能源
直流配电系统用低压固态断路器的设计与测试
摘要
在本研究中,采用商用元件为直流配电系统实现了一种低电压固态断路器(SSCB)。通过电压偏置实现了高端静态开关的设计过程。对电流传感器、高端开关、热额定值、模数转换(ADC)技术以及SSCB响应时间进行了详细的功能测试。所设计的SSCB适用于低端照明保护应用,并在50伏特下进行了测试。获得了15安培连续电流额定值,且SSCB的最小响应时间比传统交流保护方法快近290倍。该SSCB的实施旨在填补传统交流保护方案失效的空白。直流配电系统可能发生极端故障,从而损坏敏感的电力电子设备。然而,对固态断路器的持续研发正在推动电力行业的革新,并改变现有的电力分配方式,以更好地利用清洁可再生能源系统。
关键词 :固态断路器;微电网保护;直流保护;SSCB
引言
清洁可再生能源为直流配电系统在商业建筑、数据中心、微电网和舰载电力系统等应用中提供了实用化的平台[1–5]。由于标准交流保护方法存在不足,固态断路器(SSCB)被认为是发展直流系统中最理想的保护形式。交流断路器依靠交流电压和电流的过零点,通过电弧实现机械灭弧来切断故障。而在直流系统中,电弧会持续存在,除非使用比同等级交流系统更大的空气间隙才能熄灭。尽管已有尝试将交流断路器用于直流系统时将其电压和电流额定值降低至一半,但由于其动作速度较慢,整体有效性仍受到质疑[6–10]。直流微电网依赖电力电子变换器运行,通常无法承受持续性故障,因此必须降低瞬时跳闸额定值。目前最快的固态断路器报告的清除时间仅为几微秒,而机械式交流断路器的动作时间则在数十毫秒级别。固态断路器与热磁式断路器的比较如图1[11]所示。
研究人员已针对不同应用,采用多种类型的半导体器件对SSCB设计的多种方法进行了研究。其中,硅绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件是最常被报道的[12–14]。此外,也研究了成本更高但具有更高电压等级和更低损耗的宽禁带半导体[15–17]。图2描绘了直流配电系统的基本结构,展示了通用保护方案。固态断路器(SSCB)可根据其在配电系统中的安装位置,在单向或双向模式下运行,这是由于存在多个电源所致。设备的布置决定了系统电压等级,其范围可从照明等低压系统的28伏到一般配电用的1千伏[18]。
至少有两种商用固态断路器已被设计用于传统的三相交流配电系统,但目前在实验性直流系统中,交流断路器仍然是使用最广泛的保护装置。新型固态断路器技术的发展为综合电力系统的未来展现了前景,但新技术相关的成本仍是商用直流系统发展的障碍。持续研究经济可靠的保护方案对于高效清洁能源系统的发展至关重要。直流保护市场的不断增长兴趣为未来直流配电系统的研究和发展提供了独特的机遇。在此背景下,本文研究了使用commercially available低成本现成组件实现低压固态断路器的可行性。
本文提出的固态断路器用于提供必要的构建模块,供相关人员使用,对该主题感兴趣的人,提供对设计可能改进的见解,并进一步推动固态断路器实现方面有效且低成本解决方案的研究,同时强调设计过程中最棘手的问题,如开关、热要求和速度。
2. 电流传感器输出
ACS770ECB电流传感器因其高达200安培的持续电流额定值而被选用。该器件具有高过流额定值和4.2微秒的上升时间(0–60安培)。该传感器为霍尔效应型,利用电流产生的磁场生成线性输出电压。使用OMICRON CMC 356继电保护测试仪对传感器进行了输入电流与输出电压的测试。输入电流以1安培步进从0到45安培进行变化,并记录了输出电压(如图3所示)。
使用线性趋势线来拟合收集的数据。对应的线性方程为
$$
V_a = 0.0204 \times I_{in} + 0.5211 \tag{1}
$$
其中,$V_a$ 是传感器输出的模拟电压,$I_{in}$ 是输入电流。输出电压在每通过1安培电流时增加20.4毫伏。这种线性输出对于固态断路器(SSCB)模数转换(ADC)设置的简便实现至关重要,第5节将对此进行进一步讨论。
3. 静态开关设计
固态断路器的静态特性要求使用能够持续导通的高端开关。最常见的高端驱动配置是自举电路,因其具有低传播延迟,且简单且低成本。然而,若不进行改进,自举拓扑无法实现持续导通——固态断路器应用所需时间[19]。
在自举拓扑中引入隔离电压偏置可提供连续的操作所需,提高隔离性,并简化整体电路[20]。多个考虑因素必须满足电压偏置的要求才能成功实现该设计,并应遵循谨慎的选择过程。由于次级电压会随IGBT发射极处的电压摆动,因此偏置必须实现隔离。转换器必须具有高的dv/dt耐受能力,以使自举电容上的电压尖峰保持在不会损坏高端驱动器的水平以下。由于IGBT是一种电压控制器件,转换器在无负载条件下还必须具有低电压漂移,最好低于10%,以维持转换器所需的输出。
