半导体随机存取存储器(RAM)
电信号的形式存储0/1,断电就丢失信息,易失性存储器
| SRAM(Static Random Access Memory) | DRAM(Dynamic Random Access Memory) | |
|---|---|---|
| 存储信息(0、1) | 触发器(双稳态) | 电容(充放电,读出后需要重新充电) |
| 破环性读出 | 非(读:“查看”触发器状态 写:改变触发器状态) | 是(读:连接电容,检测电流变化 写:给电容充/放电) |
| 需要刷新 | 不要(能保持两种稳定的状态) | 需要(电容上的电荷只能维持2ms) |
| 送行列地址 | 同时送 | 分两次送(地址线复用,线数减少一般) |
| 运行速度 | 快 | 慢 |
| 集成度 | 低(6个逻辑元件构成) | 高(1个或3个逻辑元件构成) |
| 发热量 | 大 | 小 |
| 存储成本 | 高 | 低 |
| 应用 | 常用作Cache | 常用作主存,SDRAM:同步动态随机存储器 |
来源:https://www.bilibili.com/video/BV1BE411D7ii?p=60
本文介绍了两种主要的半导体随机存取存储器(RAM)类型:静态RAM(SRAM)和动态RAM(DRAM)。SRAM速度快但集成度低,不需要刷新,常用于高速缓存;而DRAM集成度高、成本低,但需要定期刷新,通常作为主存使用。两者在运行速度、存储稳定性、发热量和成本等方面存在显著差异。
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