sentaurus学习笔记（HFET_pGate_GaN仿真）（九）

最新推荐文章于 2026-06-01 16:55:34 发布
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文章详细描述了如何在SentaurusTCAD的SDE中使用代码定义二维掺杂剖面，以形成欧姆接触，以降低接触电阻并提升半导体器件性能。通过精确设置高掺杂区域和评估窗口，设计师可以优化器件的电气特性和性能。

; 2D Doping profiles
;---------------------------------------------------------------------------
; Doping to facilitate ohmic contacts
(sdedr:define-constant-profile "Ohmic" "ArsenicActiveConcentration" 1E+21)

(sdedr:define-refeval-window "Pl.ohmic.d" "Rectangle"  
        (position Xdrn Ytop 0) (position Xmax Ycontact 0))
(sdedr:define-constant-profile-placement "Ohmic.d" "Ohmic" "Pl.ohmic.d" 0.002)

(sdedr:define-refeval-window "Pl.ohmic.s" "Rectangle"  
        (position 0 Ytop 0) (position Xsrc Ycontact 0))
(sdedr:define-constant-profile-placement "Ohmic.s" "Ohmic" "Pl.ohmic.s" 0.002)

在Sentaurus TCAD的SDE（Structure Editor）中，上述代码段用于定义二维掺杂剖面，特别是为了形成欧姆接触（ohmic contacts）而设置的高掺杂区域。欧姆接触是半导体器件中的一种低阻抗电气接触，通常需要高掺杂来减少接触电阻并提高器件性能。

1. **定义高掺杂剖面**：
   - `(sdedr:define-constant-profile "Ohmic" "ArsenicActiveConcentration" 1E+21)`这一行定义了一个名为`"Ohmic"`的恒定掺

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矩形的左下角位于`(position (- Xgt.l LeftOV) Y0_AlGaN_1 0)`，即栅极左侧位置`Xgt.l`减去一个偏移量`LeftOV`和铝镓氮层顶部`Y0_AlGaN_1`的位置，右上角位于`(position (+ Xgt.r RightOV) (- Ytop 0.1) 0)`，即栅极右侧位置`Xgt.r`加上一个偏移量`RightOV`和`Ytop`位置减去0.1微米。这个矩形的材料被指定为`"Metal"`，并且它的标识名称为`"gate.metal"`。
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`Xmax`：定义了结构的最大水平尺寸，它是源区`Ls`、栅区`Lsg`、栅极`Lg`、栅极到漏极的距离`Lgd`和漏极`Ld`之和。- `Xdrn`：定义了漏极的位置，位于栅区右侧`Xgt.r`加上栅极到漏极的距离`Lgd`的位置。- `Xsrc`：定义了源区的中心位置，位于最小水平坐标`Xmin`加上源区长度`Ls`的位置。- `Xgt.r`：定义了栅区右侧的位置，位于栅区左侧`Xgt.l`加上栅极长度`Lg`的位置。- `Ytop`：定义了结构的最顶层的垂直坐标，这里设置为0.0。
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矩形的左下角位于`(position Xdrn Ytop 0)`，即漏极位置`Xdrn`和`Ytop`，右上角位于`(position Xmax Ycontact 0)`，即最大水平尺寸`Xmax`和`Ycontact`位置。这个矩形的左下角位于`(position 0 Ytop 0)`，即在原点处的`Ytop`位置，右上角位于`(position Xsrc Ycontact 0)`，即在源极位置`Xsrc`和`Ycontact`位置。代码还包含了一些布尔运算，用于创建最终的器件结构。
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