霍尔电流传感器基本原理

本文介绍霍尔电流传感器基本原理。

1.霍尔效应

霍尔效应是由带电粒子（如电子）相应电场和磁场的相互作用引起的。如下动图所示。在垂直方向磁场的作用下，给半导体元件加上恒定的电流，半导体中的空穴会受到洛伦兹力的作用，根据左手定则，空穴向垂直于磁场和电流方向的平面移动，而电子则相向相反方向移动。从而在这2个平面上形成电场。用电压表可以测量出电场的强度。

霍尔电压（）的大小，可按如下公式描述：

其中，

1)I为流过半导体元件电流大小

2)B为垂直方向的磁感应强度

3)q为载流子的电荷量，对于电子，其电荷量为-e（e为元电荷）

4)n为载流子的密度

5)半导体元件的厚度

从公式可知，在I，B，q，n一定的情况下，霍尔电压（）的大小和磁感应强度B成正比例关系。

2.霍尔电流传感器

1)开环

原理：原边电流产生的磁通集中在磁芯中，并通过霍尔元件在气隙中进行检测。如下图所示。由于采用直接测量，因此也被称为开环电流传感器。

开环电流传感器使用最简单的霍尔效应，可提供体积小、重量轻、性价比最优的电流测量解决方案，同时功耗也非常低。

其中，

a)磁芯的作用为增强磁感应强度。

b)霍尔电压（）经差分放大器放大后输出。

优点：

a)可测量直流、交流和复杂电流波形，同时提供电气隔离。

b)插入损耗非常低，由于磁芯磁化，产生的偏移（称为剩磁或磁偏移），初级电流过载很容易处理。

c)成本低、体积小、重量轻和功耗低。

缺点：

开环电流传感器的局限性在于中等带宽和响应时间，温漂较大，以及对功率带宽的限制。

应用：

开环电流传感器可用于多种应用中，作为控制回路（例如电流、扭矩、力、速度或位置）的关键元件，或者驱动电流显示。

注意：

a)图示中省略了通过半导体元件的恒流源。

b)通往长直导线电流产生的磁感应强度可按如下公式计算：

其中，为真空磁导率，r为距离导线的距离，I为电流。可见，在距离一定的情况下，磁感应强度（B）和电流成正比。进而，结合1中公式，可知霍尔电压（）与电流成正比。

2)闭环

原边电流产生的磁场与副边线圈电流产生的互补磁场相平衡。霍尔元件与辅助电路产生副边补偿电流，精确地反映原边电流变化。如下图所示。换句话说，通过给线圈通电流在磁芯上产生一个抵消原边电流的磁场，使其总的磁场为0（霍尔电压（）为0），这个时候通往线圈的电流强度和原边电流成一定的比例关系。

与开环电流传感器相比，霍尔闭环电流传感器（也称为霍尔效应 "补偿 "或 "零磁通 "传感器）具有一个补偿电路，可显著提高性能。

其中，

a)补偿电流可通过电阻转换成电压输出，也可经长线传输（电流信号相比电压信号更适合），在终端转换为电压。

b)补偿电流大小与原边电流成正比例关系。

优点：

a)可测量直流、交流和复杂电流波形，同时确保电气隔离。

b)精度和线性度非常好、温漂小、带宽宽、响应时间快。

c)采用电流输出，易于长线传输，非常适合高噪声环境。

d)插入损耗非常低。

缺点：

副边电流损耗大（必须提供补偿和偏置电流）、尺寸较大（在大电流传感器上更为明显）、结构比简单的开环设计更为昂贵，以及输出和副边线圈电阻上的内部压降导致输出电压有限。

应用：

闭环电流传感器非常适合高精度、宽带宽和快速响应时间的应用。它们通常用作控制回路关键元件的电流、扭矩、力、速度和/或位置控制，也可用于保护半导体器件。

注意：

参见开环电流传感器。

参考文档：

LEM相关文档，网址：Experts in current measurement | Current sensor manufacturer

总结，本文介绍了霍尔电流传感器基本原理。