【辐射】伽马辐射对GaN-on-Si MIS-HEMT 的影响

2025 年 5 月 24 日，中国台湾阳明交通大学的 Tian-Li Wu 等人在 IEEE 会议上发表了题为《Comprehensive Analysis of DC, Pulsed, and RF Performance of Submicron GaN-on-Si MIS-HEMTs Under Gamma Radiation》的文章，基于实验研究方法，研究了伽马辐照对硅基 GaN 器件直流、脉冲和射频性能的影响。实验对总剂量达 100 kGy 的 GaN-on-Si MIS-HEMT 进行分析，结果表明直流性能中漏极电流、跨导等增强，接触电阻和薄片电阻降低，击穿电压提高；脉冲 I-V 测量显示阈值电压变化小、电流崩溃减少；射频性能的小信号和大信号参数均改善。该研究结果对 GaN 器件在恶劣环境和太空应用中的可靠性提升具有重要意义。

一、引言（Introduction）

（一）研究背景

随着科技的不断进步，半导体器件在各个领域中的应用日益广泛，尤其是在太空探索和通信技术中，对高性能、高可靠性的半导体器件的需求愈发迫切。传统硅基半导体器件在面对高能辐射等恶劣环境时，往往会出现性能退化甚至失效的情况，这极大地限制了它们在太空等极端环境中的应用。而氮化镓（GaN）作为一种宽禁带半导体材料，因其具有优异的高温耐受性、高击穿电压和高饱和电子速度等特性，逐渐成为先进空间射频应用的理想选择。与传统硅器件相比，GaN 器件能够在更恶劣的环境下保持较好的性能稳定性，展现出巨大的应用潜力。

（二）研究目的与意义

本研究旨在深入探究伽马辐照对硅基 GaN 金属 - 绝缘体 - 半导体高电子迁移率晶体管（MIS-HEMT）的直流（DC）、脉冲和射频（RF）性能的综合影响。通过系统地研究伽马辐照