【数字后端设计--PA分析】芯片设计中的IR drop是什么？

原创 已于 2022-09-14 14:38:38 修改 · 4.6k 阅读 · 27
于 2022-09-13 18:08:46 首次发布
本文探讨了IRDrop现象，即电流I通过增加的电阻R导致电源VDD与地VSS之间的电压变化。着重于芯片封装中的电压降问题，随着工艺进步带来的电阻增长，对IC后端设计工程师的挑战。

什么是IR Drop？

I：电流

R：电阻

IR Drop是指出现在电源(VDD)和地(VSS)网络上电压下降或升高的一种现象。

指从芯片源头供电到Instance所消耗的电压，对于 Flipchip 封装形式，就是从Bump到Instance PG Pin的电压降。

随着工艺制程不断演进，金属宽度变小、金属层数增加，引入电源网络的电阻明显增加，IR问题也尤为突出。

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#后端 #arm开发 #硬件工程
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IR Drop 、EM、Noise 和Antenna
sinat_41774721的博客
07-21 1万+
动态IRDrop产生原因是电源在电路开关切换的时候电流波动引起的电压压降,发生在时钟的触发沿，时钟沿跳变引起大量晶体管开关，带来组合逻辑电路跳变，使芯片短时间内产生很大的电流。在分析noise时，将产生noise信号源的网络称为侵害net，受到串扰的网络称为受害net。这种方法通过改变金属布线的层次来解决天线效应，但同时增加了通孔，由于通孔的电阻会直接影响到芯片的时序和串扰问题，所以严格控制布线层次变化和通孔的数量。随着工艺技术的发展，栅的尺寸越来越小，金属的层数越来越多，发生天线效应的可能性就越大。...
芯片设计IR-Drop介绍
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01-13 3244
在深亚微米下，如果power network做的不够好，然后碰上了很不好的case，IR drop在某个局部区域特别大（特别是动态IR drop），从而导致STA阶段signoff的timing 与实际情况不一致（考虑OCV仍然无法cover design的要求），导致setup或者hold的违例。这种现象产生在时钟的触发沿，时钟沿跳变不仅带来自身的大量晶体管开关，同时带来组合逻辑电路的跳变，往往在短时间内在整个芯片上产生很大的电流，这个瞬间的大电流引起了IR drop现象。IR drop主要分为两种。
第8讲：基于CST PCB Studio的电源完整性仿真（IR Drop + PDN）
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一只豌豆象的博客
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本文系统介绍了电源完整性（PI）仿真的两大核心模块：直流IRDrop仿真与交流PDN阻抗仿真。文章详细阐述了两种仿真的原理、算法（PEEC和3DFE-FD）及完整操作流程，包括参数配置、软件实操步骤和常见问题解决方案。IRDrop仿真用于分析直流供电压降问题，PDN仿真则针对高频电源噪声和谐振问题。文中还提供了优化建议和故障排查方法，如调整铜箔厚度、优化电容布局等，为高速数字系统的电源完整性设计提供了全面的技术指导。（149字）
数字后端设计必看：如何用PA分析工具快速定位IR Drop问题？
weixin_29224309的博客
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本文为数字后端设计工程师提供了一份实战指南，重点讲解如何运用PA分析工具快速定位并解决芯片设计中的IR Drop问题。文章深入剖析了IR Drop的静态与动态成因，详细介绍了构建精准分析环境所需的输入文件与场景设置，并通过实战操作演示了如何运行分析、解读电压热力图与波形图，最终给出诊断根因与优化电源网络的具体策略，助力提升芯片电源完整性。
【面试题】芯片中的IR drop现象是什么？
moon9999的博客
07-27 2031
动态IR drop： 动态IR drop是指在芯片在工作时，由于电流瞬时变化（如频繁的时钟上升沿或数据传输），导致电压瞬时下降的现象。这些场景中的电流瞬时变化会导致电源供应路径上的电压下降，因为芯片的电源线和地线都具有一定的电阻和电感。综合来说，静态IR drop是芯片在稳态运行时的电压下降，而动态IR drop是芯片在动态工作过程中由于瞬时电流变化引起的电压下降。优化设计结构：在设计阶段，考虑到动态IR drop问题，可以对电路结构进行优化，减少逻辑门之间的电流瞬变，从而降低动态IR drop的影响。
IR Drop电压降
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好的电源网络电流分布均匀，电源网络有一组以芯片中心等电位的同心圆，最大的电压降在芯片中心，IR Drop的peak值比average值大很多，peak值一般发生在worst-case下的门的开关活动。静态电压降式设计的平均电压降，平均电流取决于时间周期，在老工艺节点电源网络及未进行开关活动的逻辑电路的耦合电容的分析是有效的。电源网络提供的电流（di/dt）;电源/地的pad放置不合理，block放置错误，全局电源布线太差，电源环不足，电源条线宽度不足，电源条线数不足，via缺失，电源Pad的数量不足。
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weixin_42754727的博客
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​ IR这个词并不是什么缩写，这里的I就是指电流，R是指电阻，他们放在一起相乘，得出来的结果就是电压。所以说IR drop就是指电压降，哈哈，刚接触芯片后端会看到太多缩写，突然来个IR一时会反应不过来是电压。​ 所谓电压降，就是指从芯片源头供电到instance所消耗的电压，对于flipchip封装形式，就是从bump到instance PG pin的电压降。Instance实际得到的电压就是供电电压减去电压降的部分。
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IR这个词并不是什么缩写，这里的I就是指电流，R是指电阻，他们放在一起相乘，得出来的结果就是电压。所以说IR drop就是指电压降，哈哈，刚接触芯片后端会看到太多缩写，突然来个IR一时会反应不过来是电压。 所谓电压降，就是指从芯片源头供电到instance所消耗的电压，对于flipchip封装形式，就是从bump到instance PG pin的电压降。Instance实际得到的电压就是供电电压减去电压降的部分。比如bump接的外界输入电压Vdd 5V，Vss 0V，这个bump的电压到某一个instan
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