NAND　FLASH分区规划

网络上看到的一个网友提问的解答：回复: u-boot 启动内核问题引用:1.如何对nand 分区。修改mtdparts环境变量就可以了么？对于目前的U-boot而言,是的.而且, 设置了mtdparts变量之后,你可以在nand read/write/erase命令中直接使用分区的名字而不必指定分区的偏移位置.set bootargs noinitrd console=

cat /proc/mtd flash_eraseall /dev/mtd6 nandwrite -p /dev/mtd6 kernel

本文深度解析了Zynq嵌入式Linux开发中的存储布局问题，重点讲解了NAND Flash分区和DDR内存分配的优化策略。针对NAND Flash，文章推荐了标准分区方案（boot/bootenv/kernel/rootfs/data）并详细说明了PetaLinux配置方法；对于DDR内存，强调了如何通过设备树reserved-memory节点为PL端保留专用区域，防止PS和PL内存冲突。文章还系统梳理了从NAND到DDR的数据启动流程，帮助开发者解决"Bad Magic Number"

从以上两图中看出u-boot与Linux内核修改后的分区，调整后的rootfs为128MB（0x08000000 byte），新增的分区ubi_volume为100MB（0x6400000 byte）、userdata为373MB（0x17580000 byte）。从以上两图中看出u-boot与Linux内核修改后的分区，调整后的rootfs为128MB（0x08000000 byte），新增的userdata分区为373MB（0x17580000 byte）。添加“userdata”分区，使用剩余容量。

我的nand flash 32M，kernel 2.6.18, rootfs is emb linux, cramfs. nand flash分区如下： static struct mtd_partition nand_partitions[] = { /* bootloader (UBL, U-Boot, BBT) in sectors: 0 - 14 */ { ...

所以是不是自动分区，就是写死在uboot里，mtdparts，uboot在ddr起来后，就可以根据这份表，自动进行分区，并读取外插入的sd卡，烧录uboot，kernel，fs到对应的分区。如下mount /dev/mmcblk0p1 /vm1这种，mmcblk0p1 是没有烧录镜像的，否则挂载写了文件，保存了会破坏掉分区uboot的，如果不是玩，是不允许这么玩的，kernel启动后，应该也是不允许这么挂载uboot分区，mmcblk0p1应该是uboot分区。关于原理前面文章有详细说明。

NandFlash的分区实现提到分区就需要知道MBR，了解分区表。什么是MBR     硬盘的0柱面、0磁头、1扇区称为主引导扇区，NANDFLASH由BLOCK和Sector组成，所以NANDFLASH的第0 BLOCK，第1 Sector为主引导扇区，FDISK程序写到该扇区的内容称为主引导记录（MBR）。该记录占用512个字节，它用于硬盘启动时将系统控制权交给用户指定的，并在分区表中登记了的某个操作系统区。 MBR的组成一个扇区的硬盘主引导记录MBR由如图6-15所示的4个部分组成。主引导程序（偏移地

Kernel中的NAND FLASH分区NAND FLASH规划分 区 地址范围 扇区范围 大 小 用 途Bootloader 0x0000 0000 ~ 0x0018 0...

Kernel中的NAND FLASH分区NAND FLASH规划分 区 地址范围 扇区范围 大 小 用 途Bootloader 0x0000 0000 ~ 0x0018 0...

今天做内核移植，准备添加NAND flash的驱动，做到MTD分区时，想起在一本书上看到的一句话，说的是分区时每个区之间没有间隙，前一个区的结束地址是后一个区的起始地址。可是当我看我的开发板的教程时，分区如下： static struct mtd_partition smdk_default_nand_part[] = { [0] = { .name = "uboot", .offset = 0x00000000, ...

关于nand的分区日志。1：开发简介首先需要理解的是nand的分区操作是一个怎么样的过程。基本上具体的操作都用到了微软所写的规范库，在public下的文件目录下有源码可循。主要是以BP开头的函数。主要在bootpart.cpp这个文件中可以寻找到。对于一下的看发抖是我自己对于程序的理解，难免会有很多错误。希望能在以后能逐步的改正和理解。2：开发的准备知识。其实对于这项开发的知识涉及的范围很广。如果

这里的分区只是为了操作的方便。 假设有个分区 kernel，其地址区间为 0x20000~0x320000，其大小为 0x300000在没有分区的情况下，对这块区间的操作如下：nand erase 20000 300000 nand write 20000000 20000 300000 nand read 20000000 20000 300000 擦除操作写操作读操作而有了分区的情况下，操作将...

飞思卡尔在arch/arm/mach-mx5/mx53_ard.c中定义了nand flash的分区信息，如下： 因为mx53 ROM需要FCB/DBBT结构信息来支持从NAND分区启动，所以需要在Nand启动分区中更多的空间存储这些参数。 Partitions       Offset       Size       Address Range

只是记录自己的理解，难免有些错误，有时间会补充和更正。 以某具体 android 设备为例(Cortex A9双核 + 4GB iNand + 1GB DDR3)， 记录获取该设备存储分区信息的方法，获取驱动设备信息，主要让大家有一个形象的认识，不涉及驱动具体实现（据说4层）； 本文是从iNand存储的角度出发理解分区信息(YAFFS2)，涉及到基于RAM的文件系统(EXT4,VFS)，

提到分区就不得不提到MBR，不得不提到分区表。什么是MBR硬盘的0柱面、0磁头、1扇区称为主引导扇区，NANDFLASH由BLOCK和Sector组成，所以NANDFLASH的第0 BLOCK，第1 Sector为主引导扇区，FDISK程序写到该扇区的内容称为主引导记录（MBR）。该记录占用512个字节，它用于硬盘启动时将系统控制权交给用户指定的，并在分区表中登记了的某个操作系统区。 

参考： https://zhidao.baidu.com/question/432878013833222444.html http://blog.chinaunix.net/uid-28236237-id-4164656.html https://blog.csdn.net/xiaoxiaozhu2010/article/details/18087197 1. 新增NAND MTD分区 1） 设备树中修改： arch\arm\boot\dts\at91-sama5d27_som1_ek.dts 2） 系

  NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。　　相“flash存储

一、Nand Flash简介2017/12/22 23:19 *1.Flash：NandFlash、NorFlash * ● 优点：容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储 ● 缺点：时序复杂，无坏块处理机制，接口不统一 ● NandFlash：MLC（可靠性差，容量大）、SLC（可靠性高、容量小） ● 现在基本都在发展MLC技术二、Nand Flash存