4、忆阻器仿真器的设计与实现

忆阻器仿真器的设计与实现

1. 忆阻器建模框架

在研究忆阻器及呈现忆阻行为的电路时，通量 - 电荷（ϕ - q）域的理论框架展现出独特优势。根据相关分类，忆阻器可分为理想忆阻器、通用忆阻器和扩展忆阻器三类。

扩展忆阻器是最通用的一类，具有额外的状态变量（除了 ϕ 和 q）。对于通量控制的扩展忆阻器，其行为由以下方程描述：
- (i = G(\phi,v,x) \cdot v) （2.1）
- (\dot{x} = g_{\phi}(\phi,v,x)) （2.2）
- (\dot{\phi} = v) （2.3）

其中，非线性电导 (G) 代表扩展忆阻器的逆忆阻 (M)，(v) 是施加到忆阻器的电压，(\phi) 是通量或电压的一阶矩，(x) 表示一组额外的状态变量，如内部温度、导电丝半径等。

此外，还定义了拉格朗日量 (L) 和雅可比矩阵 (J)：
- (L(\phi,v,x) = \frac{\partial f(\phi,v,x)}{\partial v}) （2.4）
- (J(\phi,v,x) = [\frac{\partial f(\phi,v,x)}{\partial x_1}, \cdots, \frac{\partial f(\phi,v,x)}{\partial x_n}]) （2.5）

一个合适的忆阻器仿真器电路需要将额外的状态变量映射到电路内部的电气变量，这些变量用于修改仿真电路的电阻值。如果没有寄生效应，扩展忆阻器可以简化为通用忆阻器；理想忆阻器则是不依赖其他状态变量的通用忆阻器。

特殊情况下，方程（2.2）被称为断电图（POP）方程，用于确定