内存学习（3）：DRAM的基础存储结构（存储层级、读写过程，刷新与暂存）

1 DRAM背景简介

DRAM，全称为 Dynamic Random Access Memory ，中文名是“动态随机存取存储器”。所谓“动态”是和“静态”相对应的，芯片世界里还有一种 SRAM 静态随机存取存储器的存在。

笼统地说，DRAM 的结构比 SRAM 更简单，面积占用更小，适合制作大容量的存储芯片；而 SRAM 结构复杂一些，一般使用六个晶体管，面积消耗大，但是读写速度快，而且因为 SRAM 只用到晶体管，所以在工艺上和逻辑芯片相兼容，我们可以在逻辑芯片上直接集成 SRAM 。

因为 DRAM 结构简单、面积消耗小，所以一般用 DRAM 制作逻辑芯片外的大容量存储芯片，比如内存芯片。如果学过计算机组成或微机原理的相关内容，大家一定知道内存芯片和 CPU 是分离的，CPU 通过总线访问内存芯片，从内存芯片中读取数据，而这个内存芯片就是用 DRAM 制成的。

2 DRAM基本单元（Cell）

所谓 DRAM ，是指上图所示的一个电路，为了和 DRAM 芯片相区分，把图一的电路称作一个 cell 。图中的 CMOS 晶体管涉及到数字电路的知识。简单来说，CMOS 晶体管是一个电子开关，当给晶体管最上面的一端（称作栅极）加上电压或是取消电压，晶体管两端就可以流过电流。cell 中的小电容是存储信息的关键，小电容可以存储电荷，现在规定当电容存有电荷，cell存储比特信息“ 1 ”；当电容不存有电荷，存储比特信息“ 0 ”。

当要读取 cell 的存储值，首先打开电子开关（即晶体管），然后根据导通后的电容是否会进行充放电信息获得存储值。如果 cell 保存“ 1 ”，即电容存有电荷，那么当打开开关，电容就会放电；如果 cell 保存“ 0 ”，即电容不保存电荷，那么打开开关之后电容不会放电。

当要向 cell 中写入值，仍然先打开电子开关，然后在电子开关的另一侧施加电压。如果要写入“ 1 ”，则施加高电压，此时电流会通过晶体管向电容充电；如果要写“ 0 ”，则让电子开关另一端接地。施加电压一段时间后即可断开开关，此时 cell 已经保存好写入值，因为电容很小，所以施加电压的时间会很短。

2.1 Cell阵列

一个 cell 只能存储一比特信息，即“ 0 ”和“ 1 ”，为了存储大量信息，需要构建起 cell 阵列。cell 阵列的视觉图如上图。可以看到每行 cell 的晶体管的栅极都是连在一起的，即都连在字线上，这意味着给字线施加电压，字线对应的一行cell都会被打开。当一行 cell 被打开，cell 电容就会向位线充放电，一行中的每个 cell 都与一条位线直接相连，读取位线的电压变化，即可知道 cell 的存储信息。

• word line：字线（用来控制读取哪一个字，一个字是有若干个字节组成，由若干*8个位组成）。之所以叫字线，是因为给这根线通电，一行 cell 都会被打开，在计算机里八位等于一个字节，多个字节等于一个字，因此多个 cell 组合起来就是多个字，因为这根线可以打开多个字，所以叫字线
• bit line：位线。之所以叫位线，是因为在读取信息时，每一根线上的电压波动都代表一位比特信息，一根线代表一位，所以叫做位线

2.2 Cell阵列的读取

cell 的读取依靠小电容充放电，电容充放电导致位线产生电压波动，通过读取位线电压波动即可获取信息。小电容充放电所产生的电压波动是很微弱的，充放电所造成的电压波动的时间也是很短的，因此很难直接读取充放电信息，为此 cell 阵列的读取使用到了“ sense amplifier ”，即读出放大器。

读出放大器可以捕捉到微弱的电压波动，并根据电压波动的情况在本地还原出 cell 的电容电压，而且放大器内还有锁存器，可以把还原出来的电容电压值保存起来，这样一来 cell 保存的信息就从 cell 电容转移到了放大器本地。

每条位线都要接到一个放大器中，效果图如上。在读取 cell 行（之后也称作单元行）前，需要把每根位线都 precharge（预充电）到电容电压/供电电压最大值的一半，如果供电电压是 3 V，那么就预充电到 1.5 V。预充电完毕后打开字线，单元行中每个 cell 电容或是向位线放电，或是由位线充电。放电者位线电压上升一点，充电者位线电压下降一点。放大器可以捕捉位线上的电压波动，继而在本地还原、暂存对应 cell 电压。

在这里插入一些自己个人的理解：

• 如果存储值为0，没有电荷，预充到1.5V后，即使电容两段电压略高于0V，也一定进行充电。
• 如果存储值为1，存在电荷，