Autosar架构---深度探索存储相关内容

1.整个AUTOSAR存储软件栈从上到下

应用层 (ASW)：提供具体的业务逻辑。

NvM：管理非易失性数据的存储。

🧱 1. NVRAM块管理

• 功能描述: NvM管理的最小数据单元称为NVRAM块（NvM Block），其组成包括：

  • NV块 (NV Block)：位于非易失存储器中，保存数据本体。

  • RAM块 (RAM Block)：NV块在RAM中的镜像，供应用快速读写。

  • ROM块 (ROM Block)：存储NV块损坏时的默认值。

  • 管理块 (Admin Block)：在RAM中存储块的状态、ID等信息，对上层不可见。

🗂️ 2. 三种块管理类型

NvM支持三种数据管理类型，以满足不同场景的安全与冗余需求。

• Native类型：包含1个NV块和1个RAM块，无数据冗余，适用于一般数据。

• Redundant类型：包含1个RAM块和2个独立的NV块。在数据损坏时，NvM会尝试从另一个副本恢复，适用于关键数据。

• Dataset类型：包含1个RAM块和最多255个NV块，可同时管理多组数据（如不同车型的配置参数），运行时通过NvM_SetDataIndex切换。

🔒 3. 数据完整性与保护

• CRC校验与冗余存储：NvM支持对数据进行可配置的CRC校验，并可选择Redundant类型进行双备份存储，以应对存储介质物理损坏。

• 优先级任务队列：NvM引入了优先级机制，当启用NvMIrPriorityQueue配置后，会形成“立即写优先级队列”和“标准FIFO队列”，确保高优先级请求（如碰撞数据）能被优先处理。

• 数据同步与作业通知：NvM采用异步机制处理耗时操作，并通过回调函数在作业完成后通知上层。

🧵 4. 同步与访问机制

• 数据同步: 隐式同步（NvM_WriteBlock）和显式同步（NvM_WritePRAMBlock）机制，在系统启动和关闭时自动同步数据。

• NvM与其他模块的接口交互: 向下通过MemIf与Fee/Ea交互，向上通过客户端-服务器接口（如NvMService）为应用层提供服务。

• 错误处理: 完善的恢复机制，支持从冗余副本或ROM默认值进行恢复，并提供详尽的回调通知。

MemIf：提供统一的存储访问接口。

Fee / Ea：实现EEPROM模拟等功能。

主要实现了用Flash模拟Eeprom的核心功能。

Flash 的擦写次数有限，Fee 模块通过以下机制来均匀分布写入操作，延长 DFLASH 的使用寿命。

• 磨损均衡：通过动态地址映射，每次写入都尽量使用擦写次数较少的物理区域。

• 垃圾回收 (GC)：当一个扇区的无效数据过多，可用空间低于阈值时，Fee 会触发 GC。其过程是：将所有有效数据复制到另一个扇区，然后整体擦除原扇区，使其可以再次被用于追加写入。这就完成了对存储空间的“整理”，为下一轮写入做好了准备

• 职责：通过追加写入、动态地址映射、双扇区轮换和垃圾回收，将 Flash 模拟成 EEPROM。

• 在磨损均衡中的实现（分阶段说明）：

  常规写入阶段：

  • 维护两张表：地址映射表（逻辑块 ID → 物理地址）和 扇区状态表（记录当前激活扇区、空闲页指针）。

  • 收到 Fee_Write 请求后：

    • 在激活扇区（Active Sector）中找到下一个空闲页（该页在扇区整体擦除时已被预先清空）。

    • 将数据连同 Block ID 和 Cycle Counter（写入计数） 写入该页。

    • 更新地址映射表，使该逻辑块 ID 指向新的物理页。

    • 将旧物理页标记为无效（invalid）。

  触发换页（垃圾回收）阶段：

  • 监控激活扇区的剩余空间，当低于阈值（例如仅剩一个页）时启动 GC。

  • 锁定新写入请求（或进入 busy 状态）。

  • 扫描激活扇区，找出所有仍然有效的页（未被标记为无效的块）。

  • 将这些有效页按顺序复制到备用扇区（Inactive Sector，该扇区先前已被整体擦除）。

  • 复制完成后，擦除整个原激活扇区（调用底层 Fls_Erase）。

  • 角色互换：将原备用扇区标记为新的激活扇区，原激活扇区变为备用扇区。

  • 解除锁定，继续接收新的写入请求。

• 关键机制：

  • Cycle Counter 用于在垃圾回收时识别同一逻辑块的最新版本（取计数值大的）。

  • 地址映射表 存储在 RAM 中，上电时通过扫描 Flash 重建。

在EB中主要配置逻辑block，要能够与BSW的NVM是一一对应。

MemAcc：提供内存访问的硬件抽象层。

        MemAcc（Memory Access）模块是AUTOSAR存储软件栈中的一个硬件抽象层。它为上层的存储服务（如 NvM）提供了一套与硬件无关的接口，用来访问下层不同类型的物理存储设备，比如内部闪存（PFlash/DFlash）或者外部EEPROM。

• 内存地址转换：将上层传来的逻辑地址映射到具体的物理存储设备和地址。

• 作业管理：负责管理读写擦等异步存储作业。当上层调用 MemAcc_Write后，它只启动一个“待处理”的作业并返回，之后驱动会通过 MemAcc_MainFunction 持续轮询硬件状态。上层应用还可以调用 MemAcc_GetJobResult 来获取最终的作业结果。

• 内存访问协调：协调多个上层模块（如NvM和BndM）对共享内存资源的访问，管理潜在的并发冲突。

• 性能优化：通过配置，可以利用底层Mem驱动的大容量突发擦除和写入能力来提高吞吐量。

• 动态处理：支持运行时动态加载和执行存储驱动。这常用于OTA升级场景，在需要时才将Flash驱动程序下载到内存中激活，从而节约资源并提高安全性。

• MemAcc在EB中主要配置Area映射到sector上。

Mem_DFLS / Mem_PFLS (Mem Driver)：底层存储硬件驱动。

        Mem_DFLS / Mem_PFLS (Mem Driver)是划分sector的地方，可以把sector分别放在几个instance下，每个sector地址连续。上层可以直接调用读写擦函数操作sector，需要注意的是，每次写都要先擦整个sector。下面是我自己封的一个写入函数，需要先擦再检查再写：

void Cdd_FlsIf_Write(uint32 addr, uint8 * data, uint32 len)

{

  Std_ReturnType StdReturn = E_NOT_OK;

  uint8 sector_num = len / 0x200 + 1;

  StdReturn = Mem_INFLS_Erase(MEM_INFLS_INSTANCE_0_ID, addr, 0x200 * sector_num);

  Example_CheckAssert(E_OK == StdReturn);

  Example_ProcessJobs();

  StdReturn = Mem_INFLS_BlankCheck(MEM_INFLS_INSTANCE_0_ID, addr, 0x200 * sector_num);

  Example_CheckAssert(E_OK == StdReturn);

  Example_ProcessJobs();

  Mem_INFLS_Write(MEM_INFLS_INSTANCE_0_ID, addr, data, len);

  Example_CheckAssert(E_OK == StdReturn);

  Example_ProcessJobs();

}

HW：实际的物理存储设备。

2.存储设备的区别