硬件设计中碰到LPDDR5相关的内容,特此做个记录。
一、LPDDR5接口信号描述
| 信号 | 描述 |
| 时钟信号 | |
| CK_T_A,CK_C_A CK_T_B,CK_C_B |
通道A时钟,CK_T和CK_C为一对差分信号 通道B时钟, |
| 命令地址信号 | |
| CA[6:0]_A,CA[6:0]_B | 命令地址 |
| 控制信号 | |
|
CS0_A,CS1_A CS0_B,CS1_B |
片选信号, CS1_A/B 仅针对双列的连接 |
| 数据信号 | |
|
DQ[7:0]_A,DQ[15:8]_A DQ[7:0]_B,DQ[15:8]_B DMI0_A,DMI1_A DMI0_B,DMI1_B | 数据及掩码 |
| 数据时钟信号 | |
| WCK1_T_A,WCK1_C_A WCK0_T_A,WCK0_C_A WCK1_T_B,WCK1_C_B WCK0_T_B,WCK0_C_B | WCKx_T和WCKx_C为一对差分信号 |
| 读取数据选通信号 | |
| RDQS0_T_A,RDQS0_C_A RDQS1_T_A,RDQS1_C_A RDQS0_T_B,RDQS0_C_B RDQS1_T_B,RDQS1_C_ | RDQSx_T和RDQSx_C 为一对差分信号 |
| 杂项信号 | |
|
RESET ZQ_A |
复位控制 仅针对LPDDR5,240Ω上拉到VDDQ |
二、布线规则说明
阻抗控制要求
| 信号 | 描述 |
| DQ、DM 单端信号 | 40Ω±10% |
| 地址CAx,控制CSx 单端信号 | (40~50)Ω±10%,建议按照45Ω±10%控制 |
| 差分信号(CLK_P/N,WCK_P/N,RDQS_P/N)等 | 80Ω±10%,(如果叠层无法满足80Ω的目标阻抗控制,至少要保证满足90Ω±10%的要求) |
| reset | 异步复位,阻抗不做要求,可以按照单端控制信号对待 |
间距要求
| 信号 | 描述 |
| 同一个Byte内的DQ和DQ之间 | ≥2W(W为线宽) |
| 同一个Byte内的DQ和DQS之间 | 建议≥3W,至少2W |
| 同一个Byte内的DQ和WCK之间 | 建议≥3W,至少2W |
| 不同Byte之间 | 建议≥3W,至少2W |
| 地址控制线之间 | ≥2W |
| CLK和其他信号之间 | 建议≥3W,至少2W |
信号分组(通道A)及时序要求:
| 分组 | 包含信号 | 时序要求 | 描述 |
| SOC_DDR_A_CA |
CA0~CA6_A CS0_A CS1_A CLK_P/N |
≤40mil 差分对内≤5mil | 以CLK为参考 |
| SOC_DDR_A_DATA0_R |
DQ[7:0], DMI0, RDQS0P,RDQS0N |
≤25mil 差分对内≤5mil | 以RDQS为参考 |
| SOC_DDR_A_DATA0_W |
DQ[7:0], DMI0, WCK0P,WCK0N |
≤25mil 差分对内≤5mil | 以WCK为参考 |
| SOC_DDR_A_DATA1_R |
DQ[15:8], DMI1, RDQS1P,RDQS1N |
≤25mil 差分对内≤5mil | 以RDQS为参考 |
| SOC_DDR_A_DATA1_W |
DQ[15:8], DMI1, WCK1P,WCK1N |
≤25mil 差分对内≤5mil | 以WCK为参考 |
| SOC_DDR_A_CLK_DQS |
CLKP/N, RDQS0P/N,RDQS1P/N, WCK1P/N,WCK0P/N |
≤200mil 差分对内≤5mil | 以CLK为参考 |
信号分组(通道B)
| 分组 | 包含信号 | 时序要求 | 描述 |
| SOC_DDR_B_CA |
CA0~CA6_B CS0_B CS1_B CLK_P/N |
≤40mil 差分对内≤5mil | 以CLK为参考 |
| SOC_DDR_B_DATA0_R |
DQ[7:0], DMI0, RDQS0P,RDQS0N |
≤25mil 差分对内≤5mil | 以RDQS为参考 |
| SOC_DDR_B_DATA0_W |
DQ[7:0], DMI0, WCK0P,WCK0N |
≤25mil 差分对内≤5mil | 以WCK为参考 |
| SOC_DDR_B_DATA1_R |
DQ[15:8], DMI1, RDQS1P,RDQS1N |
≤25mil 差分对内≤5mil | 以RDQS为参考 |
| SOC_DDR_B_DATA1_W |
DQ[15:8], DMI1, WCK1P,WCK1N |
≤25mil 差分对内≤5mil | 以WCK为参考 |
| SOC_DDR_B_CLK_DQS |
CLKP/N, RDQS0P/N,RDQS1P/N, WCK1P/N,WCK0P/N |
≤200mil 差分对内≤5mil | 以CLK为参考 |
说明:
①参考RK提供的RK3576和RK3588,以及AMD的部分FPGA的布线参数要求,上述提到的部分时序参数的要求,在具体SOC中可能会有不同的数值要求,但这是一个相对而言较为严格的时序参数要求。
②速率越高,要求走线长度越短,建议从SOC到DDR颗粒,总体走线长度控制在2000mil以内,且要求包含封装的延迟如PIN DELAY 参数等。
③至于其他PCB布线过程中的具体细节处理,如伴地过孔,包地处理等等,此处就不一一列举了,可以参考RK等提供的参考设计文件。
声明:部分内容来源于RK公开的设计资料,汇总整合而来。

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