> 晶体管四种工作状态:放大、饱和、截止、倒置
> 静态分析:定量分析晶体管处于何种工作状态


注意:不安全区暂时不用关注,倒置状态暂时也可以不关注
放大区:之所以称为放大区,因为在这个区域,iB 与iC满足放大beta倍的关系,这是表面现象;所谓的正偏/反偏是发射结和集电结(都是PN结)的偏置情况
(1)以NPN为例,晶体管的基极和发射极之间是一个PN结(B -> E),当Vb > Ve时,内部PN结就正偏(PN结内部的内电场被削弱,多子的漂移运动加强,电子和空穴流动的更加欢畅,类似导通),由于是双极型器件,所以内部的载流子是自由电子和空穴,正偏时,电流方向B>E,自由电子运动方向为E>B
(2)晶体管的基极和集电极之间是一个PN结(B -> C),当Vc > Vb时,内部PN结就反偏(PN结的内电场被加强,少子的漂移运动加强),内部载流子之电子的运动方向是B&g

本文详细介绍了晶体管的放大和饱和工作状态,重点分析了NPN型晶体管的静态工作点。在放大区,iB与iC满足放大倍数关系;进入饱和区时,UCEQ小于UCES,且发射结和集电结均正偏。判断工作状态的关键在于静态工作点的计算和比较。此外,文章提供了如何通过改变电路参数进入饱和区的方法,并提及了戴维宁等效的应用。

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