本质上,转换器的主要作用是维持自举电容上因栅极操作和漏电流而导致的电荷损耗,以下[19]中的方程已修改以反映电压偏置和固态断路器的静态特性。电容器根据晶体管的栅极电荷进行选择,并由以下方程决定:
$$
C_g = \frac{Q_g}{V_{bias}} \tag{2}
$$
$$
C_{boot} \geq 10 \times C_g \tag{3}
$$
其中,$C_g$为总栅极电容,$Q_g$为晶体管的栅极电荷,$V_{bias}$为转换器提供的电压,$C_{boot}$为自举电容器的电容值。同样,高端栅极驱动器的输出和吸收电流要求取决于$Q_g$,并表示为
$$
I_{source} = 1.5 \times \frac{Q_g}{t_{sw_on}} \tag{4}
$$
$$
I_{sink} = 1.5 \times \frac{Q_g}{t_{sw_off}} \tag{5}
$$
其中,$I_{source}$和$I_{sink}$分别为高端栅极驱动的输出和吸收电流要求;1.5是一个经验常数;$t_{sw_on}$和$t_{sw_off}$分别为晶体管导通和关断时所经历的过渡时间。最后,必须设置最小栅极电阻,以确保输出和吸收电流不超过高端栅极驱动的最大额定值,其遵循以下关系:
$$
R_{g_min} \geq \frac{V_{bias}}{I_{source/sink}} \tag{6}
$$
其中 $R_{g_min}$ 是最小栅极电阻。
利用隔离型15伏特1:1 REPCOM直流/直流转换器、单路输出FAN7371MX高端驱动器和IXXH110N65C4绝缘栅双极型晶体管的简化电路图如图4所示。
所设计的静态开关电路能够工作在最高600伏特的电压下,且栅极驱动器可提供高达4安培的拉电流和灌电流操作。电压偏置运行于1:1转换,在15伏特和1瓦特下工作。IXXH110N65C4绝缘栅双极型晶体管的栅极电荷$Q_g$为167纳库仑。$C_{boot}$选用了一个0.1微法陶瓷电容器,栅极电阻为4.7欧姆已实施。
静态开关实验结果
对静态开关进行了测试,以确保电压偏置在任何可预见条件下的安全运行。$V_c$两端电压的安全工作范围推荐最大值为20伏特,而绝对最大额定值列为25伏特。实验发现,该开关完全具备持续导通时间的能力,并针对开关的导通和关断进行了两次实验,以确定电压偏置的最大安全工作区。
关断实验如图5所示,在30伏特/1安培条件下进行,未使用缓冲电路。$V_c$两端的最大和最小电压分别为15.9伏特和15.1伏特,对器件的安全运行不构成威胁。开通实验在开路条件下进行,以使发射极的dV/dt达到最大值。
测试电压持续增加,直到$V_c$上的电压达到20伏特的最大安全工作区,如图6所示。开关周期在50纳秒内完成,产生6 kV/μs的dV/dt变化率,在晶体管的发射极。这种效应,加上需要电压偏置来充电电容器,产生了一个最大电压为19.7伏特的瞬态事件,持续时间约为20 µs,之后恢复到稳态运行。测试表明,最大安全运行区域为300伏特,因为固态断路器必须能够在任何负载下运行,而无需担心对开关造成损坏。
4. 发热和功率损耗
IXXH110N65C4绝缘栅双极型晶体管具有高功率密度,能够在25℃和110℃时分别承载235至110安培的持续电流。短路安全工作区在25℃时为600安培(1毫秒)和220安培(10微秒),在150℃时列出。该开关在开放空气中使用R2A‐CT4–38E散热器进行热测试,以确定固态断路器的连续电流额定值。实验采用直流电源向NHR 4760直流负载箱提供50.9 V直流电。电流水平从0变化到10安,每个级别保持不少于4分钟。通过发射率为0.94的红外测温仪记录散热器表面的最高温度,并在每一步记录正向压降。然后计算开关的功率损耗,结果如表1所示。
表1. 热量和功率损耗的实验结果。
| 电流 (A) | 温度 (°C) | 正向压降 (V) | 功率损耗 (W) |
|---|---|---|---|
| 0 | 23.8 | 0 | 0 |
| 1 | 27.2 | 0.76 | 0.76 |
| 2 | 32.5 | 0.825 | 1.65 |
| 3 | 38.3 | 0.862 | 2.586 |
| 4 | 43.3 | 0.895 | 3.58 |
| 5 | 47.9 | 0.925 | 4.625 |
| 6 | 52.9 | 0.935 | 5.61 |
| 7 | 57.6 | 0.955 | 6.685 |
| 8 | 64 | 0.973 | 7.784 |
| 9 | 69.9 | 0.99 | 8.91 |
