCIe）
2.VU13P+ZYNQ架构
3.支持4路100G以太网
4.支持4组DDR4，每组DDR4位宽72bit
5.千兆以太网，4组100G万兆以太网
6.FPGA选型：可选配XCVU5P、XCVU7P、XCVU9P、XCVU13P、XCVU190 FPGA
7.FMC+ HPC，24路GTX，LA、HA、HB都全互联，可适配各种FMC AD/DA卡
8.远程更新升级固件
9.板载两组启动flash，可以快速切换固件程序
10.Zynq和Vu两组独立USB-JTAG调试接口
11.支持JESD204C
12.支持全国产化替换
13.单电源+6V~+12V供电，支持插入标准服务器或单独千兆、万兆网口使用
14.板载GPS/BD模块，也支持IRIG-B码时统输入,支持CAN、RS232、RS485
15.提供接口测试程序，专业团队提供技术支持
16.使用维护说明书详实，方便用户二次开发
17.质量可靠，成熟应用，批量出货，高性价比
1.2DDR4芯片手册记录
1.2.1整体介绍
PCIE403板卡搭载了4片DDR4,使用的是国产芯片CXDQ3BFAM-WG，对标镁光的芯片是MT40A512M16HA-075E，最大数据速率为2666Mbps。
从上图我们可以看到，开发板板载的这款 DDR4 芯片的行地址是 16bit 位宽，列地址是 10bit 位宽，而整个存储区域分为两个 BANK 组，每个 BANK 组又由 4 个子 BANK 组成，所以整片 DDR4 的容量就是2^16*2^10*8*16bit=512M*16bit。 DDR4 相较于 DDR3 在指令引脚上也发生了变化， DDR4 取消了我们所熟悉的使能 WE、列激活 CAS 和行激活 RAS 这三个命令引脚，而是将这三个命令引脚和地址线 A14、 A15以及 A16 复用了。除此之外在寻址的时候也不再是直接去寻址 BANK，而是先寻址 BANK 组，然后再找到这个 BANK 组中的某个子 BANK。整个数据的吞吐是 8 倍预取，因此用户端数据在读写的时候就是64bit*8=512bit 的数据量进行吞吐（注意虽然是 8 倍预取，但是每一次 IO 引脚上的数据传输依旧是 64bit，因为数据线就16根，至于为何可以达到8倍预取和DDR4内部的双沿采样，FIFO 缓冲，写数据逻辑结构有关）。
1.2.2内存计算
物理层接口：
MIG接口：
2^16 * 2^10 * 8 * 16bit = 2^29 * 16bit = 512M * 16bit = 8G
1.3IP配置记录
配置DDR4的MIG，截图如下：
上图所示的是 MIG IP 核的 Basic 配置界面，这里我们对几个重要的配置信息作出说明：
Component Name： MIG IP 核的命名，可以保持默认，也可以自己取一个名字。
Mode and Interface：控制器的模式和接口选项，可以选择 AXI4 接口或者普通模式，并生成对应的PHY 组件（详情请参考官方文档 pg150）。
Memory Device Interface Speed：板载 DDR4 芯片的 IO 总线速率， KU 可以最大支持 833ps(1200MHz)。
PHY to controller clock frequency ratio：用户时钟分频系数，这里只能选择 4 比 1，因此本节实验的用户时钟频率等于 DDR4 芯片驱动时钟频率的四分之一，即是 300MHz。
Specify MMCM M and D on Advanced Clocking Page to calculate Ref Clk：特殊参考时钟选择，如果参考时钟频率在“ Reference input Clock Speed”选项列表中没有列出，可以使能这个选项，使能这个选项后Reference input Clock Speed 时钟可以通过在 Advanced Clocking 配置页面配置 M 和 D 的值，并按照公式计算出你想要的特殊参考时钟频率值。
Reference input Clock Speed：参考时钟，本节实验选择 5000ps(参考时钟频率和系统时钟频率保持一致，即 200MHz)。
Controller Options：控制器配置栏，如果使用 MIG IP 核内部默认的 DDR4 芯片，则只需要在 MemoryPart 栏选中对应的 DDR4 芯片型号或者相近的型号即可，例如我们板载的 DDR4 芯片型号为 K4A8G16 但是我们在 MIG 中实际选择的是 MT40A512M16HA。
Configuration： DDR4 的组件类型， Components 代表 DDR4 颗粒，后面几个是内存条，本节实验是对颗粒进行操作，所以选 Components。
Slot：当 DDR4 类型选择内存条时可以选择插槽数量，本节实验是对颗粒进行操作，所以只能选单槽。
IO Memory Voltage： IO 的电平，这里选择 1.2V。
Data Width：数据位宽，本节实验采用的 DDR4 颗粒位宽是 64 位的。
ECC： ECC 纠错相关的设置。
Force Read and Write commands to use AutoPrecharge when Column Address bitA3 is asserted high：当列地址 A3 被拉高强制自动预充电。
Enable AutoPrecharge Input：使能自动预充电输入端口。
Enable User Refresh and ZQCSInput：使能 ZQCS 刷新输入端口。
Advanced Options 界面的配置信息如下：
Debug Signals for controller：在 Xilinx 示例设计中，启用此功能会把状态信号连接到 ChipScope ILA 核中。
Microblaze MCS ECC option： Microblaze 的配置选项，选中它 Microblaze 的 MCS ECC 尺寸会增加。Simulation Options： 此选项仅对仿真有效。在选择 BFM 选项时，为 XiPhy 库使用行为模型，以加快模拟运行时间。选择 Unisim 则对 XiPhy 原语使用 Unisim 库。
Example Design Options：示例工程仿真文件的选择。
Advance Memory Options：提高运行性能的选项，可以选择自刷新和校准功能，并将这些信息保存在XSDB BRAM 中，也可以把 XSDB BRAM 中的信息存储在外部存储器中 。
Migration Options：引脚兼容选项，如果想兼容 UlitraScale 和 UltraScale+ fpga，就把这个选项选中。
IO Planning and Design Checklist 界面提示我们 DDR4 IO 引脚分配的方式发生改变，不再像之前 DDR3那样，需要在 MIG IP 核中就分配好管脚， DDR4 可以在 IO Planning 窗口分配管脚（或者直接编写 XDC 文件）。
1.4工程与时序记录
1.4.1编写测试工程
如上图所示：DDR4的主测试模块由以下几个模块构成
