LPDDR5的布线设计

硬件设计中碰到LPDDR5相关的内容,特此做个记录。

一、LPDDR5接口信号描述

信号描述
时钟信号
CK_T_A,CK_C_A    
CK_T_B,CK_C_B    

通道A时钟,CK_T和CK_C为一对差分信号

通道B时钟,

命令地址信号
CA[6:0]_A,CA[6:0]_B命令地址
控制信号

CS0_A,CS1_A

CS0_B,CS1_B

片选信号,

CS1_A/B 仅针对双列的连接

数据信号

DQ[7:0]_A,DQ[15:8]_A

DQ[7:0]_B,DQ[15:8]_B

DMI0_A,DMI1_A

DMI0_B,DMI1_B

数据及掩码
数据时钟信号
WCK1_T_A,WCK1_C_A
WCK0_T_A,WCK0_C_A
WCK1_T_B,WCK1_C_B
WCK0_T_B,WCK0_C_B
WCKx_T和WCKx_C为一对差分信号
读取数据选通信号
RDQS0_T_A,RDQS0_C_A
RDQS1_T_A,RDQS1_C_A
RDQS0_T_B,RDQS0_C_B
RDQS1_T_B,RDQS1_C_
RDQSx_T和RDQSx_C 为一对差分信号
杂项信号

RESET 

ZQ_A

复位控制

仅针对LPDDR5,240Ω上拉到VDDQ

二、布线规则说明

阻抗控制要求

信号描述
DQ、DM 单端信号40Ω±10%
地址CAx,控制CSx 单端信号(40~50)Ω±10%,建议按照45Ω±10%控制
差分信号(CLK_P/N,WCK_P/N,RDQS_P/N)等80Ω±10%,(如果叠层无法满足80Ω的目标阻抗控制,至少要保证满足90Ω±10%的要求)
reset异步复位,阻抗不做要求,可以按照单端控制信号对待

间距要求

信号描述
同一个Byte内的DQ和DQ之间≥2W(W为线宽)
同一个Byte内的DQ和DQS之间建议≥3W,至少2W
同一个Byte内的DQ和WCK之间建议≥3W,至少2W
不同Byte之间建议≥3W,至少2W
地址控制线之间≥2W
CLK和其他信号之间建议≥3W,至少2W

信号分组(通道A)及时序要求:

分组包含信号时序要求描述
SOC_DDR_A_CA 

CA0~CA6_A

CS0_A

CS1_A

CLK_P/N

≤40mil

差分对内≤5mil

以CLK为参考
SOC_DDR_A_DATA0_R

DQ[7:0],

DMI0,

RDQS0P,RDQS0N

≤25mil

差分对内≤5mil

以RDQS为参考
SOC_DDR_A_DATA0_W

DQ[7:0],

DMI0,

WCK0P,WCK0N

≤25mil

差分对内≤5mil

以WCK为参考
SOC_DDR_A_DATA1_R

DQ[15:8],

DMI1,

RDQS1P,RDQS1N

≤25mil

差分对内≤5mil

以RDQS为参考
SOC_DDR_A_DATA1_W

DQ[15:8],

DMI1,

WCK1P,WCK1N

≤25mil

差分对内≤5mil

以WCK为参考
SOC_DDR_A_CLK_DQS

CLKP/N,

RDQS0P/N,RDQS1P/N,

WCK1P/N,WCK0P/N

≤200mil

差分对内≤5mil

以CLK为参考

信号分组(通道B)

分组包含信号时序要求描述
SOC_DDR_B_CA 

CA0~CA6_B

CS0_B

CS1_B

CLK_P/N

≤40mil

差分对内≤5mil

以CLK为参考
SOC_DDR_B_DATA0_R

DQ[7:0],

DMI0,

RDQS0P,RDQS0N

≤25mil

差分对内≤5mil

以RDQS为参考
SOC_DDR_B_DATA0_W

DQ[7:0],

DMI0,

WCK0P,WCK0N

≤25mil

差分对内≤5mil

以WCK为参考
SOC_DDR_B_DATA1_R

DQ[15:8],

DMI1,

RDQS1P,RDQS1N

≤25mil

差分对内≤5mil

以RDQS为参考
SOC_DDR_B_DATA1_W

DQ[15:8],

DMI1,

WCK1P,WCK1N

≤25mil

差分对内≤5mil

以WCK为参考
SOC_DDR_B_CLK_DQS

CLKP/N,

RDQS0P/N,RDQS1P/N,

WCK1P/N,WCK0P/N

≤200mil

差分对内≤5mil

以CLK为参考

说明:

①参考RK提供的RK3576和RK3588,以及AMD的部分FPGA的布线参数要求,上述提到的部分时序参数的要求,在具体SOC中可能会有不同的数值要求,但这是一个相对而言较为严格的时序参数要求。

②速率越高,要求走线长度越短,建议从SOC到DDR颗粒,总体走线长度控制在2000mil以内,且要求包含封装的延迟如PIN DELAY 参数等。

③至于其他PCB布线过程中的具体细节处理,如伴地过孔,包地处理等等,此处就不一一列举了,可以参考RK等提供的参考设计文件。

声明:部分内容来源于RK公开的设计资料,汇总整合而来。

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