电子技术——BJT的CV特性

本节我们研究BJT的CV特性。
电气符号和约定
下图展示了npn型和pnp型BJT的通用电气符号:

箭头表示EBJ的pn结方向。
对于在主动模式下的BJT的电流方向我们做出下面的约定:

下图表格总结上一节的电流、电压关系:

BJT特性曲线
首先我们研究BJT的互导特性曲线也就是 iC−vBEi_C-v_{BE}iC−vBE 曲线,我们知道主动模式下:
iC=ISevBE/VT i_C = I_S e^{v_{BE}/V_T} iC=ISevBE/VT
此函数图像为:

与一个普通pn结型二极管的CV特性曲线一致。对于iBi_BiB 和 iEi_EiE 与 iCi_CiC 成比例,因此其图像形状也是上图所示。图中我们发现,以后我们假设在BJT处于稳定工作的模式下,此时 vBE≃0.7Vv_{BE} \simeq 0.7VvBE≃0.7V 。
ici_cic 与集电极电压的关系
以上我们说过 ici_cic

本文探讨了BJT的电流电压特性,重点在于互导特性曲线和共发射极配置下的CV特性。BJT的电流i_C与v_BE的关系遵循指数增长规律,且在主动模式下与v_CE无关。然而,实际的CV曲线显示i_C与v_CE有微小的斜率,这归因于厄尔利电压和基极宽度调制效应。输出阻抗r_o与BJT的工作状态有关,可以通过电路模型进行描述。在饱和区,BJT表现出低输出阻抗的特性。

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