晶振电路的电容选择

石英晶振是一种由石英晶体材料制成的谐振器，也称为晶体振荡器。它利用石英晶体的压电效应，将外加的电场转化为机械振动，从而产生高频振荡信号。石英晶振在电路中作用是产生时钟，可以把石英晶振比喻为数字电路的心脏。这是因为数字电路的所有工作都离不开时钟信号，石英晶振直接控制着整个系统。

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晶振

学习笔记之——晶振选型主要参数和外接匹配电容的计算 1. 晶振选型主要参数介绍 我们常说的晶振，包含两种： 无源晶振(crystal) —— 即谐振器，内部没有独立的起振电路，需要借助时钟才能产生振荡信号，通常需要精准匹配外部电容，成本较低，信号质量较差，一般建议采用精度较高的石英晶体，多应用于对频率稳定性要求不高的产品中； 有源晶振（oscillator) —— 即振荡器，内部有独立的起振元件，需要外加额定的供电电源，成本较高，但输出信号质量好，稳定度高，多应用于需要高精度频率的产品中。

晶振（Crystal Oscillator）一般指石英晶体振荡器，主要由晶体和振荡电路组成，只需为其提供电源，它就能产生特定的波形输出(时钟信号)，是一种使用逆压电效应的电子振荡器电路；振荡电路的作用是将直流电源转换为交流电源，并驱动晶体产生振荡信号；晶振一般指有源晶振(或晶体振荡器)，英文名称是Crystal Oscillator。晶体谐振器(Crystal Resonator)，又称石英晶体，是一种利用石英晶体的压电效应，产生高精度振荡频率的电子元件，属于被动元件；

参数太多，看得头晕？新手小白晶振该如何选？一篇文章带你读懂晶振选型！

晶振电路中如何选择电容C1C2 （1）：因为每一种晶振都有各自的特性，所以最好按制造厂商所提供的数值选择外部元器件。 （2）：在许可范围内，C1,C2值越低越好。C值偏大虽有利于振荡器的稳定，但将会增加起振时间。 （3）：应使C2值大于C1值，这样可使上电时，加快晶振起振。 在石英晶体谐振器和陶瓷谐振器的应用中，需要注意负载电容的选择。不同厂家生产的石英晶体谐振器和陶瓷谐振器的特性和品质都

晶振电路中如何选择电容C1，C2？ （1）：因为每一种晶振都有各自的特性，所以最好按制造厂商所提供的数值选择外部元器件。 （2）：在许可范围内，C1,C2值越低越好。C值偏大虽有利于振荡器的稳定，但将会增加起振时间。 （3）：应使C2值大于C1值，这样可使上电时，加快晶振起振。 在石英晶体谐振器和陶瓷谐振器的应用中，需要注意负载电容的选择。不同 厂家生产的石英晶体谐振器和

为了避免这些问题，设计晶振电路时应根据晶振的规格书和实际需求来选择合适的外接电容值。只有选择了合适的外接电容值，才能保证晶振电路的正常工作和电路的稳定性。如果电容值过小，晶振的频率稳定性会下降，容易受到外部因素如电源电压波动和温度变化的影响。在电子设备中，晶振电路负责提供稳定的时钟信号，这对于电路的同步和正确操作至关重要。不恰当的电容值可能会增加电路的功耗。电容值过小会导致电路中的电流增大，电容值过大则可能使晶振的工作电压增加，从而增加功耗。错误的电容值可能会引入额外的噪声或干扰，影响电路的性能。

从0开始，手摸手带你入门STM32最小系统板之绘制原理图(1)器件选型

Flash 属于广义的 EEPROM，因为它也是电擦除的rom。与EEPROM不同，flash擦除时不再以字节为单位，而是以块或页为单位，速度更快。任何 flash 器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。Flash有Nor Flash和Nand Flash两种Memory从最初的SDRAM到DDR、 DDR2、 DDR3再到DDR4， 都与SDRAM有着密切的联系。

晶振X1、外部负载电容CX1、CX2构成震荡电路。由于晶振在谐振时呈感性，因此可以看作是电容三点式震荡电路，电路中的X1、CX1、CX2为串联关系，晶振的负载电容计算方式为：

对于STC89C52系列单片机的最小系统：电源电路、复位电路、晶振时钟电路 该单片机就可正常工作，下载电路可随自己要求添加。 对于晶振两旁的电容选择，当晶振为4MHz时，电容选100pF；当晶振为6MHz时，电容选47pF-100pF；当晶振为12-25MHz时，电容选47pF； ...

晶振选型需要注意哪些事项？-台湾TST嘉硕

在电路图的设计过程中我们经常会遇到一个非常常见与实际的问题，那就是MCU的心脏——晶振，它所匹配的电容该选多大呢？前辈们给我们的经验是22pf或者是6.8pf，那为什么选这样的值呢？让我们来看看吧。 这里涉及到晶振的一个非常重要的参数，即负载电容CL（Load capacitance），它是电路中跨接晶体两端的总的“有效”电容（不是晶振外接的匹配电容），主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻，与晶...

晶振电路的电容匹配 author：onceday date：2022年5月9日 对于常见的MCU，其晶振电路的形式基本如下： 图1.1 典型的晶振电路图 其中需要计算的是CL1和CL2这两个参数，它们的大小通常取为相似的。 下面是一个立创商城典型的晶振，与CL1和CL2有关的是便是负载电容12pF了。 [外链图片转存失败,源站可能有防盗链机制,建议将图片保存下来直接上传(img-IRNf8m1F-1652083072813)(image-20220509124956707.png)] 一般而言，RF电阻，单

很多人在晶振选型时只关注频率，那其他还有什么参数是需要主要的吗？本文主要针对无源晶振的选型依据进行了介绍。 晶振选型主要考虑频率、精度、Gmcrit 频率：要匹配主芯片的使用频率； 精度：一般有常温频差，如±50ppm；还有老化率，如±20ppm/year； gmcrit：​​​​​​​ gmcrit是晶振本身的参数，其中ESR为晶振的等效串联电阻（单位Ω）；F为频率（单位MHz）；C0为静态电容（单位为pF），CL为负载电容（单位为pF），Gmcrit(A/V) 另外，​​​​​​​.

作者：AirCity 2019.11.2 Aircity007@sina.com 晶振分类 晶振，即晶体振荡器。按照工作原理，可将其分为晶体（Crystal）和振荡器（Oscillator）。两者的却别很简单，Oscillator=Crystal+信号调理单路，振荡器只要供电就可以直接输出方波信号，下图是两种晶振的原理图符号。 Crystal就是我们平常说所的无源晶振，Oscillator是我...

本文主要解决以下几个问题： 1）晶振选型有哪些考虑？ 2）稳定度、准确度和长期稳定度的区别是什么？ 3）晶振摆放在什么位置最好？ 4）晶振的PCB布局&布线有哪些考虑？ 5）晶振供电有哪些考虑？ 6）OCXO的启动功率 (电流) 和稳定功率 (电流) 的关系？ 7）高稳晶振能用风扇吹吗？ 8）VCXO的控制电压和频率有什么关系？ 目录 1. 晶振选型有哪些考虑？ 1....