(1); ”ddr4_rw_test_top.v”主要例化了四个测试模块和一个ila用来监视DDR4读写过程中是否出错
(2); ”ddr4_test.v”是DDR4测试的主功能代码，调用MIG IP和测试逻辑底层
(3);”ddr4_rw_cntr_logic.v”是DDR4读写测试逻辑底层代码，里面的功能逻辑是生成一组伪随机数据或者累加数，然后按照DDR4的时序写入DDR4，当写入一定的字节长度时回读该数据，然后判断数据的正确性以此来判断读写是否存在问题。
(4);”datas_gen_prbs31.v”主要用来产生伪随机序列
(5);”datas_check_prbs.v”主要用来检查回读的伪随机序列的正确性。
(6);具体时序与仿真见DDR4调试问题记录章节
1.4.2添加DDR4接口的时序约束。
1.4.3写数据时序记录
1.4.4读数据时序记录
1.4.5读延迟记录
DDR的读数据会相较于读命令发出后的几个时钟周期后出现，这个延迟由MIP配置产生。
1.5仿真记录
1.5.1DDR4仿真环境搭建
1；打开XILINX的示例工程。
2；因为DDR4仿真需要DDR4的物理仿真模型，所以我们使用XILINX的仿真顶层模块，再他原本的基础上修改，但要保留他的DDR4物理模型
3；将XILINX仿真顶层模块内的 example_top 模块替换为我们编写的模块，启动Vivado Simulator。
1.5.2DDR4仿真流程
1；搭建完仿真环境后，编写仿真流程；状态机流程如下：
2；等待DDR4 IP核初始化完成后，先进行一次数据读出
3；第一次读完成后，开始写操作，向DDR4内写入累加数据或者伪随机数
4；写完成后，判断状态跳转，写一个状态到读DDR4
5；每次数据读完成后，开始进行数据比对
6；循环此操作，直到将DDR4的所有地址全部遍历一遍
7；全部遍历完成后，再复位DDR4，对每片DDR4重复读写16次
8；统计误码数
仿真测试代码：
//////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////
// CopyRight(c) 2025, Chengdu universal_data Technology Co. Ltd.
// Module_Name : ddr4_test_cntr.v
// Creat Time : 2025-05-12
// Devices : Xilinx xcvu13p-fhgb2104-2-i
// Tool : vivado 2018.3
// Author :
// Revision : ver01
// Encode Save : UTF-8
//////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////
// Design :
// 01;
// 02;
// 03;
//////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////
`timescale 1ns / 1ps
module ddr4_test_cntr
(
input user_clk ,//
input ui_clk ,//
input rst_n ,//
input init_calib_complete ,//DDR4 初始化 + 校准完成信号，高电平表示准备好收发数据
//app_cmd
input app_rdy ,//MIG命令接收准备好
input app_wdf_rdy ,//MIG数据接收准备好
output wire [28: 0] app_addr ,//读/写目标地址（按 burst 编址）
output wire [ 2: 0] app_cmd ,//命令：读/写命令码，通常为：0=WRITE, 1=READ
output wire app_en ,//命令有效信号
//app_write
output app_wdf_wren ,//写数据使能（数据层）
output [511: 0] app_wdf_data ,//写数据，必须先准备好数据再发命令
output app_wdf_end ,//指示写突发结束
output [63: 0] app_wdf_mask ,//写掩码（可选）
//app_read
input [511: 0] app_rd_data ,//读到的数据
input app_rd_data_end ,//表示一次完整读突发结束（可选）
input app_rd_data_valid ,//读数据有效
//alarm_flag
output wire error
);
// wire vio_rst_n;
// wire reset_n;
vio_0 u_vio_inst
(
.clk (user_clk),
.probe_out0 (vio_rst_n), //
.probe_out1 (vio_data_mode)// 1:prbs 0:cal_data
);
//assign reset_n = rst_n;
assign data_mode = vio_data_mode;
assign reset_n = vio_rst_n;
/////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////
// Module :
// Note :
/////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////
parameter MAX_TEST_ADDR = 29'd536866816;
parameter BRUST_LENGTH = 15'd1024;
parameter DUMMY_LENGTH = 15'd1024;
localparam IDLE = 4'd0 ; //ddr初始化未完成，不进行任何操作状态
localparam DDR4_READ_DUMMY = 4'd1 ; //
localparam DDR4_OPERATE_DONE = 4'd2 ; //
localparam DDR4_WRITE = 4'd3 ; //写状态
localparam DDR4_READ = 4'd4 ; //读状态
localparam DDR4_TEST_FINISH = 4'd15 ; //读状态
reg [3: 0] states ;
reg [28: 0] cal_data ;
reg cal_data_en ;
wire wfifo_wen ;
wire [511: 0] wfifo_wdata ;
wire wfifo_ren ;
wire [511: 0] wfifo_rdata ;
wire wfifo_full ;
wire wfifo_empty ;
wire [10: 0] wfifo_wcount ;
wire [10: 0] wfifo_rcount ;
wire &nb
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