| 10 | 74.5 | 1.005 | 10.05 |
以下方程基于图7推导得出,用于预测固态断路器在稳态运行期间的导通损耗和温升:
$$
P_d = 1.0347 \times I_c - 0.4667, \quad \text{其中 } I_c \geq 1\,\text{A} \tag{7}
$$
$$
T_{sw} = 5.2358 \times I_c + 22.013, \quad \text{其中 } I_c \geq 1\,\text{A} \tag{8}
$$
其中 $I_c$ 为固态断路器的持续电流,$P_d$ 为开关中的功率损耗,$T_{sw}$ 为开关的温度。$T_{sw}$ 的斜率表明,每安培持续电流将使温度比环境温度升高5.24 °C。结合公式(7)和(8)可知,每消耗1瓦功率,温度升高5.06 °C。温度分析表明,在当前开放空气条件下,绝缘栅双极型晶体管的最佳安全电流额定值在8和15 A之间,且预期温升将在环境温度基础上升高41.92 °C至78.6 °C。然而,当需要更大电流或环境温度不可预测时,应考虑采用其他冷却技术以改善热性能,相关内容将在[21]中讨论。
5. 模数转换
固态断路器(SSCB)使用MEGA 2560 R3微控制器进行测试。该控制器具有10位分辨率模数转换器,并在16 MHz时钟下运行。模数转换速率从9600赫兹提高到50千赫兹,从而每20 µ秒进行一次读取。控制模数转换器输出的方程为
$$
V_a = R_v \times \frac{5}{1023}, \tag{9}
$$
其中 $V_a$ 是转换器读取的模拟电压,$R_v$ 是控制器看到的整数返回值。结合公式(1)和(9)可确定通过固态断路器的电流,得到以下方程:
$$
I_{in} = 0.239 \times R_v - 25.544 \tag{10}
$$
公式(10)乘以1000以避免使用浮点数,并编码为
$$
I_{in_input} = 239 \times R_v - 25544, \tag{11}
$$
其中 $I_{in_input} = I_{in} \times 1000$。由于模数转换器整数返回值范围为0到1023,电流的增减最小幅度为0.239 A。因此,在任何给定设定点处均可能出现轻微的波动范围。
6. 基于模数转换器的吸合与清除时间
图8中的框图显示了本实验中实现的固态断路器配置。本实验使用的缓冲电路是针对10安和1.19 µH线路电感进行优化的简单RC缓冲器,如[22]所述。先进缓冲电路是固态断路器研究中的一个持续课题,因为电感并不总是已知的,且可能出现在[23,24]中。
6.1. 实验设置
实验在4安培的跳闸设定下进行,其中 $I_{input} = 4000$。动作(PU)时间定义为电流达到指定跳闸设定后,至栅极驱动控制信号从高到低所需的时间。总清除时间(TCT)定义为电流在达到额定跳闸设定后,稳定在零值的百分之二范围内所需的时间,开关时间(SWT)为这两个测量值之间的差值。测试台和传感设备包括Feedback 67–113 200欧姆可变负载电阻、KEITHLEY AC6804A电源、KEYSIGHT InfiniVision MSOX4104A示波器、KEYSIGHT N7026A电流探头、KEYSIGHT N2790A差分探头、KEYSIGHT N2790A无源探头以及Tektronix PWS2323直流电源。AC6804A用于通过开关向200欧姆可变负载电阻提供高端电压和电流。PWS2323直流电源用于为低端电子器件供电。所有测量均使用是德科技示波器和探头完成。总共制定了25个测试输入,并以4至8安培的变化电流水平进行随机化处理,每次实验开始时将N7026A电流探头归零。MSOX4104A示波器设置为正负100 µ秒范围,每个待测波形均设置在预期输出水平内。触发功能设为负斜率,触发电平设为500毫安。MEGA微控制器被编程至指定跳闸设定,67–113可变电阻器则根据输送至电路的电流调整至所需电阻。示波器设置为单波形捕获模式,然后开启AC6804A电源的电压。随后激活开关,使电流流经电路,记录如下所示的跳闸结果。
将光标Y1设置为零,Y2设置为跳闸设定电流4 A,如图9所示。然后将X1设置在Y2的交叉点处,X2设置在微控制器响应的位置。记录X1与X2之间的PU测量结果。随后将X2移动到过零点,如图10所示,并记录相应的TCT测量结果。
SWT测量取自处理单元和TCT测量之间的时间差,即高端驱动器的传播延迟与电路开关动作之间的时间差。该过程重复进行,直到完成全部25个输入。通道1显示电流(黄色),通道2显示VCE(绿色),通道3显示高端开关的逻辑控制信号来自微控制器(蓝色)。
