半导体随机存取存储器(RAM)

本文介绍了两种主要的半导体随机存取存储器(RAM)类型:静态RAM(SRAM)和动态RAM(DRAM)。SRAM速度快但集成度低,不需要刷新,常用于高速缓存;而DRAM集成度高、成本低,但需要定期刷新,通常作为主存使用。两者在运行速度、存储稳定性、发热量和成本等方面存在显著差异。

半导体随机存取存储器(RAM)

电信号的形式存储0/1,断电就丢失信息,易失性存储器

SRAM(Static Random Access Memory)DRAM(Dynamic Random Access Memory)
存储信息(0、1)触发器(双稳态)电容(充放电,读出后需要重新充电)
破环性读出非(读:“查看”触发器状态 写:改变触发器状态)是(读:连接电容,检测电流变化 写:给电容充/放电)
需要刷新不要(能保持两种稳定的状态)需要(电容上的电荷只能维持2ms)
送行列地址同时送分两次送(地址线复用,线数减少一般)
运行速度
集成度低(6个逻辑元件构成)高(1个或3个逻辑元件构成)
发热量
存储成本
应用常用作Cache常用作主存,SDRAM:同步动态随机存储器

来源:https://www.bilibili.com/video/BV1BE411D7ii?p=60

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