NANDFLASH外设的理论知识

NANDFLASH外设的理论知识

---参考朱有鹏ARM裸机课堂

1、什么是NANDFLASH？

NANDFLASH存储器是flash存储器的一种，用来存储。被封装成各种U盘等器件。

2、nandflash的功能框图？

(1)nand的结构可以看成一个矩阵式存储器，其中被分成一个一个的小块，每一个小块

都可以存储一个bit位，然后彼此以一定的单位组合成整个NAND。

(2)从下图可以看出：NAND中可以被单次访问的最小单元叫做PAGE页；

对NAND进行读写至少要以这个单元或者是这么多的整数倍，在K9F2G08芯片中，PAGE的大小为2K+64B

(3)页往上还有一个叫做块（BLOCK）的概念，1个块等于诺干个页，一个块等于64页。

(4)块设备分这几个概念有什么意义？

首先要明白，块设备不能完全按字节访问必须以块为访问的限制：

PAGE是读写NAND的最小单位；BLOCK是檫除NAND的最小的单位，这些规则都是NAND的物理原理和限制要求。

(5)NANDFLASH这个芯片是以列地址和行地址访问的，但是有29条总线，所以需要分几个周期发送。

3、NANDFLASH的结构：

(1)什么是ECC？（err correction code，错误校验码）
因为nand存储本身出错概率高，（位反转）
nand比NOR最大的缺点就是稳定性，所以我们将有效信息存储到
按照一定的算法计算一个ECC信息，比如CRC16校验算法。
将ECC信息同时存储到NAND这个页的带外数据区。
如果校验通过则证明nand的有效数据可信，如果校验不通过只能丢弃。

(2)坏块标志：
nand芯片用一段时间后，可能某些块坏掉（这些块无法檫除了，或者无法读写了）
坏块是不可避免的，而且随着nand使用坏块会越来越多，当
坏块还不算太多时，这个nand都是可以用的，除非坏块太多了。
才会换新的。所以nand本身为了管理nand发明了一种坏块标志机制。
nand的每个页de64字节的带外数据中，我们定义一个固定位置。
文件系统来标记这个块是好的还是坏的，文件系统在发现这个块已经坏了没法用了。
会将这个块标记为坏块。

(3)nand的地址时序：
(1)nand的地址有多位，分4或者5个周期，通过我们的IO引脚发送给我们的nand的芯片。
寻址的最小单位是字节，但是读写的最小单位是页。
(2)nand的地址在写代码按照我们nand要求的时序和顺序依次写入。

4、NANDFLASH的常见的操作和流程分析：

(1)页的读写操作：

(2)檫除操作：

(3)坏块检查：

5、S5PV210的nandflash控制器：

(1)如果我们SOC用软件操作nandflash芯片本身的接口电路：

nand芯片本身通过nand接口电路来存取数据，nand接口电路和SOC之间通过nand的接口时序来通信。

这种方式有两种不好的地方：

1、你很难保证你的时序很难保持，

2、代码很难写，解决方案就是内部集成一个nand控制器

（实际上就是一种硬件电路，这个硬件电路完全满足nand接口的时序操作）

然后将这个接口时序的操作寄存器化。

(2)SOC和NAND芯片的之间的通信，在SOC没有NAND控制器需要SOC自己来处理接口时序。

编程十分的麻烦，需要程序员看nand的芯片手册，严格按照接口时序图中编程。

(3)在SOC有nand控制器时SOC只需要操控nand控制器的寄存器即可。
nand控制器内部硬件会根据寄存器值生成合适的nand接口时序和nand芯片通信。
所以在有nand控制器时编程要简单很多。我们读写nand芯片时再也不用关注nand的
接口时序了。只要关注SOC的nand控制器的寄存器即可。