6.2. 开关结果
实验结果如表2–4所示。
表2. 总清除时间结果。
| 电流 (A) | 总清除时间 (µs) | 平均值 (µs) |
|---|---|---|
| 4 | 48.33, 46.34, 46.34, 45.75, 45.35 | 46.422 |
| 5 | 47.26, 47.3, 47.29, 47.5, 47.31 | 47.332 |
| 6 | 47.86, 47.88, 47.85, 47.88, 47.68 | 47.83 |
| 7 | 48.44, 47.84, 48.03, 48.02, 48.02 | 48.07 |
| 8 | 48.03, 48.04, 48.02, 48.03, 48.03 | 48.03 |
表3. 吸合时间结果。
| 电流 (A) | 吸合时间 (µs) | 平均(µs) |
|---|---|---|
| 4 | 44.43, 42.22, 42.21, 41.59, 41.18 | 42.326 |
| 5 | 43.36, 43.36, 43.35, 43.6, 43.34 | 43.402 |
| 6 | 44.14, 44.14, 44.12, 44.1, 43.9 | 44.08 |
| 7 | 44.78, 44.16, 44.43, 44.4, 44.41 | 44.436 |
| 8 | 44.46, 44.5, 44.5, 44.45, 44.46 | 44.474 |
表4. 开关时间。
| 电流 (A) | 开关时间 (µs) | 平均 (µs) |
|---|---|---|
| 4 | 3.9, 4.12, 4.13, 4.16, 4.17 | 4.096 |
| 5 | 3.9, 3.94, 3.94, 3.9, 3.97 | 3.93 |
| 6 | 3.72, 3.74, 3.73, 3.78, 3.78 | 3.75 |
| 7 | 3.66, 3.68, 3.6, 3.62, 3.61 | 3.634 |
| 8 | 3.57, 3.54, 3.52, 3.58, 3.57 | 3.556 |
PU、TCT和SWT的整体平均响应和清除时间分别为43.74 µs、47.53 µs和3.79 µs。随着电流的增加,TCT和PU的平均值呈上升趋势,而由于缓冲电路在低电流水平下对Vce的过阻尼响应,SWT则显示出近乎每安培100纳秒的下降趋势。与图11中所示的机械断路器(MCB)通用曲线相比,固态断路器(SSCB)的响应时间表明,在发生瞬时故障时,其平均TCT显著缩短了1000倍。此外,较慢的机械断路器通常具有40至55毫秒的瞬时脱扣时间,而较快的设备可在16毫秒或一个60赫兹周期内跳闸[25,26]。所研制的固态断路器(SSCB)的平均TCT比采用纯模数转换技术的单周期机械断路器快294.7倍。
保护单元时间(PU time)是影响被测固态断路器(SSCB)速度的主要因素,占总平均TCT延迟的92%。保护单元速度(PU speed)由实验中所用微控制器的模数转换能力(ADC capabilities)决定。进一步缩短固态断路器(SSCB)响应时间可通过改进外部传感或使用更快的模数转换设备实现,但可能会增加设计成本。由于直流系统(DC systems)中缺乏变压器带来的大电感,固态断路器(SSCB)的TCT对整体设计的成功至关重要。在许多情况下,导线电感将成为直流系统中的最大限制因素。来自直流电源的电流随时间变化率(di/dt)由公式(12)决定。
$$
\frac{di}{dt} = \frac{V_{dc}}{L}, \tag{12}
$$
其中 $V_{dc}$ 为系统电压,$L$ 为系统电感。因此,一根10米8美国线规导线,其电感约为13 µH,母线电压为50伏特时,将产生3.85安/微秒的电流变化率,若仅由导线电感限制,则在47微秒内电流将增加180.8安培。同样的故障持续16毫秒时,电流将超过61千安,对系统造成极大的热应力和机械应力。随着电压和导线直径在更高额定值的系统中增加,该问题将进一步加剧[11,18]。快速、易于编程的固态断路器可与故障限流转换器和先进保护算法配合使用,以最大限度地减少极端故障对直流系统的影响。
7. 结论
本研究提出了一种单向低压固态断路器的设计过程,并进行了构建和测试。所组装的固态断路器能够在直流配电系统中有效保护低电平敏感设备,因为该电路可在50伏/15安的持续电流下运行而不会发生故障。该设计的故障清除速度受模数转换器(ADC)速度限制,平均为47.53 µ秒,比快速动作的交流对应装置快294.7倍。

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