特性
高边N沟槽型MOSFET
导通电阻:
TDFN-2x2-6AL:60mO (典型值)
SOT-23-6:65毫安(典型值)
可编程电流限制范围:0.1A至3A在RILIM=4.53kQ时为1.5A
输入电压范围:2.5V至6V静态电流:27pA(典型值)
关断电流:0.28A(典型值)
软启动功能过温保护
VIN欠压锁定保护
无反向漏电流(反向阻断).故障标志(nFAULT引脚)
·快速输出放电(仅限SGM2593D)EN引|脚处1.2MO下拉电阻
UL认证组件(文件编号E532373*)提供绿色TDFN-2x2-6AL和SOT-23-6封装


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