STM32系列文章（ 振荡器设计指南）

前言

在微控制器的应用系统中，晶体振荡器部分的设计被关注得很少，大多采用的是经典电路，很少有人了解它是如何工作的（至少我本人是如此），意法半导体公司的设计指南AN2867很好的讲解了ST微控制器振荡器电路的设计。能够帮助工程师在ST系列微控制器系统设计中规划一个好的晶体振荡器电路。现节选如下：

一、晶振的特性及模型

石英晶体是一种将电能和机械能相互转化的压电器件，其模型如下：

C0并联电容： 等效电路中与串联臂并接的电容，其大小一般与晶振尺寸相关。
Lm动态等效电感：代表机型振动的惯性。
Cm动态等效电容：代表晶振的弹性。
Rm动态等效电阻：代表电路的损耗。
晶振的阻抗表达式如下（假设Rm可以忽略不记）：

石英晶振的频域电抗特性如下图

其中Fs是当电抗Z=0时的串联谐振频率，其表达式如下：

Fa是当电抗Z趋于无穷大时的并联谐振频率，其表达式如下：

在Fs到Fa的区域即通常所谓的：“并联谐振区”(图2中的阴影部分)，在这一区域晶振工作在并联谐振状态(译注：该区域就是晶振的正常工作区域，Fa－Fs就是晶振的带宽。带宽越窄，晶振品质因素越高，振荡频率越稳定)。在此区域晶振呈电感特性，从而带来了相当于180 °的相移。其频率FP(或者叫FL:负载频率)表达式如下：

可以通过调节表达式(4)中负载电容CL来微调振荡器的频率，这就是为什么晶振制造商在其产品说明书中会指定外部负载电容CL值的原因。通过指定外部负载电容CL值，可以使晶振晶体振荡时达到其标称频率。
举例说明如何调整外部参数来达到晶振电路的8MHz标称频率：

使用表达式(2)、(3)和(4)，我们可以计算出该晶振的Fs、Fa 及FP：
Fs = 7988768Hz，Fa = 8008102Hz
如果该晶振的CL为10pF，则其振荡频率为：FP = 7995695Hz。
要使其达到准确的标称振荡频率8MHz，CL应该为4.02pF。

二、振荡器原理

振荡器由一个放大器和反馈网络组成，反馈网络起到频率选择的作用。图3通过一个框图来说明振荡器的基本原理。
图3 振荡器的基本原理

其中：
●A(f)是放大器部分，给这个闭环系统提供能量以保持其振荡。
●B(f)是反馈通道，它决定了振荡器的频率。