本文探讨了IGBT在电机驱动应用中的重要性，比较了对称与非对称结构、穿透型与非穿透型架构的优缺点，并介绍了场停止技术如何提升IGBT的开关性能和效率，特别强调了在高开关频率和低通态压降方面的改进。
选择IGBT时，设计师面对的是一批建筑的选择，有利于IGBT的一种形式，如对称与不对称阻塞，在另一个。本文将回顾由不同的IGBT架构提供的设计选项。
绝缘栅双极晶体管(IGBT)是一种常见的电机驱动应用的选择，由于它的高阻断电压和低成本相比，功率MOSFET具有类似的电压等级。该技术允许设计变频驱动，这对节能系统很有好处。
IGBT提供了驱动重要逆变级所需的开关能力。通常情况下，一个600 V额定阻断电压是驱动操作从200-240伏电源需要1200伏惠460 VAC的应用。
在20世纪80年代，IGBT的结构从功率MOSFET演变而来，以满足增加阻断电压的需要。这是通过增加一个额外的PN结漏MOSFET架构实现，创建一个双极性晶体管结构和整体网络即插即用半导体。同今天制造的大多数功率晶体管一样，晶体管的结构是垂直的而不是水平的，PNP双极晶体管的集电极放置在模具的背面。P或P +浴缸包含氮威尔斯链接源/发射极和栅极区。电流流经这桶到较宽的掺杂漂移区的收藏家。然而，由于它具有MOSFET的绝缘栅极，所以整个器件保持电压控制而不是电流控制。该联锁双极晶体管的增益需要仔细地控制抑制操作作为一个网络即插即用晶闸管。
虽然它通常提供比MOSFET更高的电压隔离，但IGBT的结构意味着它不能像开关那样快速地切换，这限制了变频器中使用的开关频率，尽管最近设备结构的进步已经将有效的开关频率推向100千赫。IGBTs效率是由一个较低的通态压降比MOSFET的改
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