[RK3399][Android7.1] 调试笔记 --- 调整eMMC时钟速率

1.分析起因: 在开发过程中，在打算更换一个emmc(16G的容量储存)物料时候，发现该物料烧录固件的时候速度十分慢。后来通过android bench的性能测试工具发现两者存在明显的速度差异。 (1)烧写固件速度正常的emmc测试速度如下图： (1)烧写固件速度异常的emmc测试速度如下图： 从上面看出明显，在软件相同的情况下，在顺序写的时候，烧写固件速度异常的emmc的写速度比烧写固件速度正常的emmc慢了四倍。 因此可以得出结论:烧写固件速度异常的emmc有问题，应该是该物料不合格，后来询问物料来

---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 开发板 ：NanoPC-T4开发板eMMC ：16GBLPDDR3 ：4GB 显示屏 ：15.6英寸HDMI接口显示屏u-boot ：2023.04...

RK3399 EMMC的驱动能力可以通过如下代码修改： 上面代码中的可以根据实际需求改为下面的其他阻抗值： 驱动阻抗越小驱动能力越大

1，可以修改平台端 eMMC总线工作模式配置，在kernel工程dts文件，默认配置为最高HS400 模式打开Enhanced Strobe。2，限制总线模式最高HS400 400MB/s，关闭Enhanced Strobe。4，限制总线模式最高High Speed DDR 104MB/s。5，限制总线模式最高High Speed SDR 52MB/s。3，限制总线模式最高HS200 200MB/s。eMMC降速怎么修改。

单板计算机（SBC）作为嵌入式开发的核心硬件平台，通过集成处理器、内存和各类接口实现紧凑型计算解决方案。其工作原理基于SoC芯片的异构计算架构，如ARM big.LITTLE设计，能动态调配高性能与高能效核心资源。这类技术在物联网和边缘计算领域具有重要价值，可支撑从智能家居控制到工业自动化等多样化场景。以ASUS Tinker Board 2S为例，该开发板搭载Rockchip RK3399六核处理器，配备双频WiFi5和USB3.0接口，特别适合需要稳定商业支持或多屏显示的项目开发。通过优化散热管理和电源

-----网上看过大部分的案例在恩山论坛比较常见，主要原因是EMMC模块存在硬件瑕疵，因此容易在CPU满载时，温度过高导致死机，主流的解决方案是降频。看门狗设置较为复杂，建议观看官方教程。

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先前使用3559开发板时，一直没觉得emmc会是个问题，但是最近一个国产化的项目中3559配合的是一款国产128G的emmc，因为板上面积限制，走线有点限制，导致uboot启动emmc有时候会失败。

eMMC的英文全称是Embedded Multi Media Card，即嵌入式多媒体卡（又叫嵌入式存储卡），eMMC是MMC协会所订立的内嵌式存储器标准规格，主要是针对手机或者平板电脑为主，是一种非易失性的存储器件。eMMC采用统一的MMC标准接口，把高密度的NAND Flash以及Device Controller（也叫Flash控制器）封装在一颗BGA芯片中，从而减少了对PCB主板空间的占用。

一般情况下我们项目中都是会支持到HS400 8bit 1.8V，最大时钟频率为200MHZ，通讯速率可达400MB/s, 双边沿采样。

RK3399的CPU采用big.LITTLE大小核架构，双Cortex-A72大核+四Cortex-A53小核结构，对整数、浮点、内存等作了大幅优化，在整体性能、功耗及核心面积三个方面都具革命性提升。 RK3399的...

本文将深入探讨eMMC协议的读写操作，并提供相应的源代码示例，以帮助您更好地理解和应用eMMC。它采用了统一的接口和通信协议，通过总线来实现数据的读写操作。请注意，以上代码示例仅为演示目的提供，具体实现需根据您的嵌入式系统和编程环境进行适当修改。数据传输是eMMC读写操作的核心部分。在进行数据传输之前，需要发送相应的命令，以告知eMMC设备要进行的读写操作类型和相关参数。eMMC的读写操作主要包括初始化、数据传输和结束三个步骤。在完成数据传输后，需要进行相应的结束操作，以释放资源并确保数据的完整性。

SK hynix e-NAND由NAND flash和MMC控制器组成。 e-NAND具有内置的智能控制器，用于管理接口协议、磨损均衡、坏块管理、垃圾收集和ECC。e-NAND保护数据内容免受主机突然断电故障。 e-NAND兼容JEDEC标准的eMMC5.1规范。 一、概述 •总线模式 -数据总线宽度：1位（默认），4位，8位 -数据总线宽度：1位（默认），4位，8位 -MMC开关时钟频率：0~200MHz -MMCI/F启动频率：0~52MHz•电压范围 -Vcc(NAND)：2.7V-3.6V -Vc

是一种广泛应用于嵌入式系统的存储设备，具有高性能和可靠性。在本文中，我们将详细介绍eMMC协议中的两种高速模式：HS（高速）和HS400（高速400）。通过适当配置eMMC设备和控制器，可以实现更高的数据传输速度和性能。请注意，以上示例代码仅用于演示目的，实际应用中需要根据具体的eMMC设备和控制器进行适当的配置。希望本文对您理解eMMC协议中的高速模式有所帮助。b. 配置eMMC控制器以使其支持HS400模式。a. 配置eMMC设备的时钟频率和电压范围。eMMC协议中的HS和HS400模式为。

eMMC总线速率共有5种模式： 兼容模式 兼容模式主要用于eMMC卡同低于MMC5.1协议或更低协议的卡进行通讯（大于4.0协议），时钟速度最高为26MHz 高速SDR模式 采用单数据速率模式，时钟频率最大52MHz，数据传输速率最大52MHz 高速DDR模式 采用双数据速率模式，时钟频率最大52MHz，数据传输速率最大104MHz HS200模式 SDR数据采样方法 时钟频率高达200 MHz，数据速率高达200 MB / s 支持4位或8位总线宽度 支持1.8 V和1.2 V的信号电平 HS40

general purpose partions 通用分区：允许使用class 0，2，4，5，6这五类命令。每一个分区对应的写保护可以单独设置，因此呢，host 可以在每个写保护组中分别设置不同的写入保护类型。user data area 命令 --》增强用户数据区域5.扩展分区属性每个general purpose partition 都拥有一个扩展分区属性：Default 默认属性： 未进行扩展的System code 系统编码：很少更新改动且包含重要系统文件的分区。

上面的方向是对emmc颗粒而言的DS在hs400和hs400es模式下使用。其中emmc5.1才支持hs400es，对主机的数据读来说，采用的是DS的双沿，主机crc读和cmd读（只有hs400es支持）只是上升沿采样常规的VCC是3.3V电压，VCCQ是1.8V电压在上电或者复位后，只有DATA0用于数据传送，其他数据需要配置能用。

在eMMC的HS400模式中，CLK（时钟信号）是由主控制器提供的。CLK信号用于同步数据传输，其频率可以在52MHz至200MHz之间。在HS400模式下，数据传输通过DDR（双倍数据速率）技术实现，允许在时钟的上升沿和下降沿都进行数据传输，从而提高了数据传输的速度。HS400和HS400 ES是eMMC协议中的两种不同的高速模式，主要用于嵌入式系统中的数据存储和传输。HS400 ES是HS400的增强版本，提供了更高的性能和更多的功能。